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        super junction mosfet 文章 最新資訊

        PANJIT最新高效能60V/100V/150V車規級MOSFET系列

        • PANJIT?推出最新的60V、100V?和?150V?車規級?MOSFET,此系列通過先進的溝槽技術設計達到優異性能和效率。此系列?MOSFET?專為汽車和工業電力系統設計,提供優異的品質因數(FOM),顯著降低?RDS(ON)?和電容。這確保了最低的導通和開關損耗,從而提升了整體性能。新系列?MOSFET?提供多種封裝,包括DFN3333-8L、DFN5060-8L、DFN5060B-8L、T
        • 關鍵字: PANJIT  MOSFET  

        MOSFET基本原理、參數及米勒效應全解

        • 1MOSFET基本工作原理1.1小功率MOSFET場效應管(FET)是利用輸入回路的電場效應來控制輸出回路電流的一種半導體器件,由于緊靠半導體中的多數載流子導電,又稱單極型晶體管。場效應管分為結型和絕緣柵兩種,因為絕緣柵型晶體管(MOSFET,下面簡稱MOS管)的柵源間電阻比結型大得多且比結型場效應管溫度穩定性好、集成化時工藝簡單,因而目前普遍采用絕緣柵型晶體管。MOS管分為N溝道和P溝道兩類,每一類又分為增強型和耗盡型兩種,只要柵極-源極電壓uGS為零時漏極電流也為零的管子均屬于增強型管,只要柵極-源極
        • 關鍵字: MOSFET  參數  米勒效應  

        功率MOSFET的工作原理

        • 功率MOSFET的開通和關斷過程原理(1)開通和關斷過程實驗電路(2)MOSFET 的電壓和電流波形:(3)開關過程原理:開通過程[ t0 ~ t4 ]:-- 在 t0 前,MOSFET 工作于截止狀態,t0 時,MOSFET 被驅動開通;-- [t0-t1]區間,MOSFET 的GS 電壓經Vgg 對Cgs充電而上升,在t1時刻,到達維持電壓Vth,MOSFET 開始導電;-- [t1-t2]區間,MOSFET 的DS 電流增加,Millier 電容在該區間內因DS 電容的放電而放電,對GS 電容的充電
        • 關鍵字: 功率  MOSFET  工作原理  

        第三代電力電子半導體SiC MOSFET:聚焦高效驅動方案

        • 第三代電力電子半導體SiC MOSFET:聚焦高效驅動方案相比傳統的硅MOSFET,SiC MOSFET可實現在高壓下的高頻開關。新能源、電動汽車、工業自動化等領域,SiC MOSFET(碳化硅-金屬氧化物半導體場效應晶體管)憑借高頻、高功率、低損耗等卓越性能,SiC MOSFET驅動方案備受關注。然而,SiC MOSFET的獨特器件特性,也意味著它們對柵極驅動電路有特殊的要求。本文將圍繞SiC MOSFET的驅動方案展開了解,其中包括驅動過電流、過電壓保護以及如何為SiC MOSFET選擇合
        • 關鍵字: 第三代半導體  SiC  MOSFET  高效驅動  電力電子  

        Nexperia出色的SiC MOSFET分立器件采用越來越受歡迎的D2PAK-7封裝

        • Nexperia近日宣布,公司現推出業界領先的1200 V碳化硅(SiC) MOSFET,采用D2PAK-7表面貼裝器件(SMD)封裝,有30、40、60和80 mΩ RDSon值可供選擇。這是繼Nexperia于2023年底發布兩款采用3引腳和4引腳TO-247封裝的SiC MOSFET分立器件之后的又一新產品,它將使其SiC MOSFET產品組合迅速擴展到包括RDSon值為17、30、40、60和80 mΩ 且封裝靈活的器件。隨著NSF0xx120D7A0的發布,Nexperia正在滿足市場對采用D2
        • 關鍵字: Nexperia  SiC MOSFET  D2PAK-7  

        用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低側柵極驅動器

        • Littelfuse公司是一家工業技術制造公司,致力于為可持續發展、互聯互通和更安全的世界提供動力。公司隆重宣布推出IX4352NE低側SiC MOSFET和IGBT柵極驅動器。 這款創新的驅動器專門設計用于驅動工業應用中的碳化硅(SiC)MOSFET和高功率絕緣柵雙極晶體管(IGBT)。IX4352NE的主要優勢在于其獨立的9A拉/灌電流輸出,支持量身定制的導通和關斷時序,同時將開關損耗降至最低。 內部負電荷調節器還能提供用戶可選的負柵極驅動偏置,以實現更高的dV/dt抗擾度和更快的關斷速度。 該驅動器
        • 關鍵字: SiC MOSFET  IGBT  低側柵極驅動器  

        欠電壓閉鎖的一種解釋

        • 了解欠壓鎖定(UVLO)如何保護半導體器件和電子系統免受潛在危險操作的影響。當提到電源或電壓驅動要求時,我們經常使用簡化,如“這是一個3.3 V的微控制器”或“這個FET的閾值電壓為4 V”。這些描述沒有考慮到電子設備在一定電壓范圍內工作——3.3 V的微型控制器可以在3.0 V至3.6 V之間的任何電源電壓下正常工作,而具有4 V閾值電壓的MOSFET可能在3.5 V至5 V之間獲得足夠的導電性。但即使是這些基于范圍的規范也可能具有誤導性。當VDD軌降至2.95V時,接受3.0至3.6 V電源電壓的數字
        • 關鍵字: 欠電壓閉鎖,UVLO  MOSFET,IC  

        MOSFET開關損耗簡介

        • 本文將通過解釋MOSFET功耗的重要來源來幫助您優化開關模式調節器和驅動器電路。MOSFET的工作可以分為兩種基本模式:線性和開關。在線性模式中,晶體管的柵極到源極電壓足以使電流流過溝道,但溝道電阻相對較高。跨溝道的電壓和流過溝道的電流都是顯著的,導致晶體管中的高功耗。在開關模式中,柵極到源極電壓足夠低以防止電流流動,或者足夠高以使FET處于“完全增強”狀態,在該狀態下溝道電阻大大降低。在這種狀態下,晶體管就像一個閉合的開關:即使大電流流過通道,功耗也會很低或中等。隨著開關模式操作接近理想情況,功耗變得可
        • 關鍵字: MOSFET  開關損耗  

        一文詳解電池充電器的反向電壓保護

        • 處理電源電壓反轉有幾種眾所周知的方法。最明顯的方法是在電源和負載之間連接一個二極管,但是由于二極管正向電壓的原因,這種做法會產生額外的功耗。雖然該方法很簡潔,但是二極管在便攜式或備份應用中是不起作用的,因為電池在充電時必須吸收電流,而在不充電時則須供應電流。另一種方法是使用圖 1 所示的 MOSFET 電路之一。圖 1:傳統的負載側反向保護對于負載側電路而言,這種方法比使用二極管更好,因為電源 (電池) 電壓增強了 MOSFET,因而產生了更少的壓降和實質上更高的電導。該電路的 NMOS 版本比 PM
        • 關鍵字: MOSFET  電源電壓反轉  

        解析LLC諧振半橋變換器的失效模式

        • 在功率轉換市場中,尤其對于通信/服務器電源應用,不斷提高功率密度和追求更高效率已經成為最具挑戰性的議題。對于功率密度的提高,最普遍方法就是提高開關頻率,以便降低無源器件的尺寸。零電壓開關(ZVS)拓撲因具有極低的開關損耗、較低的器件應力而允許采用高開關頻率以及較小的外形,能夠以正弦方式對能量進行處理,開關器件可實現軟開閉,因此可以大大地降低開關損耗和噪聲。在這些拓撲中,移相ZVS全橋拓撲在中、高功率應用中得到了廣泛采用,因為借助功率MOSFET的等效輸出電容和變壓器的漏感可以使所有的開關工作在ZVS狀態下
        • 關鍵字: LLC  MOSFET  ZVS  變換器  

        談談幾種常用的MOSFET驅動電路

        • 一、MOS管驅動簡述MOSFET因導通內阻低、開關速度快等優點被廣泛應用于開關電源中。MOSFET的驅動常根據電源IC和MOSFET的參數選擇合適的電路。在使用MOSFET設計開關電源時,大部分人都會考慮MOSFET的導通電阻、最大電壓、最大電流。但很多時候也僅僅考慮了這些因素,這樣的電路也許可以正常工作,但并不是一個好的設計方案。更細致的,MOSFET還應考慮本身寄生的參數。對一個確定的MOSFET,其驅動電路,驅動腳輸出的峰值電流,上升速率等,都會影響MOSFET的開關性能。當電源IC與MOS管選定之
        • 關鍵字: MOSFET  

        Microchip推出基于dsPIC? DSC的新型集成電機驅動器將控制器、柵極驅動器和通信整合到單個器件

        • 為了在空間受限的應用中實現高效、實時的嵌入式電機控制系統,Microchip Technology Inc.(微芯科技公司)推出基于dsPIC?數字信號控制器(DSC)的新型集成電機驅動器系列。該系列器件在一個封裝中集成了dsPIC33 數字信號控制器 (DSC)、一個三相MOSFET柵極驅動器和可選LIN 或 CAN FD 收發器。這種集成的一個顯著優勢是減少電機控制系統設計的元件數量,縮小印刷電路板(PCB)尺寸,并降低復雜性。該系列器件的支持資源包括開發板、參考設計、應用筆記和 Micr
        • 關鍵字: dsPIC  數字信號控制器  MOSFET  電機控制  

        Qorvo SiC FET與SiC MOSFET優勢對比

        • 在之前一篇題為《功率電子器件從硅(Si)到碳化硅(SiC)的過渡》的博文中,我們探討了碳化硅(SiC)如何成為功率電子市場一項“顛覆行業生態”的技術。如圖1所示,與硅(Si)材料相比,SiC具有諸多技術優勢,因此我們不難理解為何它已成為電動汽車(EV)、數據中心和太陽能/可再生能源等許多應用領域中備受青睞的首選技術。圖1.硅與碳化硅的對比眾多終端產品制造商紛紛選擇采用SiC技術替代硅基工藝,來開發基于雙極結型晶體管(BJT)、結柵場效應晶體管(JFET)、金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)和絕緣
        • 關鍵字: Qorvo  SiC  MOSFET  

        英飛凌為汽車應用推出業內導通電阻最低的80 V MOSFET OptiMOS? 7

        • 英飛凌科技股份公司近日推出其最新先進功率MOSFET?技術——?OptiMOS? 7 80 V的首款產品IAUCN08S7N013。該產品的特點包括功率密度顯著提高,和采用通用且穩健的高電流SSO8 5 x 6 mm2 SMD封裝。這款OptiMOS? 7 80 V產品非常適合即將推出的?48 V板網應用。它專為滿足高要求汽車應用所需的高性能、高質量和穩健性而打造,包括電動汽車的汽車直流-直流轉換器、48 V電機控制(例如電動助力轉向系統(EPS))、48 V電池開關以及電動
        • 關鍵字: 英飛凌  MOSFET  OptiMOS  

        P溝道功率MOSFETs及其應用領域

        • Littelfuse P溝道功率MOSFETs,雖不及廣泛使用的N溝道MOSFETs出名,在傳統的應用范圍也較有限,然而,隨著低壓(LV)應用需求的增加,P溝道功率MOSFET的應用范圍得到拓展。高端側(HS)應用P溝道的簡易性使其對低壓變換器(<120 V)和非隔離的負載點更具吸引力。因為無需電荷泵或額外的電壓源,高端側(HS)P溝道MOSFET易于驅動,具有設計簡單、節省空間,零件數量少等特點,提升了成本效率。本文通過對N 溝道和P溝道MOSFETs進行比較,介紹Littelfuse P溝道功率
        • 關鍵字: 202404  P溝道功率MOSFET  MOSFET  
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        super junction mosfet介紹

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