s7 mosfet 文章 進入s7 mosfet技術社區
同時實現業內出色低噪聲特性和超快反向恢復時間的600V耐壓Super Junction MOSFET“R60xxRNx系列”
- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）在其600V耐壓Super Junction MOSFET*1 “PrestoMOS?”產品陣容中，又新增“R60xxRNx系列”3款新產品，非常適用于冰箱和換氣扇等對低噪聲特性要求很高的小型電機驅動。近年來，全球電力供應日趨緊張，這就要求設備要更加節能。據了解，電機所需的電力占全球電力總需求的50%左右。因此，在電機驅動中擔負功率轉換工作的逆變電路，越來越多地開始采用高效率MOSFET。另一方面，針對使用MOSFET時所產生的噪聲，主要通過添加部件和改變
- 關鍵字： 超快反向恢復時間 Super Junction MOSFET MOSFET
ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功應用于Apex Microtechnology的工業設備功率模塊系列
- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SiC SBD”）已被成功應用于大功率模擬模塊制造商Apex Microtechnology的功率模塊系列產品。該電源模塊系列包括驅動器模塊“SA310”（非常適用于高耐壓三相直流電機驅動）和半橋模塊“SA110”“SA111”（非常適用于眾多高電壓應用）兩種產品。ROHM的1,200V SiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的
- 關鍵字： ROHM SiC MOSFET SiC SBD Apex 工業設備功率模塊
碳化硅MOSFET加速應用于光伏領域 增量市場需求望爆發
- 據報道，近年來，光伏逆變器制造商采用SiC MOSFET的速度越來越快。最近，又有兩家廠商在逆變器中采用了SiC MOSFET。1月30日，德國KATEK集團宣布，其Steca太陽能逆變器coolcept fleX系列已采用納微半導體的GeneSiC系列功率半導體，以提高效率，同時減少尺寸、重量和成本。GeneSiC功率器件是基于溝槽輔助平面柵極SiC MOSFET技術，可以在高溫和高速下運行，壽命最多可延長3倍，適用于大功率和快速上市的應用。1月13日，美國制造商Brek Electronics開發了采
- 關鍵字： SiC MOSFET
功率器件動態參數測試系統選型避坑指南
- _____“?動態特性是功率器件的重要特性，在器件研發、系統應用和學術研究等各個環節都扮演著非常重要的角色。故對功率器件動態參數進行測試是相關工作的必備一環，主要采用雙脈沖測試進行。”按照被測器件的封裝類型，功率器件動態參數測試系統分為針對分立器件和功率模塊兩大類。長期以來，針對功率模塊的測試系統占據絕大部分市場份額，針對分立器件的測試系統需求較少，選擇也很局限。隨著我國功率器件國產化進程加快，功率器件廠商和系統應用企業也越來越重視功率器件動態參數測試，特別是針對分立器件的測試系統提出了越來越多
- 關鍵字： MOSFET
s7 mosfet介紹
您好，目前還沒有人創建詞條s7 mosfet!
歡迎您創建該詞條，闡述對s7 mosfet的理解，并與今后在此搜索s7 mosfet的朋友們分享。 創建詞條
歡迎您創建該詞條，闡述對s7 mosfet的理解，并與今后在此搜索s7 mosfet的朋友們分享。 創建詞條
s7 mosfet相關帖子
s7 mosfet資料下載
s7 mosfet專欄文章
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473