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供電處理器 凌力爾特 MOSFET 均流控制器 二極管
- ?? 凌力爾特公司?(Linear?Technology?Corporation)?推出高效率副邊?MOSFET?驅動器?LT8311，該器件在隔離式同步正向轉換器中無需原邊控制就可工作。LT8311?采用獨特的預測模式，通過在副邊檢測信號以控制同步整流，無需信號變壓器實現原邊至副邊通信。這種模式減少了組件數量和解決方案尺寸。 LT8311?在?3.7V?至?30V
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凌力爾 MOSFET LT8311
- 由中國最大本土分銷企業世強攜手業界領先的高性能混合信號IC供應商Silicon?Labs舉辦的創新技術巡回研討會將于近期全面啟動。本次研討會主要針對在職研發工程師，Silicon?Labs的資深技術專家將親臨現場，帶來處于創新最前沿的設計技術。 本次會議主題涉及： 1、應用全球最節能的ARM?Cortex?MCU實現超低功耗設計(最低待機功耗900nA) 2、100MIPS?的8位MCU創新設計與應用 3、使用任意頻點可編程時鐘縮短產品上市時間
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世強 SI ARM MCU GPS
- 日前，Vishay?Intertechnology,?Inc.宣布，推出采用超小尺寸的熱增強PowerPAK??SC-70封裝的新款雙片N溝道TrenchFET?功率MOSFET。Vishay?Siliconix?SiA936EDJ可在便攜式電子產品中節省空間并提高電源效率，在4.5V和2.5V柵極驅動下具有20?V(12V?VGS和8V?VGS)器件中最低的導通電阻，占位面積為2mm?x?2mm。
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Vishay MOSFET SiA936EDJ
- 德州儀器?(TI)?宣布推出?14?款采用?TO-220?及?SON?封裝的功率?MOSFET，其支持?40V?至?100V?輸入電壓，進一步壯大了?TI?普及型?NexFET?產品陣營。高效率?NexFET?包括?40V、60V、80V?以及?100V?N?通道器
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TI TO-220 MOSFET NexFET
- 凌力爾特公司?(Linear?Technology?Corporation)?推出能接受?76V?輸入的高效率降壓型轉換器?LTC3637，該器件可提供高達?1A?的連續輸出電流。它在?4V?至?76V?的輸入電壓范圍內工作，非常適用于電信、工業、航空電子和汽車應用。LTC3637?運用可編程峰值電流模式設計，在很寬的輸出電流范圍內優化效率。該器件提供高達&nbs
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Linear LTC3637 MOSFET
- 日前，Vishay?Intertechnology,?Inc.宣布，推出用于電機驅動、太陽能逆變器、新能源和焊接設備，以及其他高工作電壓應用的新款IGBT和MOSFET驅動器VOW3120-X017T，擴充其光電子產品組合。VOW3120-X017T的最短電氣間隙和外爬電距離為10mm。該器件不僅具有長隔離距離，還具有1414V的VIORM和8000V的VIOTM高隔離電壓，非常適合在高工作電壓下運轉的應用及污染程度較重的環境。 除了具有優異的隔離能力，使用可靠和久經考驗的光電子
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Vishay IGBT MOSFET VOW3120
- 3月24日，IT&通信巨頭NEC公司宣布以1億美元收購中國萬向集團旗下A123Systems公司的蓄電系統集成部門(A123?Energy?Solutions)，此次世界頂級蓄電SI和ICT的強強聯合，目標瞄準的是全球能源市場。憑借此舉，NEC將成為世界領先的蓄電系統供應商，并有助于其實現全球智慧能源戰略。 據悉，NEC集團將于今年6月成立?“NEC能源解決方案”新公司，通過整合A123的蓄電系統集成和NEC公司世界領先的信息通信技術?(ICT)，以及
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NEC 萬向 A123Systems SI ICT
- 英飛凌科技股份公司日前推出200V和250V?OptiMOSTM?FD，進一步完善了中壓產品組合。作為針對體二極管硬式整流進行優化的最新一代功率MOSFET，這些器件更加可靠耐用，具有更低的過沖電壓和更低的反向恢復損耗，有助于實現最可靠的系統，特別是在硬開關應用中，如通訊系統、工業電源、D類音頻放大器、電機控制(適用于48–110V系統)和直流/交流逆變器等。 提高可靠性，同時節省成本 OptiMOS?FD家族具備針對最高性能標準而優化的反向恢復電荷(Qrr)。相比標
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英飛凌 OptiMOS MOSFET
- 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出反激式副邊同步整流器驅動器 LT8309，該器件采用 MOSFET 取代了輸出二極管，無需使用散熱器就可允許高達 10A 的輸出電流。
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凌力爾特 LT8309 MOSFET
- 電子技術發展至今，主要在拼什么？功耗、成本、快速性成為很多公司對外宣傳的殺手锏，那么在這個速食的時代，下一代晶體管技術又將何去何從呢？
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MOSFET 晶體管
- 2014 年 2 月 19 日，凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出大功率兩相單輸出同步升壓型 DC/DC 控制器 LTC3784，該器件采用高效率 N 溝道 MOSFET 取代了整流升壓二極管。
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凌力爾特 LTC3784 DC/DC MOSFET
- 在了解了三極管/MOSFET的原理之后，就可以涉及具體的電路來放大信號了。但是剛一拿起鉛筆和稿紙就發現一個非常現實的問題那就是三極管或者是MOSFET的放大倍數都不是那么穩定的，例如說三極管的電流增益Beta就是受到工藝影響非常大的一個指標，如果我們要對信號進行非常精準的放大僅僅依靠三極管的原生放大倍數肯定是不行的。
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三極管 MOSFET 放大器 電路 增益
- 2014年2月13日，許多終端應用 – 比如IP電話、電機控制電路、有源鉗位開關和負載開關 – 需要以更小的尺寸提供更高的能效，以便滿足制造商的要求。飛兆半導體開發了FDMC86xxxP系列P溝道PowerTrench? MOSFET，在尺寸減小的同時可實現卓越的開關速度和功耗性能。
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飛兆 MOSFET
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