si mosfet 文章 最新資訊
面向工業環境的大功率無線電力傳輸技術
- 1.?? 簡介隨著無線電力傳輸技術在消費類電子產品中的日益普及，工業和醫療行業也把關注焦點轉移至這項技術及其固有優勢。在如 WLAN 和藍牙（Bluetooth）等各項無線技術的推動下，通信接口日益向無線化發展，無線電力傳輸技術也成為一種相應的選擇。采用一些全新的方案，不僅能帶來明顯的技術優勢，還能為新的工業設計開辟更多可能性。這項技術提供了許多新的概念，特別是在需要對抗腐蝕性清潔劑、嚴重污染和高機械應力等惡劣環境的工業領域，例如 ATEX、醫藥、建筑機械等。比如，它可以替代昂貴且易損
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仿真看世界之SiC MOSFET單管的并聯均流特性
- 開篇前言關于SiC MOSFET的并聯問題，英飛凌已陸續推出了很多技術資料，幫助大家更好的理解與應用。此文章將借助器件SPICE模型與Simetrix仿真環境，分析SiC MOSFET單管在并聯條件下的均流特性。特別提醒仿真無法替代實驗，僅供參考。1、選取仿真研究對象SiC MOSFETIMZ120R045M1(1200V/45mΩ)、TO247-4pin、兩并聯Driver IC1EDI40I12AF、單通道、磁隔離、驅動電流±4A(min)2、仿真電路Setup如圖1所示，基于雙脈沖的思路，搭建雙管并
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羅姆即將亮相2021 PCIM Asia深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會
- 全球知名半導體制造商羅姆將于2021年9月9日~11日參加在深圳國際會展中心舉辦的PCIM Asia 2021深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會(展位號:11號館B39),屆時將展示面向工業設備和汽車領域的、以世界先進的SiC(碳化硅)元器件為核心的產品及電源解決方案。同時,羅姆工程師還將在現場舉辦的“SiC/GaN功率器件技術與應用分析大會”以及“電動交通論壇”等同期論壇上發表演講,分享羅姆最新的碳化硅技術成果。展位效果圖羅姆擁有世界先進的SiC為核心的功率元器件技術,以及充分發揮其性能的控制IC和
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了解熱阻在系統層級的影響
- 在電阻方面，電流流動的原理可以比作熱從熱物體流向冷物體時遇到的阻力。每種材料及其接口都有一個熱阻，可以用這些數字來計算從源頭帶走熱的速率。在整合式裝置中，半導體接面是產生熱的來源，允許接面超過其最大操作溫度將導致嚴重故障。整合式裝置制造商雖使用一些技術來設計保護措施，以避免發生過熱關機等情況，但不可避免的是仍會造成損壞。一個更好的解決方案，就是在設計上選擇抑制 (或至少限制) 會造成接面溫度超過其操作最大值的情況。由于無法直接強制冷卻接面溫度，透過傳導來進行散熱是確保不會超過溫度的唯一方法。工程師需要在這
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碳化硅邁入新時代 ST 25年研發突破技術挑戰
- 1996年，ST開始與卡塔尼亞大學合作研發碳化硅(SiC)，今天，SiC正在徹底改變電動汽車。為了慶祝ST研發SiC 25周年，我們決定探討 SiC在當今半導體行業中所扮演的角色，ST的碳化硅研發是如何取得成功的，以及未來發展方向。Exawatt的一項研究指出，到2030年， 70%的乘用車將采用SiC MOSFET。這項技術也正在改變其他市場，例如，太陽能逆變器、儲能系統、服務器電源、充電站等。因此，了解SiC過去25年的發展歷程是極其重要的，對今天和明天的工程師大有裨益。碳化硅：半導體行業如何克服技術
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Maxim Integrated發布來自Trinamic子品牌的3相MOSFET柵極驅動器，可最大程度地延長電池壽命并將元件數量減半
- TRINAMIC Motion Control GmbH & Co. KG (Maxim Integrated Products, Inc子公司)近日宣布推出完全集成的TMC6140-LA ?3相MOSFET柵極驅動器，有效簡化無刷直流(DC)電機驅動設計，并最大程度地延長電池壽命。TMC6140-LA 3相MOSFET柵極驅動器為每相集成了低邊檢流放大器，構成完備的電機驅動方案；與同類產品相比元件數量減半，且電源效率提高30%，大幅簡化設計。TMC6140-LA針對較寬的電壓范圍進行性
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簡易直流電子負載的設計與實現*
- 隨著電力電子技術的飛速發展，傳統負載測試電源性能的方法在高科技產品的生產中逐漸暴露出許多的不足之處。為了解決采用傳統負載測試方法存在功耗較大、效率與調節精度低、體積大等問題，設計并制作一款適合隨頻率、時間變化而發生改變的被測電源的簡潔、實用、方便的直流電子負載。系統主要由STC12C5A60S2單片機主控、增強型N溝道場效應管IRF3205功率管、矩陣按鍵、D/A和A/D電路等部分組成。實現了在一定電壓與電流范圍內恒壓恒流任意可調，并通過LCD12864液晶顯示屏顯示被測電源的電壓值、電流值及相應的設定值
- 關鍵字： STC12C5A60S2單片機 恒流恒壓 IRF3205 負載調整率 202105 MOSFET
瑞能半導體舉行CEO媒體溝通會
- 近日，瑞能半導體CEO Markus Mosen（以下簡稱Markus）的媒體溝通會在上海靜安洲際酒店舉行，瑞能半導體全球市場總監Brian Xie同時出席本次媒體溝通會。溝通會上首先回顧了瑞能半導體自2015年從恩智浦分離出后，從全新的品牌晉升為如今的知名國際品牌的過程中，在六年內保持的相當規模的成長，并取得的驕人成績；結合瑞能半導體近期推出的第六代碳化硅二極管、碳化硅MOSFET、IGBT、TVS/ESD等多種系列產品，明確了在碳化硅器件行業內的領先地位；在分享后續發展策略的同時，強調了瑞能半導體未來
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