安森美（onsemi）宣布已與Qorvo達成協議，以1.15億美元現金收購其碳化硅結型場效應晶體管(SiC JFET) 技術業務及其子公司United Silicon Carbide。該收購將補足安森美廣泛的EliteSiC電源產品組合，使其能應對人工智能（AI）數據中心電源AC-DC段對高能效和高功率密度的需求，還將加速安森美在電動汽車斷路器和固態斷路器(SSCB) 等新興市場的部署。SiC JFET的單位面積導通電阻超低，低于任何其他技術的一半。它們還支持使用硅基晶體管幾十年來常用的現成驅動器。綜合這
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安森美 碳化硅JFET SiC JFET 數據中心電源
據安森美官微消息，近日，安森美（onsemi）宣布已與Qorvo達成協議，以1.15億美元現金收購其碳化硅結型場效應晶體管(SiC JFET) 技術業務及其子公司 United Silicon Carbide。該交易需滿足慣例成交條件，預計將于2025年第一季度完成。據悉，該收購將補足安森美廣泛的EliteSiC電源產品組合，使其能應對人工智能（AI）數據中心電源AC-DC段對高能效和高功率密度的需求，還將加速安森美在電動汽車斷路器和固態斷路器(SSCB)等新興市場的部署。安森美電源方案事業群總裁兼總經理
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安森美 收購 Qorvo SiC JFET
從MOSFET 、二極管到功率模塊，功率半導體產品是我們生活中無數電子設備的核心。從醫療設備和可再生能源基礎設施，到個人電子產品和電動汽車(EV)，它們的性能和可靠性確保了各種設備的持續運行。第三代寬禁帶（WBG）解決方案是半導體技術的前沿，如使用碳化硅（SiC）。與傳統的硅（Si）晶體管相比，SiC的優異物理特性使基于SiC的系統能夠在更小的外形尺寸內顯著減少損耗并加快開關速度。由于SiC在市場上相對較新，一些工程師在尚未確定該技術可靠性水平之前，對從Si到SiC的轉換猶豫不決。但是，等待本身也會帶來風
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WBG SiC 半導體
隨著清潔能源的快速增長，作為光伏系統心臟的太陽能逆變器儼然已經成為能源革命浪潮中的超級賽道。高效的光伏系統，離不開功率器件。全IGBT方案、混合SiC方案和全SiC方案以其在成本、性能、空間、可靠性等方面不同的優勢，均在市場上有廣泛應用。但隨著SiC成本下降，全SiC方案被越來越多的廠家采用。未來10年，光伏逆變器市場狂飆目前，風能和太陽能的總發電量已經超過了水力發電。預計到2028年，清潔能源的比重將達到42%。中國市場增長勢頭強勁，已成為全球清潔能源增長的主要驅動力。光伏逆變器承載著將太陽能光伏組件產
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功率模塊 SiC 逆變器
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用PowerPAK? 10x12封裝的新型40 V TrenchFET? 四代n溝道功率MOSFET---SiJK140E，該器件擁有優異的導通電阻，能夠為工業應用提供更高的效率和功率密度。與相同占位面積的競品器件相比，Vishay Siliconix SiJK140E的導通電阻降低了32 %，同時比采用TO-263-7L封裝的40 V MOSFET的導通電阻低58 %。日前發布的這款器件在10 V電壓下的典型導通電阻低至0
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Vishay MOSFET
意法半導體推出了標準閾值電壓 (VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶體管，新系列產品兼備強化版溝槽柵技術的優勢和出色的抗噪能力，適用于非邏輯電平控制的應用場景。工業級晶體管STL300N4F8和車規晶體管STL305N4F8AG的額定漏極電流高于300A，最大導通電阻 RDS(on)為1mΩ，可在高功率應用中實現出色的能效。動態性能得到了改進，65nC(典型值)的總柵極電荷和低電容(Ciss, Crss)確保在高開關頻率下電能損耗降至最低。MOSFET體二極管的低正向電壓和快速
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意法半導體 STripFET F8 MOSFET
柵極氧化層可靠性是SiC器件應用的一個關注點。本節介紹SiC柵極絕緣層加工工藝，重點介紹其與Si的不同之處。SiC可以通過與Si類似的熱氧化過程，在晶圓表面形成優質的SiO2絕緣膜。這在制造SiC器件方面具有非常大的優勢。在平面柵SiC MOSFET中，這種熱氧化形成的SiO2通常被用作柵極絕緣膜，并已實現產品化。然而，SiC的熱氧化與Si的熱氧化存在一些差異，在將熱氧化工藝應用于SiC器件時必須考慮到這一點。首先，與Si相比，SiC的熱氧化速率低。因此，該過程需要很長時間，而且還需要高溫。在SiC的熱氧
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三菱電機 SiC 柵極絕緣層
今天教你4個步驟選擇一個合適的MOSFET。第一步：選用N溝道還是P溝道 為設計選擇正確器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道MOSFET。在典型的功率應用中，當一個MOSFET接地，而負載連接到干線電壓上時，該MOSFET就構成了低壓側開關。在低壓側開關中，應采用N溝道MOSFET，這是出于對關閉或導通器件所需電壓的考慮。當MOSFET連接到總線及負載接地時，就要用高壓側開關。通常會在這個拓撲中采用P溝道MOSFET，這也是出于對電壓驅動的考慮?！∫x擇適合應用的器件，必須確定驅動器件所需的電壓，以及
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MOSFET 選型
為了滿足AI服務器和電信領域的安全熱插拔操作要求，MOSFET必須具有穩健的線性工作模式和較低的?RDS(on)?。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出的新型OptiMOS? 5 Linear FET 2解決了這一難題，這款MOSFET專為實現溝槽?MOSFET的RDS(on)與經典平面?MOSFET?的寬安全工作區（SOA）之間的理想平衡而設計。該半導體器件通過限制高浪涌電流防止對負載造成損害，并因其低RDS(on
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英飛凌 OptiMOS MOSFET 熱插拔
隨著汽車產業加速朝向智慧化以及互聯系統的發展，強茂推出最新車規級60 V N通道MOSFETs系列，采用屏蔽柵槽溝技術(SGT)來支持汽車電力裝置。此系列產品具備卓越的性能指標(FOM)、超低導通電阻(RDS(ON))以及最小化的電容，能有效提升汽車電子系統的性能與能源效率，降低導通與切換的損耗，提供更卓越的電氣性能。強茂的60 V N通道SGT-MOSFETs提供多種緊密且高效的封裝選擇，包括DFN3333-8L、DFN5060-8L、DFN5060B-8L、TO-252AA以及TO-220AB-L，為
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強茂 SGT MOSFET 車用電子
離子注入是SiC器件制造的重要工藝之一。通過離子注入，可以實現對n型區域和p型區域導電性控制。本文簡要介紹離子注入工藝及其注意事項。SiC的雜質原子擴散系數非常小，因此無法利用熱擴散工藝制造施主和受主等摻雜原子的器件結構（形成pn結）。因此，SiC器件的制造采用了基于離子注入工藝的摻雜技術：在SiC中進行離子注入時，對于n型區域通常使用氮（N）或磷（P），這是容易低電阻化的施主元素，而對于p型區域則通常使用鋁（Al）作為受主元素。另外，用于Al離子注入的原料通常是固體，要穩定地進行高濃度的Al離子注入，需
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三菱電機 SiC
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用PowerPAK? SO-8S（QFN 6x5）封裝的全新150 V TrenchFET? Gen V N溝道功率MOSFET---SiRS5700DP，旨在提高通信、工業和計算應用領域的效率和功率密度。與上一代采用PowerPAK SO-8封裝的器件相比，Vishay Siliconix SiRS5700DP的總導通電阻降低了68.3 %，導通電阻和柵極電荷乘積（功率轉換應用中MOSFET的關鍵品質因數（FOM）降低了1
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Vishay MOSFET
SiC 功率器件市場規模逐年擴大，并將保持高速增長。
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SiC 功率器件
意法半導體的STGAP3S系列碳化硅 (SiC) 和 IGBT功率開關柵極驅動器集成了意法半導體最新的穩健的電隔離技術、優化的去飽和保護功能和靈活的米勒鉗位架構。STGAP3S 在柵極驅動通道與低壓控制和接口電路之間采用增強型電容隔離，瞬態隔離電壓 (VIOTM)耐壓9.6kV，共模瞬態抗擾度 (CMTI)達到 200V/ns。通過采用這種的先進的電隔離技術，STGAP3S提高了空調、工廠自動化、家電等工業電機驅動裝置的可靠性。新驅動器還適合電源和能源應用，包括充電站、儲能系統、功率因數校正 (PFC)、
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意法半導體 電隔離柵極驅動器 IGBT SiC MOSFET
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，最新開發出一款用于車載牽引逆變器[1]的裸片[2]1200 V碳化硅（SiC）MOSFET“X5M007E120”，其創新的結構可實現低導通電阻和高可靠性。X5M007E120現已開始提供測試樣品，供客戶評估。當典型SiC MOSFET的體二極管在反向傳導操作[3]期間雙極通電時，其可靠性會因導通電阻增加而降低。東芝SiC MOSFET通過在MOSFET中嵌入SBD（肖特基勢壘二極管）以弱化體二極管工作的器件結構來緩解上述問題，但如若將SBD布置在芯片上
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東芝 低導通電阻 牽引逆變器 SiC MOSFET 驅動逆變器
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