推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)宣布推出數款新汽車產品系列，專門為發展迅速的汽車市場而設計，配合汽車電子成分持續升高，用于燃油經濟性、安全、信息娛樂系統及車載通信等先進功能。
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安森美 MOSFET LED
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出采用小尺寸SOP-4表面貼裝封裝的新型光隔離式MOSFET驅動器--- VOM1271。新器件集成了關斷電路，因此不需要外部的關斷元件和副邊供電電源。新的MOSFET驅動器極大降低了配置成本和PCB空間，并提高了整體的系統可靠性和性能。
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Vishay MOSFET 驅動器
b觸點型“PhotoMOS”的開發隨著PhotoMOSMOSFET輸出光電耦合器的優勢被廣泛了解，人們將其用于信息通信...
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MOSFET 光電耦合器
汽車可靠性和AEC資格認證汽車可能是我們每個人擁有的最可靠的設備之一。這可能聽起來有失偏頗，并且如果您的...
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汽車電子 IR MOSFET
雙柵極SET 與MOSFET 的混合特性 由SET 的周期振蕩特性和MOSFET 的閾值電壓特性可構成雙柵極SET/MOSFET ...
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雙柵極 SET MOSFET
CMOS器件的等比例縮小發展趨勢，導致了柵等效氧化層厚度、柵長度和柵面積都急劇減小。柵氧化層越薄，柵漏電流越 ...
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MOSFET 柵漏電流 噪聲分析
高級半導體解決方案的領軍廠商瑞薩電子株式會社(TSE：6723，以下簡稱“瑞薩”)，于日前發布了最新的用于個人計算機CPU、服務器和儲存系統的供電穩壓器 (VR) 芯片集誕生。它包括行業首個集成微控制器(MCU)數字接口的VR控制器R2A30521NP和帶集成電流檢測電路的智能脈寬調制(PWM)- Driver - MOSFET功率器件DrMOS)R2J20759NP。
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瑞薩 MCU MOSFET
應用于高能效電子產品的首要高性能硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)擴充公司寬廣的接口及電源管理產品陣容，推出一對優化的超小超薄小信號MOSFET，用于空間受限的便攜消費電子產品，如平板電腦、智能手機、GPS系統、數字媒體播放器及便攜式游戲機。
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安森美 MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，其E系列600V功率MOSFET新增采用8種封裝的17款新器件，將該系列MOSFET在10V下的導通電阻擴展到39m?～600m?，將最高電流等級擴展至7A～73A。
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Vishay MOSFET
全球高性能模擬混合信號半導體設計和制造領導廠商Intersil公司(納斯達克全球交易代碼：ISIL)日前宣布，推出面向電源和電機驅動應用的業內領先“HIP”系列MOSFET橋式驅動器新品---HIP212x系列。該100V、2A高頻半橋驅動器產品家族提供最短的上升/下降時間，可調節死區時間控制和靈活的控制輸出。
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Intersil MOSFET 驅動器
摘要： 對具有驅動變壓器的功率MOSFET管驅動電路的動態過程進行了分析，推導了驅動變壓器設計參數（繞組電流有效值，變壓器功率）的計算方法，定量分析了變壓器漏感和電路雜散電感對開通過程的影響，并通過仿真和試
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MOSFET 驅動 變壓器設計
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新款采用熱增強型2mm x 2mm PowerPAK? SC-70封裝的單路12V器件--- SiA447DJ，以及采用3mm x 1.8mm PowerPAK ChipFET封裝、高度0.8mm的單片30V器件---Si5429DU，擴充其TrenchFET? Gen III系列P溝道功率MOSFET。
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Vishay MOSFET
全球高性能模擬混合信號半導體設計和制造領導廠商Intersil公司(納斯達克全球交易代碼：ISIL)日前宣布，<0}推出以最小功率耗散提供電源冗余和保護的堅固、緊湊型ORing FET控制器。
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Intersil MOSFET ISL6146
在這篇《電源設計小貼士》中，我們將研究在同步降壓功率級中如何對傳導功耗進行折中處理，而其與占空比和 FET 電阻比有關。進行這種折中處理可得到一個用于 FET 選擇的非常有用的起始點。通常，作為設計過程的一個組
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MOSFET 同步降壓 電阻比
恩智浦半導體(NXP Semiconductors N.V.)(納斯達克代碼：NXPI)近日發布了LFPAK56D產品組合——多款雙通道Power-SO8 MOSFET，專為燃油噴射、ABS和穩定性控制等汽車應用而設計。恩智浦LFPAK56D系列產品完全符合AEC-Q101標準，具有一流的性能和可靠性;同時，與通常需要使用兩個器件的DPAK解決方案相比，節省了77%的占位面積。
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恩智浦 LFPAK56D MOSFET
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