關注高能效電源轉換的高壓集成電路業界領導者Power Integrations公司今日發布InnoSwitch™-EP系列恒壓/恒流離線反激式開關IC。新的IC產品系列采用集成式725 V MOSFET、同步整流和精確的次級反饋檢測控制，因此可提供出色的多路輸出交叉調整率，同時提供全面的輸入電壓保護和即時動態響應，并且空載功耗低于10 mW。InnoSwitch-EP IC還采用Power Integrations創新的FluxLink™技術，可設計出無需光耦的高效率、高精度和
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Power Integrations MOSFET
意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)的槽柵結構低壓MOSFETs STripFET™ F7系列將新增60V的產品線，可協助電信、服務器和臺式PC機的電源以及工業電源和太陽能微逆變器的直流-直流(DC/DC)電源轉換器達到嚴格的能效標準要求，最大限度提升電源功率密度。
STripFET F7 MOSFET不僅大幅提高了晶體管的導通能效和開關性能，還簡化了通道間的槽柵結構(trench-gate structure)，實現極低的導通電阻、電容和柵電荷量，并取得
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意法半導體 MOSFET
DIY工具，比如無線電鉆和電鋸必須方便使用且經久耐用。因此，其所用的電子元件必須緊湊、堅固。英飛凌科技股份公司擴展StrongIRFET™ Power MOSFET產品系列，推出同時滿足緊湊和耐用要求的解決方案。新推出的邏輯電平 StrongIRFET™ 器件可以直接由單片機驅動，節省空間和降低成本。此外，StrongIRFET™十分堅固耐用，幫助延長電子產品的使用壽命。
經過實驗證明StrongIRFET系列器件能夠最大限度提高電動工具的能效。這次邏輯電
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英飛凌 MOSFET
e絡盟日前宣布新增多款來自全球半導體和分立器件領先供應商威世2015 Super 12系列的創新型無源元件和半導體產品，其中包括電容、電阻及MOSFET，適用于醫療、消費電子、可替代能源、工業、電信、計算及汽車電子等各種應用領域。
e絡盟大中華區區域銷售總監朱偉弟表示：“e絡盟擁有來自全球領先供應商的豐富產品系列，可充分滿足廣大用戶對最新技術的需求，幫助他們進行產品開發與制造。此次新增的幾款威世Super 12系列創新型產品均為全球最佳產品。用戶可通過e絡盟升級版網站，更加快捷地查看
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e絡盟 MOSFET
全球領先的高性能功率半導體解決方案供應商Fairchild (NASDAQ: FCS) 推出了其行業領先的中壓MOSFET產品，采用了8x8 Dual Cool封裝。這款新型Dual Cool 88 MOSFET為電源轉換工程師替換體積大的D2-PAK封裝提供了卓越的產品，在尺寸縮減了一半的同時，提供了更高功率密度和更佳效率，且通過在封裝上下表面同時流動的氣流提高了散熱性能。
Castle Creations, Inc首席執行官Patrick Castillo說：“在我們為每一位
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Fairchild MOSFET
三星對于智能手機屏幕變革的探索似乎從未停止腳步，就當我們還在感嘆現如今三星S6Edge雙側弧面屏的視覺沖擊，以及它極其出色的色準時，三星手機屏幕的最新一項黑科技又被曝光了。
據外媒報道，根據美國專利商標局信息顯示，三星在2014年第三季度申請了一項3D全息顯示專利技術，如今正式公布。不過這里提到的全息顯示并非是你在影視作品或者其他高科技產品中看到的那樣。
根據專利文件顯示，該移動設備所使用的都是普通的機身和屏幕。一個導光模組將置于屏幕
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三星 S7
SiC-MOSFET技術新突破。羅姆半導體(ROHM)近日研發出采用溝槽(Trench)結構的SiC-MOSFET，并已建立完整量產機制。新推出的溝槽式SiC-MOSFET和平面型SiC-MOSFET相比，可降低50%導通電阻，大幅降低太陽能發電用功率調節器和工業用變流器等設備的功率損耗。
羅姆半導體功率元件制造部部長伊野和英(左2)表示，新發布的溝槽式SiC-MOSFET采用該公司獨有的雙溝槽結構專利，目前已開始量產。
羅姆半導體應用設計支援部課長蘇建榮表示，相對于Si-IGBT，SiC
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ROHM SiC-MOSFET
據韓媒 etnews 10 日報道指出，三星正在研發中的Galaxy S7代號為“Jungfrau”，有兩個版本，一個搭載高通驍龍芯片，另一款采用三星Exynos芯片。如果沒猜錯的話，三星或將與高通重歸于好，韓國國內發售搭載三星Exynons的S7，海外市場則采用高通驍龍芯片版本。
雖然三星今年初發布的Galaxy S6和Galaxy S6 edge均采用Exynos 7420處理器，14nm工藝，先進的制造工藝讓 CPU 與 GPU 的主頻分別相對于 Exynos 54
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三星 S7
導讀：本文主要介紹的是高頻開關電源的原理，感興趣的盆友們快來學習一下吧~~~很漲姿勢的哦~~~
1.高頻開關電源原理--簡介
高頻開關電源，其英文名稱為Switching Mode Power Supply，又稱交換式電源、開關變換器以及開關型整流器SMR，它是一種高頻化電能轉換裝置。其功能是將一個位準的電壓，透過不同形式的架構轉換為用戶端所需求的電壓或電流。它主要是通過MOSFET或IGBT的高頻工作，開關頻率一般控制在50-100kHz范圍內，實現高效率和小型化。
2.高頻開關電源原
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開關電源 MOSFET 高頻開關電源原理
SiC Mosfet具有耐高壓、低功耗、高速開關的特質，極大地提升了太陽能逆變器的電源轉換效率，拉長新能源汽車的可跑里程，應用在高頻轉換器上，為重型電機、工業設備帶來高效率、大功率、高頻率優勢。。。。。。。據調查公司Yole developmet統計，SiC Mosfet現有市場容量為9000萬美元，估計在2013-2020年SiC Mosfet市場將每年增長39%。由此可預見，SiC即將成為半導體行業的新寵!
SiC Mosfet對比Si IGBT主要有以下優勢：
i. 低導通電阻RDS
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SiC Mosfet DC-DC
全球知名半導體制造商ROHM近日于世界首家開發出采用溝槽結構的SiC-MOSFET，并已建立起了完備的量產體制。與已經在量產中的平面型SiC-MOSFET相比，同一芯片尺寸的導通電阻可降低50%，這將大幅降低太陽能發電用功率調節器和工業設備用電源、工業用逆變器等所有相關設備的功率損耗。
另外，此次開發的SiC-MOSFET計劃將推出功率模塊及分立封裝產品，目前已建立起了完備的功率模塊產品的量產體制。前期工序的生產基地為ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福岡縣)，后期工序的生產基地為
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ROHM SiC-MOSFET
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出互補式雙 MOSFET組合DMC1028UFDB，旨在提升直流-直流轉換器的功率密度。新產品把N通道MOSFET及P通道MOSFET集成到單一DFN2020封裝。器件設計針對負載點轉換器，為專用集成電路提供從3.3V下降到1V的核心電壓。目標應用包括以太網絡控制器、路由器、網絡接口控制器、交換機、數字用戶線路適配器、以及服務器和機頂盒等設備的處理器。
降壓轉換器可利用獨立的脈沖寬度調制控制器及外部MOSFET來提升設計靈活性，
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Diodes MOSFET
宜普電源轉換公司宣布推出3個采用具有更寬間距連接的布局的氮化鎵場效應晶體管(eGaN FET)。這些產品采用具有1 mm間距的焊球，進一步擴大EPC的“寬間距”器件系列。更寬闊的間距可在器件的底部放置額外及較大的通孔，使得器件以超小型尺寸(2.6 mm x 4.6 mm)實現大電流承載能力。
與具有相同的電阻的先進硅功率MOSFET器件相比，這些全新晶體管的尺寸小很多及其開關性能高出很多倍，是高頻DC/DC轉換器、DC/DC及AC/DC轉換器的同步整流應用、馬達驅動器及D
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宜普電源 MOSFET
本系統的電路板已經設計成功并投入實際測試，系統電路板如圖7.1所示。
對鋰電池組管理系統的測試主要包括電壓采集、溫度采集、電流檢測、過充和過放電保護功能、短路保護功能、溫度保護功能等內容。
7.1電壓采集功能測試
測試電壓采集功能時，首先按圖7.2所示方法連接系統。
將鋰電池組、保護器和上位機連接好后，用4位半高精度萬用表對所有單體鋰電池的電壓(用電池組模擬器產生)進行測量，并觀察上位機應用程序顯示的數據，進行比較和記錄。
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鋰離子電池 MOSFET
引言
長期以來，電動機作為機械能和電能的轉換裝置，在各個領域得到了廣泛應用。無刷直流電動機綜合了直流電動機和交流電動機的優點，既具有交流電動機結構簡單、運行可靠、維護方便的特點，又具有直流電動機運行效率高、調速性能好的優點。正是這些優點使得無刷直流電動機在當今國民經濟的很多領域得到了廣泛的應用。無刷直流電動機采用電子換向裝置，根據位置傳感器檢測到的位置信號，通過DSP(數字信號處理器)產生一定的邏輯控制PWM波形來驅動電動機，實現無刷直流電動機的平穩運轉。近年來，隨著工業的快速發展，對產品性能的
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DSP MOSFET
s7 mosfet介紹
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