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        s7 mosfet 文章 最新資訊

        飛兆單一P溝道具有小體積和低導(dǎo)通阻抗

        • 飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 現(xiàn)為手機(jī)和其它超便攜應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員提供一款P溝道PowerTrench MOSFET器件,滿足其對具有出色散熱性能的小尺寸電池或負(fù)載開關(guān)解決方案的需求
        • 關(guān)鍵字: 飛兆  MOSFET  

        電壓高(120VP-P)的功率MOSFET放大器電路及工作原

        • 電路的能功要使放大后的波形與輸入波形相似,放大電路必須采用對稱電路,而且有源元件的特性要一致。本電路就是波形失真小的放大電路,各級均為推挽對稱電路,可以獲得上升邊和下降邊時(shí)間常數(shù)基本相等的脈沖響應(yīng)以及
        • 關(guān)鍵字: MOSFET  VP-P  120  電壓    

        高頻特性得到改善的功率MOSFET放大器電路及其工作

        • 電路的功能用于大功率的MOSFET功率放大器,其轉(zhuǎn)換速度比單級晶體管快,適合在高頻條件下工作。本電路使用了決定轉(zhuǎn)換速度的激勵(lì)器,而且還在輸出級采用了MOSFET,使高頻特性得以改善。輸出功率取決于電源電壓和負(fù)載。
        • 關(guān)鍵字: MOSFET  高頻特性  放大器電路  工作原理    

        現(xiàn)場總線技術(shù)在油庫監(jiān)控中的應(yīng)用

        • 隨著計(jì)算機(jī)技術(shù)在工業(yè)控制領(lǐng)域應(yīng)用范圍的日益拓展,以及分布式控制產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)化的要求和趨勢,使近幾年現(xiàn)場總...
        • 關(guān)鍵字: 現(xiàn)場總線技術(shù)  油庫監(jiān)控  S7-200PLC  

        集成MOSFET驅(qū)動(dòng)器的全橋移相控制器-LM5046(五)

        • 摘要:新推出的全橋移相控制器LM5046,全橋變換器的全部功能,LM5046組成的全橋DC/DC基本電路,內(nèi)部等效電路。而其具備28個(gè)PIN腳功能,文中一一有分解說明。
          關(guān)鍵詞:全橋移相控制器LM5046;28個(gè)PIN腳功能(上接第1
        • 關(guān)鍵字: 控制器  -LM5046  全橋移  驅(qū)動(dòng)器  MOSFET  集成  

        MOSFET的UIS和雪崩能量解析

        • 在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中,通常包括單脈沖雪崩能量EAS,雪崩電流IAR,重復(fù)脈沖雪崩能量EAR等參數(shù),而許多電子工程師在設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)的過程中,很少考慮到這些參數(shù)與電源系統(tǒng)的應(yīng)用有什么樣的聯(lián)系,如何在實(shí)際的應(yīng)用中評
        • 關(guān)鍵字: 解析  能量  雪崩  UIS  MOSFET  

        功率MOSFET設(shè)計(jì)考量

        • 用作功率開關(guān)的MOSFET
          隨著數(shù)十年來器件設(shè)計(jì)的不斷優(yōu)化,功率MOSFET晶體管帶來了新的電路拓?fù)浜碗娫葱实奶嵘9β势骷碾娏黩?qū)動(dòng)變?yōu)殡妷候?qū)動(dòng),加快了這些產(chǎn)品的市場滲透速度。上世紀(jì)80年代,平面柵極功率MOSFET
        • 關(guān)鍵字: 考量  設(shè)計(jì)  MOSFET  功率  

        基于西門子S7-200的電動(dòng)窗控制系統(tǒng)

        • 摘要:采用S7-200 PLC建立PPI網(wǎng)絡(luò),并使用組態(tài)軟件組態(tài)王與PPI網(wǎng)絡(luò)中的主站進(jìn)行通信,實(shí)現(xiàn)對某大樓電動(dòng)窗進(jìn)行監(jiān)控的PLC分布式系統(tǒng)。從控制要求、硬件系統(tǒng)結(jié)構(gòu)、編程和組態(tài)等方面對系統(tǒng)進(jìn)行了詳細(xì)介紹。實(shí)踐表明:通過
        • 關(guān)鍵字: 控制系統(tǒng)  電動(dòng)  S7-200  西門子  基于  

        MOSFET高速驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)

        • 隨著電源高效、高功率密度的要求,電源的頻率由原來的工頻,到幾十千赫茲,再到如今幾百千赫茲甚至兆赫茲。電源頻率的要求越來越高。如何選擇合適的MOSFET,如何有效地驅(qū)動(dòng)高速M(fèi)OSFET,提升電源效率是廣大工程師面臨的問題。本文將探討MOSFET的選型以及高速驅(qū)動(dòng)線路設(shè)計(jì)的注意事項(xiàng)。
        • 關(guān)鍵字: MOSFET  電容  

        包含熱模型的新型MOSFET PSPICE模型

        • 1. 引言  散熱器在計(jì)算時(shí)會(huì)出現(xiàn)誤差,一般說來主要原因是很難精確地預(yù)先知道功率損耗,每只器件的參數(shù)參差不 ...
        • 關(guān)鍵字: 熱模型  MOSFET  PSPICE  

        飛兆和英飛凌進(jìn)一步擴(kuò)展功率MOSFET兼容協(xié)議

        • 全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布,兩家公司進(jìn)一步擴(kuò)展封裝兼容合作伙伴關(guān)系,擴(kuò)展協(xié)議將包括5x6mm非對稱結(jié)構(gòu)功率級雙MOSFET封裝。
        • 關(guān)鍵字: 飛兆半導(dǎo)體  英飛凌科技  MOSFET  

        飛兆與英飛凌進(jìn)一步擴(kuò)展功率MOSFET兼容協(xié)議

        •   飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布,兩家公司進(jìn)一步擴(kuò)展封裝兼容合作伙伴關(guān)系,擴(kuò)展協(xié)議將包括5x6mm非對稱結(jié)構(gòu)功率級雙MOSFET封裝。   飛兆半導(dǎo)體PowerTrench非對稱結(jié)構(gòu)功率級雙MOSFET模塊是飛兆半導(dǎo)體全面廣泛的先進(jìn)MOSFET產(chǎn)品系列的組成部分,為電源設(shè)計(jì)人員提供了適用于關(guān)鍵任務(wù)的高效信息處理設(shè)計(jì)的全面解決方案。   這一兼容協(xié)議是兩家公司在2010年達(dá)成的協(xié)議的擴(kuò)展,旨在為客戶保證供
        • 關(guān)鍵字: 飛兆  MOSFET  

        開關(guān)電源MOSFET漏源極電壓電磁干擾的仿真分析

        • 1引言開關(guān)電源是目前用途非常廣泛的一種電源設(shè)備,然而隨著開關(guān)頻率以及開關(guān)速度的不斷提高,產(chǎn)生的電磁干擾越來越大,由于市場準(zhǔn)入制度的實(shí)施,電磁干擾研究已引起了足夠的重視。干擾源是電磁干擾的三要素之一,是電
        • 關(guān)鍵字: 仿真  分析  干擾  電磁  MOSFET  電壓  開關(guān)電源  

        集成MOSFET驅(qū)動(dòng)器的全橋移相控制器-LM5046(三)

        • 摘要:新推出的全橋移相控制器LM51346,全橋變換器的全部功能,LM5046組成的全橋DC/DC基本電路,內(nèi)部等效電路。而其具備28個(gè)PIN腳功能,文中一一有分解說明。
          關(guān)鍵詞:全橋移相控制器LM5046:28個(gè)PIN腳功能(上接第
        • 關(guān)鍵字: 控制器  -LM5046  全橋移  驅(qū)動(dòng)器  MOSFET  集成  

        大功率電源中MOSFET功率計(jì)算

        • 計(jì)算功率耗散  要確定一個(gè)MOSFET場效應(yīng)管是否適于某一特定應(yīng)用,需要對其功率耗散進(jìn)行計(jì)算。耗散主要包括 ...
        • 關(guān)鍵字: 大功率  電源中  MOSFET  功率  
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