- 鎂光34nm制程企業級MLC/SLC NAND閃存芯片已經進入試樣階段，MLC部分的存儲密度可達32Gb，寫入壽命達3萬次，是普通MLC產品的6倍;SLC部分存儲密度為16Gb，寫入壽命同樣為3萬次，是普通SLC產品的3倍.
鎂光這次開發成功的34nm MLC/SLC閃存芯片支持ONFI2.1接口規范(Open NAND Flash Interface)，數據傳輸率最高可達200MB/S，而且可以采用閃存封裝內部集成多片閃存芯片的封裝方案。
鎂光表示，明年初這兩種閃存芯片便可正式量產。
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鎂光 NAND 閃存芯片 34nm
- 研究機構集邦科技(DRAM eXchange)表示，10月上旬主流MLC NAND Flash合約均價上漲約8%~10%，主要原因是多數供貨商已接獲部份電子系統廠客戶10月到11月的旺季長單，同時近期記憶卡客戶的旺季備貨需求，因此NAND Flash市場供貨吃緊，在賣方主導市場下，10月上旬NAND Flash合約價持續地上揚。
16Gb MLC NAND Flash合約價走勢圖
集邦科技指出，在10月到11月，多數NANDFlash供貨商份仍將優先供貨給電子系
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NAND 存儲 閃存
- 2009年NAND Flash缺貨缺翻天，三星電子(Samsung Electronics)在享有最大獲利之余，不但對飽受缺貨之苦的存儲器模塊廠袖手旁觀，還要推出「SAMSUNG」自有品牌記憶卡產品來搶食客戶飯碗，到底葫蘆里是賣什么藥?業界相當好奇!而原本應該站在反對立場的大客戶創見，這次卻成為三星自有品牌記憶卡的代理商，究竟整起故事的來龍去脈為何?連同業都有霧里看花之感，只能說三星2009年真的是新人事、新作風，每一步都讓業界跌破眼鏡!
與三星做生意的客戶都知道，2009年不論在DRAM或是N
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三星 NAND Flash
- NAND Flash產業受到蘋果(Apple)備貨和智能型手機內嵌存儲器的帶動，32Gb容量的MLC型NAND Flash均價大漲至7.5美元，存儲器模塊廠9月營收在NAND Flash和DRAM芯片價格雙雙大漲的帶動下，預計可再次創下新高，同時第3季獲利也將雨露均沾;群聯9月營收續創歷史新高，創見也受惠歐洲市場買氣回籠，9月預計可達新臺幣30億~35億元水平，威剛更在PC OEM的DRAM模塊訂單涌入下，9月營收預估可達35億~40億元，勁永9月營收也將維持高檔不墜。
NAND Flash現貨
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Apple NAND 智能手機
- 三星電子(Samsung Electronics)2009年隨著新經營團隊上任，營運策略出現不少重大轉變，將影響存儲器產業生態，三星日前決定全面停止對臺銷售DRAM芯片，一律只銷售DRAM模塊。存儲器廠表示，三星策略明顯側重OEM市場，減少與現貨客戶合作，就連NAND Flash芯片供貨策略，亦同樣以消費性電子大廠為優先，尤其近期PC廠對于DRAM模塊需求強勁，三星供應臺灣DRAM模塊數量大減，市場日前甚至喊出 1條DDR2模塊40美元天價。
存儲器業者指出，三星2009年在全球供貨策略出現許多
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Samsung DRAM NAND
- NAND Flash產業受到蘋果(Apple)備貨和智能型手機內嵌存儲器的帶動，32Gb容量的MLC型NAND Flash均價大漲至7.5美元，存儲器模塊廠9月營收在NAND Flash和DRAM芯片價格雙雙大漲的帶動下，預計可再次創下新高，同時第3季獲利也將雨露均沾;群聯9月營收續創歷史新高，創見也受惠歐洲市場買氣回籠，9月預計可達新臺幣30億~35億元水平，威剛更在PC OEM的DRAM模塊訂單涌入下，9月營收預估可達35億~40億元，勁永9月營收也將維持高檔不墜。
NAND Flash現貨
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Apple NAND 智能手機
- 據iSuppli 公司，雖然2009 年面向筆記本電腦的固態硬盤(SSD)銷售因為內存價格飛漲而受挫，但企業市場對彌補上述領域的疲軟表現是綽綽有余，從而推動今年整體SSD 市場的營業收入將增長六倍。
第二季度NAND 閃存的成本大幅上升，引起SSD 價格跳漲，使其與硬盤驅動器(HDD)相比缺乏競爭力，并影響其在筆記本電腦中的普及。 NAND 閃存是SSD 中的關鍵部分，約占其價值的90%。然而，對于尋求擴展功能和降低整體功耗的企業數據中心來說，SSD 仍然是一個具有吸引力的選擇。
由于企業
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NAND SSD PC
- 分析師指出，資本支出創下歷史新低使IC市場供應收緊，價格可能隨之上漲，但可能會發生其他不可預料的結果。
IC Insights總裁Bill McClean稱，今年半導體資本支出在銷售額中所占的比例降至12%，創歷史新低。芯片商在經歷了嚴重衰退后，對資本投入依然比較謹慎。
“我們還不知道資本支出比例12%意味著什么。”McClean說道，“我們從來沒有遇到過這種情況。”
資本支出比例在2008年為16%，2004年至2007年均在20%至
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NAND DRAM
- 據業者透露，東芝及其閃存合作伙伴SanDisk計劃要在明年下半年開始采用20nm級別制程來量產NAND閃存芯片。另外兩家公司在日本本州四日市(Yokkaichi)合資興建的閃存芯片廠將逐月增大閃存芯片的產能，直至達到20萬片的產能水平。
東芝公司最近已經開始32nm制程3bpc(每存儲單元3bit數據)閃存芯片的量產，按原先的計劃，合資的四日市芯片廠32nm制程芯片的產量應在今年底前達到總產量的50%左右，不過按目前的產能規劃來看，實際的量產實施時間看來已經會有所拖延。
另一方面，對手In
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SanDisk 20nm NAND 閃存芯片
- 蘋果意外在9月初向NAND Flash大廠下訂單，導致NAND Flash供給大幅吃緊，預計在2009年11月底之前，缺貨情況仍無解。現在三星電子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)、美光(Micron)產能都被蘋果包下來，另外存儲器模塊龍頭大廠金士頓(Kingston)則是包下英特爾70%的NAND Flash產能，雙方成為長期合作伙伴，顯示未來全球4大NAND Flash廠能釋出的產能相當少，缺貨潮將延燒到11月。
存儲器業者表示，這次NAND Flash缺貨潮相
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英特爾 NAND 存儲器
- 2009年面臨DDR2和DDR3規格交替之際，各廠紛紛壓寶氣勢如虹的DDR3氣勢，DDR2飽受冷板凳之苦許久，然現在風水輪流轉，DDR2受到供給減少、PC大廠又回頭青睞之故，市場意外出現缺貨聲浪，DRAM廠和模塊廠雙雙感嘆誤判形勢，導致現在DDR2庫存過低，南亞科副總白培霖即指出，DDR2在10月之后，缺貨問題將更明顯浮上臺面，且由合約價蔓延至現貨價，屆時1Gb DDR2現貨價格將看到2美元。
近期市場傳言，三星電子(Samsung Electronics)有意將1Gb DDR2價格壓在1.7美
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Samsung DRAM NAND
- 手機搭載記憶體分為2種形式，第1是外接快閃記憶卡，第2是內建NAND Flash記憶體。隨著消費者對于利用手機下載多媒體影音、照片、游戲等需求日益提升，對于記憶體容量的需求更是越來越高。
過去只流行數位相片的時代，NAND Flash容量可能只要1GB或2GB即相當夠用，但數位影片的風氣盛行后，這樣的低容量產品已無法滿足消費者的需求，因此除了外接快閃記憶卡之外，內建NAND Flash記憶體的風潮已開始發酵，從最早內建4GB和8GB容量記憶體，現在內建記憶體容量已提升至16GB和32GB。
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Samung NAND 智能手機
- 市場研究公司IC Insights表示，今年1月到7月NAND flash銷售額和出貨量分別增長98%和67%，其他產品的業績數據也十分健康，這說明產業已調頭撞向V形反彈的上升階段。
從今年1月到7月，IC市場銷售額增長了43%，DRAM、MPU、模擬電路銷售額分別增長61%、57%和50%。
爆炸式的增長率當然也與今年1月半導體市場業績達到此輪衰退的最低點有關。
“IC產業復蘇并不會是緩慢的，而是V形增長，目前上升周期已經開始。”IC Insights分析師
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DRAM NAND MPU 模擬電路
- 近日三星電子(Samsung Electronics)緊急通知臺系存儲器模塊廠，9月對于臺廠NAND Flash供貨量將銳減50%，迫使部分存儲器模塊廠大老板緊急前往韓國調貨;無獨有偶地，美光(Micron)日前亦告知客戶無貨可供應，加上原本供貨量有限的東芝(Toshiba)和海力士(Hynix)，目前NAND Flash產能呈現嚴重不足。存儲器業者透露，主要是蘋果(Apple)iPhone和iPod不斷追加訂單，加上手機大廠內建NAND Flash容量倍增，使得NAND Flash產能幾乎被消費性大
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三星 NAND iPhone iPod
- DRAM價格趨于穩定，1Gb容量提前在9月初站上1.7美元，臺廠面對這樣美好的光景，心中還是有些疑慮，擔心三星電子(Samsung Electronics)會從中作梗，破壞DRAM價格漲勢，然現在蘋果(Apple)強勁追加NAND Flash訂單，且隨著智能型手機價格平民化的趨勢，未來內建高容量存儲器普及，都讓各界相當看好2010年NAND Flash市場前景，三星在喜迎蘋果大單之余，也無暇與臺系DRAM廠廝殺，暌違多年的DRAM和NAND Flash雙好行情可望再現。
2009 年存儲器產業觸
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