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愛爾蘭科學(xué)家開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款非節(jié)型晶體管
- 愛爾蘭丁鐸爾國(guó)家研究院的科學(xué)家最近宣稱他們成功制出了業(yè)內(nèi)首款非節(jié)型晶體管，并稱此項(xiàng)發(fā)明對(duì)10nm級(jí)別制程意義重大，可大大簡(jiǎn)化晶體管的制造工藝復(fù)雜 程度。這種晶體管采用類似Finfet的結(jié)構(gòu)，將晶體管的柵極制成婚戒型的結(jié)構(gòu)，并在柵極中心制出硅質(zhì)溝道，溝道的尺寸僅有數(shù)十個(gè)原子的直徑加起來那么大。 該研發(fā)團(tuán)隊(duì)是由Jean-Pierre Colinge教授領(lǐng)導(dǎo)的，這種晶體管的亞閥值斜率接近理想狀態(tài)，而且還具備漏電電流小，門限電壓低以及耐溫性好的優(yōu)點(diǎn)，而且還可以兼容于CMOS工藝。 硅溝道中的電
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格科微CMOS 圖像傳感器產(chǎn)品于中芯國(guó)際出貨達(dá)10萬片
- 作為中國(guó)大陸第一大CMOS圖像傳感器設(shè)計(jì)公司的格科微電子于日前宣布該公司在其晶圓伙伴中芯國(guó)際集成電路制造有限公司量產(chǎn)的CMOS圖像傳感器8吋晶圓產(chǎn)品出貨達(dá)到10萬片的新里程碑。 牋牋作為大陸地區(qū)首家涉足CMOS圖像傳感器領(lǐng)域并取得成功的專業(yè)CMOS圖像傳感器設(shè)計(jì)公司，格科微擁有創(chuàng)新的CMOS圖像傳感器核心技術(shù)。格科微的CMOS圖像傳感器產(chǎn)品具有尺寸小，功耗低，成本低，產(chǎn)品圖像品質(zhì)好等特點(diǎn)。除此之外具有色彩校正，噪音消除，圖像大小調(diào)整等功能。其晶圓伙伴中芯國(guó)際生產(chǎn)格科微圖像傳感器產(chǎn)品采用的0.15
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再度出手 三星擬再新增CMOS 8寸廠
- 三星電子(Samsung Electronics)再度出手，繼2009年下半首度大幅擴(kuò)充產(chǎn)能外，2010年將首度啟動(dòng)擴(kuò)充產(chǎn)能機(jī)制，預(yù)計(jì)將再新增1座8寸晶圓廠，全數(shù)用于投產(chǎn)CMOS影像傳感器。 據(jù)了解，三星原本已在韓國(guó)共有2座8寸廠、1座12寸廠用于投產(chǎn)CMOS影像傳感器，2座8寸晶圓廠月產(chǎn)能共4萬~4.5萬片，12寸廠月產(chǎn)能2萬~2.5 萬片，2009年下半為滿足客戶龐大需求，已先行在2座8寸晶圓廠內(nèi)每月再新增1.2萬~2萬片產(chǎn)能，不過即便如此，似乎仍無法滿足客戶需求。 據(jù)了解，新的8寸晶
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超低壓差CMOS線性穩(wěn)壓器的設(shè)計(jì)
- 隨著筆記本電腦、手機(jī)、PDA 等移動(dòng)設(shè)備的普及,對(duì)應(yīng)各種電池電源使用的集成電路的開發(fā)越來越活躍,高性能、低成本、超小型封裝產(chǎn)品正在加速形成商品化。LDO(低壓差)型線性穩(wěn)壓器由于具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、成本低廉、低噪聲、
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巧焊場(chǎng)效應(yīng)管和CMOS集成電路
- 焊接絕緣柵（或雙柵）場(chǎng)效應(yīng)管以及CMOS集成塊時(shí)，因其輸入阻抗很高、極間電容小，少量的靜電荷即會(huì)感應(yīng)靜電高壓，導(dǎo)致器件擊穿損壞。筆者通過長(zhǎng)期實(shí)踐摸索出下述焊接方法，取得令人滿意的效果。1.焊絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。
- 關(guān)鍵字： CMOS 焊 場(chǎng)效應(yīng)管 集成電路
威盛發(fā)布首款USB3.0集群控制器
- 威盛電子在1月4日推出VIA VL810 SuperSpeed集群控制器，這是USB3.0技術(shù)時(shí)代業(yè)內(nèi)首款支持更高傳輸速度的整合單芯片解決方案。 USB3.0(即超速USB)的最大數(shù)據(jù)傳輸速度可達(dá)5Gbps，是現(xiàn)有USB2.0設(shè)備傳輸速度的10倍;此外，該技術(shù)還能提高外部設(shè)備與主機(jī)控制器之間的互動(dòng)功能，包括能耗管理上的重要改進(jìn)。 VIA VL810由威盛集團(tuán)全資子公司VIA Labs研發(fā)，它實(shí)現(xiàn)在一個(gè)USB接口上連接多個(gè)設(shè)備從而擴(kuò)展了計(jì)算機(jī)的USB性能。一個(gè)輸出接口及四個(gè)輸入接口不僅支持高
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IBM展示基于極薄SOI襯底的22nm技術(shù)
- IBM研究人員開發(fā)出了基于極薄SOI(ETSOI)的全耗盡CMOS技術(shù)，面向22nm及以下節(jié)點(diǎn)。 在IEDM會(huì)議上，IBM Albany研發(fā)中心的Kangguo Cheng稱該FD-ETSOI工藝已獲得了25nm柵長(zhǎng)，非常適合于低功耗應(yīng)用。除了場(chǎng)效應(yīng)管，IBM的工程師還在極薄SOI襯底上制成了電感、電容等用于制造SOC的器件。 該ETSOI技術(shù)包含了幾項(xiàng)工藝創(chuàng)新，包括源漏摻雜外延淀積(無需離子注入)，以及提高的源漏架構(gòu)。 該技術(shù)部分依賴于近期SOI晶圓供應(yīng)商推出了硅膜厚度為6nm的S
- 關(guān)鍵字： IBM CMOS 22nm SOC
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