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        si mosfet 文章 最新資訊

        2005年4月21日,瑞薩推出業(yè)界最小、最薄的高頻功率MOSFET

        •   2005年4月21日,瑞薩宣布推出包括5 W輸出RQA0002在內(nèi)的三種高頻功率MOSFET,用于手持式無線電設備及類似設備中的傳輸功率放大,通過使用新工藝和新封裝,實現(xiàn)了高效率、并大大減小了封裝的尺寸。
        • 關鍵字: 瑞薩  MOSFET  Renesas  

        新型IGBT/MOSFET驅動模塊SKHI22A/B

        一種專為IGBT和MOSFET設計的驅動器

        • 介紹了一種專為IGBT和功率MOSFET設計的電力電子驅動器件――SCALE集成驅動器的性能特點和內(nèi)部結構 。
        • 關鍵字: 驅動器  設計  MOSFET  IGBT  專為  

        基于SG3525A的太陽能逆變電源設計

        • 摘    要:本文主要介紹了SG3525A在研制太陽能逆變電源中的應用,其脈沖波形隨設計線路的不同而產(chǎn)生不同的結果,從而解決了隨機燒毀功率管的技術問題。關鍵詞:SG3525A;逆變電源;MOSFET-90N10引言本文涉及的是光明工程中一個課題的具體技術問題。該課題的基本原理是逆變器由直流蓄電池供電,用太陽能為蓄電池充電,然后逆變電源輸出220V、50Hz的交流電供用戶使用。在研制過程中,有時隨機出現(xiàn)燒毀大功率管的現(xiàn)象,本文對這一現(xiàn)象給出了解決方案。圖1  SG35
        • 關鍵字: MOSFET-90N10  SG3525A  逆變電源  模擬IC  電源  

        2004年6月7日,瑞薩推出HAT1125H P-通道功率MOSFET

        •   2004年6月7日,瑞薩發(fā)布HAT1125H–30V擊穿電壓P溝道功率MOSFET。與瑞薩先前的產(chǎn)品相比,HAT1125H的導通電阻大約減小了25%,是業(yè)界導通電阻最低的工業(yè)標準SOP-8尺寸小型表面安裝封裝產(chǎn)品。由于其損耗很低,將有助于設計小型、節(jié)省空間的系統(tǒng)。
        • 關鍵字: 瑞薩  MOSFET  Renesas  
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        si mosfet介紹

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