TDK集團最近發(fā)布了新一代愛普科斯(EPCOS) CeraLink?，該產品能為基于SiC-和GaN-半導體的快速開關轉換器的緩沖和直流鏈路提供極其緊湊的解決方案。這些新型電容器基于陶瓷材料PLZT(鋯鈦酸鉛鑭)。與傳統(tǒng)的陶瓷電容器相比，CeraLink在施加應用電壓下能達到其最大的電容值，這種電容隨電壓相應增加的特性能更好的控制紋波電壓。
CeraLink系列體積最小的一款是SMD低剖面型號，尺寸僅為4.25 mm x 7.85 mm x 10.84 mm，額定電壓為500 V D
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TDK CeraLink LTE
TDK集團近日發(fā)布了一款用于LTE頻帶1的新型愛普科斯 (EPCOS) 雙工器，其特點是達60 dB時發(fā)送和接收通道都具有良好的隔離性能。該B8651雙工器基于SAW技術，封裝尺寸很小，僅為1.8 mm x 1.4 mm。由于發(fā)送和接收信號之間具有良好的隔離性能，新型愛普科斯 (EPCOS) 雙工器可與節(jié)省功耗的包絡檢測功率放大器相結合，且無需額外的預濾波。這樣可顯著簡化前端設計，從而大大降低了成本。新型雙工器的另一個優(yōu)勢是典型插入損耗低，發(fā)送通道僅為1.9 dB，因此可進一步節(jié)省功耗，進而延長電池壽
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TDK EPCOS
TDK株式會社開發(fā)出支持無鹵素的普通用FG系列和車載用FA系列積層帶導線電容器，并將從2015年4月起開始量產。
TDK正在推進開發(fā)環(huán)境負荷少且兼顧生命周期的產品。此次，開發(fā)出不使用鹵素的產品，該鹵素曾作為阻燃劑包含于積層帶導線電容器的包裝樹脂部中，由此充實了該產品的陣容。
普通用FG系列的額定電壓范圍為6.3V～630V，靜電容量范圍為1pF～100μF，車載用FA系列的額定電壓范圍為25V～630V，靜電容量范圍為100pF～22μF。并且，車載用FA系列符合AEC-Q200標準，并以
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TDK 電容器
TDK株式會社(社長：上釜健宏)開發(fā)出支持智能手機、平板終端等移動設備中的LTE和新一代高速無線通信系統(tǒng)的06505尺寸積層低通濾波器，并將從2015年1月起開始量產。
隨著智能手機、平板終端等移動設備的小型輕量化和高速高頻化，設備上搭載的電子元件也需要滿足高性能、小型、薄型、輕量化的要求。低通濾波器是容許低于截止頻率的信號通過，從而篩選出所需電氣信號的電子元件。本產品通過陶瓷材料的薄層化、導電體的精細線路化以及優(yōu)化內部電極的形狀設計，與以往的1005形狀產品(長1.0mm×寬0.5
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TDK 低通濾波器 高頻電路
近日，在深圳高交會電子展上，TDK攜手旗下TDK-Lambda和愛普科斯(EPCOS)，以汽車電子、移動通信和工業(yè)與能源三大熱門應用為主題高調亮相。TDK以鐵氧體磁性材料起家，隨著對磁性材料不斷的研發(fā)，TDK不僅在傳統(tǒng)磁性技術應用領域繼續(xù)保持領先，并將其開拓到新的市場，比如這次高交會展出的用于風力和水利發(fā)電的磁性產品就是全新的節(jié)能環(huán)保應用。
汽車一直是TDK這兩年發(fā)展的重點，xEV用DC-DC轉換器(GEN5)通過低損耗鐵氧體材料、高散熱基板的發(fā)展實現(xiàn)小型化，其特點包括采用自主研發(fā)的低損耗鐵
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TDK 傳感器 鐵氧體 201501
TDK公司已經開發(fā)出極其堅固的愛普科斯新型多重脈沖MP壓敏電阻。這些保護性元件非常適合于經常產生過電壓脈沖的應用，例如開關電源或過電壓保護模塊。這類壓敏電阻的直徑包括10、14和20mm，能夠承受間隔為60秒鐘、帶15個8/20 μs脈沖的1.5-5 kA的沖擊電流。其響應電壓范圍介于275至460 V AC，130 V AC版本目前正在開發(fā)中。
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TDK 開關電源 過電壓保護
TDK公司推出了最新EPCOS(愛普科斯) 微型聲表濾波器系列中的首款產品 -- EPCOS B4300 GPS濾波器。該款GPS濾波器經過AEC-Q200標準認證，目前在全球同類產品中體積最小(殼體尺寸1.4 x 1.1 mm)，可適應汽車電子系統(tǒng)惡劣的使用環(huán)境。除了結構緊湊以外，該元件的另一顯著特征就是其電氣性能極佳。比如，插入損耗僅為1 dB，同時阻帶的衰減亦很高。對來自移動電話頻段的干擾，衰減值能達到45-50 dB。
由于采用了CSSP. 技術(即“芯片尺寸聲表封裝&rdq
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TDK SAW 濾波器
近日，在深圳高交會電子展上，TDK攜手旗下TDK-Lambda和愛普科斯(EPCOS)，以汽車電子、移動通信和工業(yè)與能源三大熱門應用為主題高調亮相，展示了基于傳統(tǒng)磁性材料為核心的最新產品和技術。
TDK以鐵氧體磁性材料起家，隨著對磁性材料不斷的研發(fā)，TDK不僅在傳統(tǒng)磁性技術應用領域繼續(xù)保持領先，并將其開拓到新的市場，比如這次高交會展出的用于風力和水利發(fā)電的磁性產品就是全新的節(jié)能環(huán)保應用。在傳統(tǒng)磁性材料的研究方面，TDK開發(fā)的不含稀土元素的鐵氧磁鐵性能已經接近稀土磁鐵，成本卻可以大幅下降。不使用L
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TDK EPCOS 高交會
隨著中國電子制造業(yè)在全球市場的比重持續(xù)提升，創(chuàng)新能力不斷增強，當前市場不但對各種基礎電子元件提出了更高的規(guī)格要求，而且也需要供應廠商能夠跟上瞬息萬變的市場變化，為企業(yè)提供強有力的服務保障。
TDK集團旗下的愛普科斯(上海)產品服務有限公司的電容、保護元件、及傳感器產業(yè)市場部大中華區(qū)副總裁王智娟
對此，TDK集團旗下的愛普科斯(上海)產品服務有限公司的電容、保護元件、及傳感器產業(yè)市場部大中華區(qū)副總裁王智娟表示，今年我們公司的業(yè)務增長點聚焦在智能手機和汽車電子市場，
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TDK EPCOS 濾波器
TDK 株式會社推出了全新的愛普科斯 (EPCOS) B86305L*系列標準三相線路電抗器，用于帶 整流級輸入的變頻器。該系列產品有 7 種型號，電流范圍為 4 A 至 230 A。這些線路電抗器專 為 520 V AC 額定電壓而設計，依電抗器型號不同，短路電壓為 5%到 6%，因此可以有效抑制 變頻器引起的所有電磁干擾。
該全新線路電抗器系列還具有另外一個特征，那就是飽和磁感應強度較高。因此，其電感值在 1.5 倍額定電流情況下可保持不變，甚至在 3 倍額定電流下，電感值仍能保持在額定值的
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TDK EPCOS 電抗器
TDK 株式會社擴展了旗下愛普科斯(EPCOS) 的 MKK 功率電容器產品系列，推出了 MKK DCi- R 系列新型產品。MKK DCi-R 系列采用了樹脂浸漬技術，基于 MKK DC 系列氣體浸漬電容器 和 MKK DC-I 系列油浸電容器的成熟技術而研發(fā)。新型 B25640*電容器額定電容值為 10000 μF，工作電壓高達 4000 V DC，同時其能量密度也比氣體浸漬型電容器高 10%。扁平卷繞技 術確保了新型電容器具有高達 95%的體積填充系數(shù)，進一步縮小了產品體積，實現(xiàn)緊湊化。
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TDK EPCOS 功率電容器
TDK 株式會社最新推出了適用于再生式變頻器系統(tǒng)的愛普科斯(EPCOS) 高性能 LCL 濾波器 (B84143*405)系列產品。該系列濾波器由一個電源扼流圈、帶阻尼電阻器的電容器組以及一個 牢固的扼流圈組成，其濾波器電路能夠大幅減弱時鐘頻率，完全符合 IEC / TS 62578 標準有 關 EMI 發(fā)射范圍為 9 kHz 至 150 kHz 的設備的規(guī)定。此外，在再生式變頻器系統(tǒng)中，愛普科 斯 LCL 濾波器還可以顯著降低線側電流諧波(低于 5%)。最后，在高直流鏈路(DC link)電壓 應用
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電磁兼容性 TDK EPCOS
TDK 公司近日發(fā)布了一款新的愛普科斯 (EPCOS) 焊片式系列鋁電解電容器。新系列電容器的 紋波電流能力比之前的愛普科斯 (EPCOS) 系列增強了多達 25%，其中新 B43642*系列電容器 尺寸緊湊：直徑為 22 mm 至 35 mm，高度為 25 mm 至 55 mm。
該系列電容器額定電壓范圍為 200 V DC 至 450 V DC，容量范圍為 82 µF 至 3300 µF，在 105°C 的溫度條件下連續(xù)工作時使用壽命可達 3000 小時。
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鋁電解電容 TDK 愛普科斯
2014 年 工業(yè)自動化展產品亮點
TDK 公司近日發(fā)布了三款新型的愛普科斯 (EPCOS) 螺釘式系列鋁電解電容器。新系列電容器不僅具有超強的紋波電流能力，且尺寸極其緊湊。其中，新 B43703*系列電容器適用額定電壓 范圍為 350 V DC 至 450 V DC，容量范圍為 1,500 μF 至 22,000 μF。與之前系列相比，在相 同的紋波電流能力條件下，新系列電容器的體積可減小達 20%。新型電容器尺寸極其緊湊，直徑為 51.6 mm 至 90.0 mm，高
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鋁電解電容 TDK 愛普科斯
近日，日本TDK首次展示了新型存儲技術MRAM的原型，有望取代如今遍地都是的Flash閃存。MRAM全稱磁阻隨機訪問內存，已經存在一段時間了，但是TDK將其帶到了一個新的高度。它以磁荷為數(shù)據存儲介質，而它的名字來自自旋傳輸矩，也即是寫入數(shù)據的時候利用電子角動量來改變磁場。 MRAM技術的讀寫速度可以媲美SRAM、DRAM，當同時又是非易失性的，也就是可以斷電保存數(shù)據，等于綜合了RAM、Flash的優(yōu)點。 TDK多年來一直在研究STT-MRAM，但此前從未公開展示。這次拿出的原型芯片和一個NOR&n
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TDK 閃存
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