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        s7 mosfet 文章 最新資訊

        Diodes 推出全新OR'ing 控制器

        •   Diodes 公司推出有源OR'ing控制器芯片ZXGD3102,使共享式電源系統(tǒng)的設計人員能以高效MOSFET取代散熱阻流二極管,從而在對正常運行時間要求苛刻的電信、服務器及大型機應用中,實現(xiàn)更低溫度的運行、更少的維護和更可靠的操作。   Diodes 亞太區(qū)技術市場總監(jiān)梁后權表示,傳統(tǒng)上用于電源故障保護的肖特基阻流二極管的熱耗散很高,這與其很強的0. 5V 正向壓降有直接關系。如果用典型正向電壓低于100mV的導通電阻較低的MOSFET替代二極管,功耗將明顯減少。ZXGD3102正是為了控
        • 關鍵字: Diodes  MOSFET  

        飛兆半導體的柵極驅(qū)動器提高汽車的燃油效率

        •   飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 為設計人員提供一系列能夠提升汽車應用功耗、噪聲免疫能力和瞬態(tài)電壓性能的柵極驅(qū)動器FAN7080x系列,讓工程師開發(fā)出在所有操作條件下更準確、精密的燃油噴射控制系統(tǒng),從而提高燃油效率。這些柵極驅(qū)動器在高邊和橋驅(qū)動器應用中驅(qū)動 MOSFET 和 IGBT,如直接燃油噴射系統(tǒng)和電機控制。與市場上同類器件相比,它們的靜態(tài)功耗減少一半以上 (靜態(tài)電流100µA對比240µA),容許設計人員優(yōu)化系統(tǒng)和擴大工作范圍。這些產(chǎn)品
        • 關鍵字: Fairchild  柵極驅(qū)動器  MOSFET  IGBT  

        電源管理半導體產(chǎn)業(yè)在中國大有盼頭

        • 盡管一直高于全球的發(fā)展速度,中國電源管理半導體市場在經(jīng)歷了多年的快速增長之后,正不斷放緩步伐,特別是在去年被金融海嘯波及之后。但是,隨著國家政策刺激拉動整機設備制造保持增長,今后兩年中國的市場需求整體也將繼續(xù)較快增長,預計增長幅度將與金融海嘯最肆虐的2008年持平甚至略高。
        • 關鍵字: 電源管理  節(jié)能  IGBT  MOSFET  數(shù)字電源  穩(wěn)壓器  200903  

        高幅度任意波形/函數(shù)發(fā)生器簡化汽車、半導體、科學和工業(yè)應用中的測量

        • 許多電子設計應用要求的激勵源幅度超出了當前市場上大多數(shù)任意波形/函數(shù)發(fā)生器的能力,包括電源半導體應用,如汽車電子系統(tǒng)和開關電源中廣泛使用的MOSFETs和IGBTs,氣相色譜和質(zhì)譜檢測器使用的放大器,以及科學和工業(yè)應用中使用的其它設備。本文描述了使用外部放大器生成高幅度信號的傳統(tǒng)方法,然后討論了典型應用,說明了使用集成高幅度階段的新型任意波形/ 函數(shù)發(fā)生器的各種優(yōu)勢。
        • 關鍵字: 泰克  MOSFET  IGBT  200903  

        選擇自鉗位MOSFET提高電動工具系統(tǒng)可靠性

        • 電動工具由于其設計輕巧、動力強勁、使用方便等優(yōu)點,在各種場合得到了廣泛的應用。電動工具一般采用直流有刷電機配合電子無級調(diào)速電路實現(xiàn),具有起動靈敏并可正反調(diào)速等功能,如手電鉆、電動起子等。無級調(diào)速電路一
        • 關鍵字: 系統(tǒng)  可靠性  電動工具  提高  MOSFET  選擇  

        STY112N65M5:ST太陽能電池功率調(diào)節(jié)器用MOSFET

        •         產(chǎn)品特性: 耐壓650V STY112N65M5:最大導通電阻為0.022Ω(漏極電流為93A) STW77N65M5:最大導通電阻0.038Ω(漏極電流為66A) 采用了改進Super Junction結構         應用范圍: 太陽能電池功率調(diào)節(jié)器
        • 關鍵字: 意法  MOSFET  IGBT  

        意法半導體宣布功率MOSFET芯片性能方面取得巨大突破

        • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡家園
        • 關鍵字: MDmeshV  MOSFET  RDS  

        關于DSP應用電源系統(tǒng)的低功耗設計研究

        • 自從美國TI公司推出通用可編程DSP芯片以來,DSP技術得到了突飛猛進的發(fā)展。DSP電源設計是DSP應用系統(tǒng)設計的一...
        • 關鍵字: DSP  CPU  電源芯片  MOSFET  

        安森美半導體推出業(yè)界首款集成型便攜電子產(chǎn)品雙向過壓保護及外部附件過流保護器件

        • ??????? NCP370保護便攜設備免受浪涌損傷,并控制反向電流來保護便攜設備附件,不需使用外部元件。 ? ??????? 2009年2月3日 - 全球領先的高性能、高能效硅解決方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ONNN)推出業(yè)界首款集成型雙向器件,為手機、MP3/4、個人數(shù)字助理(PDA)和GPS系統(tǒng)提
        • 關鍵字: 安森美  OVP  OCP  MOSFET  

        基于工業(yè)以太網(wǎng)的袋式除塵器控制系統(tǒng)設計

        業(yè)內(nèi)最低導通電阻MOSFET

        •   Vishay Intertechnology, Inc. 宣布推出新型 20-V 和 30-V p-通道 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Si7633DP和Si7135DP。這次推出的器件采用 SO-8 封裝,具有 ±20-V 柵源極電壓以及業(yè)內(nèi)最低的導通電阻。   現(xiàn)有的同類 SO-8 封裝器件額定電壓下導通電阻僅低至 24 mΩ ,而Vishay的 Si7633DP 具有 3.3 mΩ (在 10 V
        • 關鍵字: MOSFET   

        Diodes自保護式MOSFET節(jié)省85%的占板空間

        •   Diodes公司擴展其IntelliFET產(chǎn)品系列,推出全球體積最小的完全自保護式低壓側(cè)MOSFET。該ZXMS6004FF元件采用2.3 mm x 2.8mm扁平SOT23F封裝,與正在使用的7.3 mm x 6.7mm SOT223封裝的元件相比節(jié)省了85%的占板空間。   雖然SOT23F的扁平封裝體積小巧,但其卓越的散熱性能可使ZXMS6004FF提供三倍于同類較大封裝元件的封裝功率密度。這款最新IntelliFET的導通電阻僅為500m?,能夠使功耗保持在絕對極小值。     ZXMS
        • 關鍵字: Diodes  MOSFET  ZXMS6004FF  

        IR推出具有高封裝電流額定值的全新溝道型HEXFET功率MOSFET系列

        • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡家園
        • 關鍵字: InternationalRectifier  HEXFET  MOSFET  

        基于漏極導通區(qū)特性理解MOSFET開關過程

        • 本文先介紹了基于功率MOSFET的柵極電荷特性的開關過程;然后介紹了一種更直觀明析的理解功率MOSFET開關過程的方法:基于功率MOSFET的導通區(qū)特性的開關過程,并詳細闡述了其開關過程。
        • 關鍵字: MOSFET  漏極  導通  開關過程    

        表面貼裝功率MOSFET封裝的演進

        • 功率MOSFET不僅是一種普遍使用的電子元件,而且也代表著一個眾所周知的事實――硅技術的創(chuàng)新已經(jīng)與滿足市場需求的表面貼裝封裝的創(chuàng)新形影不離。

        • 關鍵字: MOSFET  表面貼裝  封裝    
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