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        super junction mosfet 文章 最新資訊

        安森美推出兩款新的MOSFET器件

        • 安森美半導(dǎo)體 (ON Semiconductor) 推出兩款新的MOSFET器件,用于智能手機及平板電腦應(yīng)用,作為鋰離子電池充電/放電保護電路開關(guān)的關(guān)鍵組成部分。EFC6601R和EFC6602R幫助設(shè)計人員減小方案尺寸、提升能效及將電池使用時間延至最長。
        • 關(guān)鍵字: 安森美  MOSFET  鋰離子電池  

        Vishay大幅擴充E系列650V N溝道功率MOSFET家族

        • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,其E系列器件新增650V功率MOSFET。這些22款新器件采用8種不同封裝,將10V下的導(dǎo)通電阻擴展到30mΩ~600mΩ,將最高電流等級擴大為6A~105A。
        • 關(guān)鍵字: Vishay  E系列  MOSFET  

        功率MOSFET基礎(chǔ)知識

        • 什么是功率MOSFET?我們都懂得如何利用二極管來實現(xiàn)開關(guān),但是,我們只能對其進行開關(guān)操作,而不能逐漸控制信...
        • 關(guān)鍵字: 功率  MOSFET  基礎(chǔ)知識  

        用IGBT代替MOSFET的可行性分析

        • 一、引言電力電子設(shè)備正朝著高頻、高效、高可靠、高功率因數(shù)和低成本的方向發(fā)展,功率器件則要求高速、...
        • 關(guān)鍵字: IGBT  MOSFET  

        AOS發(fā)布150V MOSFET旗艦產(chǎn)品

        • 日前,集設(shè)計,研發(fā)一體的著名功率半導(dǎo)體及芯片供應(yīng)商萬國半導(dǎo)體(AOS, 納斯達克代碼: AOSL)發(fā)布了旗下最新150V MOSFET器件: AON6250。該器件作為AOS AlphaMOS? (?MOS?)中壓系列旗艦產(chǎn)品,為眾多設(shè)備追求極致效率提供了解決方案。
        • 關(guān)鍵字: AOS  AON6250  MOSFET  

        飛兆四路MOSFET解決方案提高了效率

        • 高分辨率、緊湊有源整流橋應(yīng)用(如網(wǎng)絡(luò)攝像機)中的過熱可能導(dǎo)致圖像質(zhì)量問題。 同樣,熱致噪聲可能影響系統(tǒng)的圖像傳感器,也會降低相機的圖片質(zhì)量。 調(diào)節(jié)熱波動的典型散熱解決方案會增加元件數(shù)量,占用電路板空間,讓這些設(shè)計變得更復(fù)雜。
        • 關(guān)鍵字: 飛兆  FDMQ86530L  MOSFET  

        淺談三極管和MOS管作開關(guān)用時的區(qū)別

        • 我們在做電路設(shè)計中三極管和MOS管做開關(guān)用時候有什么區(qū)別。工作性質(zhì):1.三極管用電流控制,MOS管...
        • 關(guān)鍵字: MOSFET  三極管  

        MOSFET在單通道降壓轉(zhuǎn)換器驅(qū)動投影儀RGB LED的應(yīng)用

        • 本應(yīng)用筆記提供了一個低功耗投影儀RGBLED驅(qū)動器的參考設(shè)計。基于單芯片MAX16821構(gòu)建大電流LED驅(qū)動器,能夠為...
        • 關(guān)鍵字: MOSFET  降壓轉(zhuǎn)換器  RGB  LED  

        Vishay Siliconix 擴展ThunderFET?的電壓范圍

        • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,發(fā)布新款采用熱增強型PowerPAK? SO-8封裝的新款N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiR872ADP,將該公司的ThunderFET?技術(shù)的電壓擴展至150V。
        • 關(guān)鍵字: Vishay  DC/DC  MOSFET  SiR872ADP  

        針對IGBT和MOSFET可再生能源應(yīng)用的35V、單通道柵極驅(qū)動器

        • 針對IGBT和MOSFET可再生能源應(yīng)用的35V、單通道柵極驅(qū)動器,引言對電能轉(zhuǎn)換而言,可再生能源電子細(xì)分市場是一個復(fù)雜且多樣化的競技場。在一些負(fù)載點應(yīng)用中,開關(guān)型功率轉(zhuǎn)換器通常為非隔離式,功率水平相當(dāng)?shù)?200 W),并且常常會把電
        • 關(guān)鍵字: IGBT  MOSFET  柵極驅(qū)動器  

        繼2012年表現(xiàn)黯淡之后 中國功率MOSFET市場將恢復(fù)生機

        •   在綠色能源和節(jié)能計劃的帶動下,加之出口回升,預(yù)計今年中國市場的功率MOSFET出貨量繼2011年大幅下滑之后反彈。這暗示中國以及其它主要全球經(jīng)濟體的形勢好轉(zhuǎn)。功率MOSFET廣泛用于多種電子產(chǎn)品與系統(tǒng)之中。   據(jù)IHS公司的中國研究專題報告,今年中國功率MOSFET產(chǎn)業(yè)的營業(yè)收入預(yù)計為22.5億美元,比2012年的21.8億美元增長3%。去年該市場比2011年的23.7億美元下降8%。   明年增長將更加強勁,預(yù)計營業(yè)收入上升11%,隨后每年將保持穩(wěn)定增長,至少保持到2017年。到2017年,預(yù)
        • 關(guān)鍵字: 消費電子  MOSFET  

        常用功率器件MOSFET的基礎(chǔ)知識介紹

        • 常用功率器件MOSFET的基礎(chǔ)知識介紹,我們都懂得如何利用二極管來實現(xiàn)開關(guān),但是,我們只能對其進行開關(guān)操作,而不能逐漸控制信號流。此外,二極管作為開關(guān)取決于信號流的方向;我們不能對其編程以通過或屏蔽一個
        • 關(guān)鍵字: MOSFET  功率器件  

        基于MOSFET設(shè)計優(yōu)化的功率驅(qū)動電路

        • 摘要:在分析了功率MOSFET其結(jié)構(gòu)特性的基礎(chǔ)上,討論驅(qū)動電路的設(shè)計,從而優(yōu)化MOSFET的驅(qū)動性能,提高設(shè)計的可靠性。
          關(guān)鍵詞:MOSFET;急聚點;損耗

          功率MOSFET具有開關(guān)速度快,導(dǎo)通電阻小等優(yōu)點,因此在開關(guān)
        • 關(guān)鍵字: MOSFET  急聚點  損耗  

        關(guān)于MOSFET驅(qū)動電阻的選擇

        • L為PCB走線電感,根據(jù)他人經(jīng)驗其值為直走線1nH/mm,考慮其他走線因素,取L=Length+10(nH),其中Length單位取mm。Rg...
        • 關(guān)鍵字: MOSFET  驅(qū)動電阻  

        分立器件——一款可替代集成MOSFET驅(qū)動器的卓越解決方案

        • 在電源設(shè)計小貼士#42中,我們討論了MOSFET柵極驅(qū)動電路中使用的發(fā)射器跟蹤器,并且了解到利用小型SOT-23...
        • 關(guān)鍵字: MOSFET  驅(qū)動器  
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        super junction mosfet介紹

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