一、簡介MOS管，是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導體場效應晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。其中，G是柵極，S是源極，D是漏極。二、nmos和pmos的原理與區別NMOSNMOS英文全稱為N-Metal-Oxide-Semiconductor。 意思為N型金屬-氧化物-半導體，而擁有這種結構的晶體管我們稱之為NMOS晶體管。MOS晶體管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MO
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MOSFET NMOS PMOS
～產品陣容新增具有低噪聲、高速開關和超短反向恢復時間特點的5款新產品～全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發出采用SOT-223-3小型封裝（6.50mm×7.00mm×1.66mm）的600V耐壓Super Junction MOSFET*1“R6004END4?/ R6003KND4?/ R6006KND4?/ R6002JND4?/ R6003JND4”，新產品非常適用于照明用小型電源、電泵和電機等應用。?近年來，隨著照明用的小型電源
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ROHM Super Junction MOSFET
數據中心和計算應用對電源的需求日益增長，需要提高電源的效率并設計緊湊的電源。英飛凌科技股份公司順應系統層面的發展趨勢，推出業界首款15 V溝槽功率MOSFET ——全新OptiMOS? 7系列。OptiMOS? 7 15 V系列于服務器、計算、數據中心和人工智能應用上提升DC-DC轉換率。該半導體產品組合包含最新的PQFN 3.3 x 3.3 mm2源極底置（Source-Down）封裝，標準門級和門級居中引腳排列形式均提供底部冷卻型和雙面冷卻型以供選擇；此外，該產品組合還包含穩定可靠的超小型的PQFN
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英飛凌 溝槽功率 MOSFET
奈梅亨，2023年11月30日：基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發布兩款采用3引腳TO-247封裝的1200 V分立器件，RDS(on)分別為40 mΩ 和80 mΩ。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是Nexperia SiC MOSFET產品組合中首批發布的產品，隨后Nexperia將持續擴大產品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。這次推出的兩款器件可用性高，可滿足電動
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Nexperia SiC MOSFET 工業電源開關
Nexperia近日宣布與三菱電機公司建立戰略合作伙伴關系，共同開發碳化硅(SiC) MOSFET分立產品。Nexperia和三菱電機都是各自行業領域的領軍企業，雙方聯手開發，將促進SiC寬禁帶半導體的能效和性能提升至新高度，同時滿足對高效分立式功率半導體快速增長的需求。三菱電機的功率半導體產品有助于客戶在汽車、家用電器、工業設備和牽引電機等眾多領域實現大幅節能。該公司提供的高性能SiC模塊產品性能可靠，在業界享有盛譽。日本備受贊譽的高速新干線列車采用了這些模塊，并以出色的效率、安全性和可靠性聞名遐邇。N
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Nexperia 三菱電機 SiC MOSFET
分立 MOSFET 數據表中重要的規格之一是漏源通態電阻，縮寫為 R DS (on)。這個 R DS (on)想法看起來非常簡單：當 FET 處于截止狀態時，源極和漏極之間的電阻非常高，以至于我們假設電流為零。當 FET 的柵源電壓 (V GS ) 超過閾值電壓 (V TH ) 時，它處于“導通狀態”，漏極和源極通過電阻等于 R DS(on) 的溝道連接。然而，如果您熟悉 MOSFET 的實際電氣行為，您應該很容易認識到該模型與事實不符。首先，FET 并不真正具有“導通狀態”。當未處于截止狀態時（我們在此
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MOSFET 通態漏源電阻
中國上海，2023年11月7日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出“SSM10N961L”低導通電阻30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設備以及電池組保護。該產品于今日開始支持批量出貨。 截至目前，東芝的N溝道共漏極MOSFET產品線重點聚焦于12V產品，主要用于智能手機鋰離子電池組的保護。30V產品的發布為電壓高于12V的應用提供了更廣泛的選擇，如USB充電設備電源線路的負載開關以及筆記本電腦與平板電腦的鋰離子電池組保護。&nbs
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東芝 N溝道共漏極 MOSFET
先之科半導體科技（東莞）有限公司于2018年成立，旗下子公司先科電子于1991年就開始專注于半導體分立器件研發及銷售，在半導體行業闖蕩了32年。作為一家成熟的半導體企業，先之科擁有占地60畝的生產基地，超過1400名員工，保證了其1.8億只的日產能，讓其旗下產品可以出現在任何需要它們的地方。今天展會之上，先之科為我們帶來了豐富的產品，包括各類二極管、整流管、保護器件、三極管以及MOSFET，橫跨汽車電子、光學逆變器和通信電源等領域。而本次所展出的AD-SiC MOSFET令人印象深刻，其采用了分立式封裝，
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先之科 半導體分立器件 二極管 整流管 三極管 MOSFET
要點：●? ?第一代高通S7和S7 Pro平臺利用無與倫比的終端側AI水平打造先進、個性化且快速響應的音頻體驗?！? ?全新平臺的計算性能是前代平臺的6倍，AI性能是前代平臺的近100倍，并以低功耗帶來全新層級的超旗艦性能?！? ?高通S7 Pro是首款支持高通擴展個人局域網（XPAN）技術和超低功耗Wi-Fi連接的音頻平臺，能夠在家庭、樓宇或園區擴展音頻傳輸距離，并支持高達192kHz的無損音樂品質。在近日的驍龍峰會上，高通技術國際有限公司（Q
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高通S7 S7 Pro 音頻平臺
本應用筆記涵蓋了計算柵極驅動光耦合器 IC 的柵極驅動器功率和熱耗散的主題。柵極驅動光耦合器用于驅動、開啟和關閉功率半導體開關、MOSFET/IGBT。柵極驅動功率計算可分為三部分；驅動器內部電路中消耗或損失的功率、發送至功率半導體開關(IGBT/MOSFET)的功率以及驅動器IC和功率半導體開關之間的外部組件處（例如外部柵極電阻器上）損失的功率。在以下示例中，我們將討論使用 Avago ACPL-332J（2.5nApeak 智能柵極驅動器）的 IGBT 柵極驅動器設計。本應用筆記涵蓋了計算柵極驅動光耦
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IGBT MOSFET
功率MOSFET是便攜式設備中大功率開關電源的主要組成部分。此外，對于散熱量極低的筆記本電腦來說，這些MOSFET是最難確定的元件。本文給出了計算MOSFET功耗以及確定其工作溫度的步驟，并通過多相、同步整流、降壓型CPU核電源中一個30A單相的分布計算示例，詳細說明了上述概念。也許，今天的便攜式電源設計者所面臨的最嚴峻挑戰就是為當今的高性能CPU提供電源。CPU的電源電流最近每兩年就翻一番。事實上，今天的便攜式核電源電流需求會高達60A或更多，電壓介于0.9V和1.75V之間。但是，盡管電流需求在穩步增
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MOSFET 開關電源
不斷增長的消費需求、持續提高的環保意識/環境法規約束，以及越來越豐富的可選方案，都在推動著人們選用電動汽車 (EV)，令電動汽車日益普及。高盛近期的一項研究顯示，到 2023 年，電動汽車銷量將占全球汽車銷量的 10%；到 2030 年，預計將增長至 30%；到 2035 年，電動汽車銷量將有可能占全球汽車銷量的一半。然而，“里程焦慮”，也就是擔心充一次電后行駛里程不夠長，則是影響電動汽車普及的主要障礙之一?？朔@一問題的關鍵是在不顯著增加成本的情況下延長車輛行駛里程。本文闡述了如何在主驅逆變器中使用碳化
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電動汽車 逆變器 SiC MOSFET
對于高壓開關電源應用，碳化硅或 SiC MOSFET 與傳統硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優勢。開關超過 1,000 V的高壓電源軌以數百 kHz 運行并非易事，即使是最好的超結硅 MOSFET 也難以勝任。IGBT 很常用，但由于其存在“拖尾電流”且關斷緩慢，因此僅限用于較低的工作頻率。因此，硅 MOSFET 更適合低壓、高頻操作，而 IGBT 更適合高壓、大電流、低頻應用。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開關性能優勢。它是電壓控制的場效應器件，能夠像 IGBT 一樣進行高壓
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SiC MOSFET IGBT WBG
假如有人將24V電源連接到您的12V電路上，將發生什么？倘若電源線和接地線因疏忽而反接，電路還能安然無恙嗎？您的應用電路是否工作于那種輸入電源會瞬變至非常高壓或甚至低于地電位的嚴酷環境中?即使此類事件的發生概率很低，但只要出現任何一種就將徹底損壞電路板。為了隔離負電源電壓，設計人員慣常的做法是布設一個與電源相串聯的功率二極管或 P 溝道 MOSFET。然而——◇ 二極管既占用寶貴的板級空間，又會在高負載電流下消耗大量的功率?！?P 溝道 MOSFET 的功耗雖然低于串聯二極管，但 MOSFET 以及所需的
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MOSFET 二極管 LTC4365
Littelfuse擁有廣泛的產品系列、具有競爭力的產品性能和先進的技術，在高壓（HV）分立Si MOSFET市場具有領導地位，特別是在1700V以上產品，包括電壓阻斷能力高達4700V的器件，能夠支持客戶開發需求嚴苛的應用。Littelfuse擁有廣泛的產品系列、具有競爭力的產品性能和先進的技術，在高壓（HV）分立Si MOSFET市場具有領導地位，特別是在1700V以上產品，包括電壓阻斷能力高達4700V的器件，能夠支持客戶開發需求嚴苛的應用。Littelfuse提供廣泛的分立HV硅(Si) MOSF
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Littelfuse MOSFET
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