據國外媒體報道，三星電子和東芝等24家企業日前因涉嫌操縱NAND閃存價格而遇到集體訴訟。 據悉，被起訴的24家廠商包括雷克沙（Lexa）、日立美國公司、日立公司、日立電子設備美國公司、Hynix美國公司、Hynix半導體、美光（Micron）科技、美光半導體產品部公司、三菱公司、三菱電子美國公司； Mosel Vitelic、Renesas科技、Renesas科技美國公司、SanDisk、三星半導體、三星電子、意法半導體、東芝、東芝美國公司、東芝美國電子部件公司、
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消費電子 三星 NAND 閃存 消費電子
摘要：介紹一種基于四時鐘周期、高速8051內核的混合信號8位單片機MAX7651。探討在開發基于MAX7651的應用系統時所面臨的問題，并推薦相應的解決方案。
關鍵詞：MAX7651 AT89LV55 8XC51RA/RB/RC ALL-07 Flash 四時鐘周期
在全球8位單片機領域，英特爾（Intel）生產的MCS-51系列是毋庸質疑的領導者。借助英特爾廣泛的授權行為，基于8051內核的8位單片機兼容產品早已根深葉茂。Dallas Semicondu
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MAX7651 AT89LV55 8XC51RA/RB/RC ALL-07 Flash 四時鐘周期 MCU和嵌入式微處理器
摘要：RC5及RC6是兩種新型的分組密碼。AVR高速嵌入式單片機功能強大，在無線數據傳輸應用方面很有優勢。本文基于Atmega128高速嵌入式單片機，實現RC5和RC6加密及解密算法，并對算法進行匯編語言的優化及改進。根據實驗結果。對兩種算法的優熱點進行比較和分析。
關鍵詞：Atmega128 RC5 RC6 分組密碼 混合密鑰 Flash
引言
在無線局域網中，傳輸的介質主要是無線電波和紅外線，任何具有接收能力的竅聽者都有可能攔截無線信道中的數據，掌握
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Atmega128 RC5 RC6 分組密碼 混合密鑰 Flash MCU和嵌入式微處理器
1 引言在便攜式電子產品如U盤、MP3播放器、數碼相機中，常常需要大容量、高密度的存儲器，而在各種存儲器中，NAND FLASH以價格低、密度高、效率高等優勢成為最理想的器件。但NAND FLASH的控制邏輯比較復雜，對時序要求也十分嚴格，而且最重要的是NAND FLASH中允許存在一定的壞塊(壞塊在使用過程中還可能增加)，這就給判斷壞塊、給壞塊做標記和擦除等操作帶來很大的難度，于是就要求有一個控制器，使系統用戶能夠方便地使用NAND FLASH,為此提出了一種基于FPGA的NAND FLASH控制器的設
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嵌入式系統 單片機 FPGA NAND FLASH 嵌入式
iSuppli公司日前表示，2007年第2季度三星電子(Samsung)NAND閃存銷售額達到14億美元，比第1季度的12億美元增長18.9%。三星在2007年上半年將部分產能從DRAM轉向NAND閃存，該公司的NAND市場份額猛增至45.9%，比1季度的44.1%高幾乎兩個百分點。 iSuppli內存/存儲系統首席分析師NamHyungKim表示，“三星第2季度表現強勁主要是按容量計算增長11%，出貨量增加歸功于擴大蘋果iPhone和iPod等消
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消費電子 三星 NAND 閃存 消費電子
摘要：主要介紹內核兼容8051的MSC1210單片機結構特點，其高性能ADC、片內存儲器以及Flash編程應用等功能。
關鍵詞：MSC1210 ADC PGA Flash
實際應用系統往往需要進行高精度的測量，同時還必須進行實時快速控制，提高其開發效率。為此人們常采用高精度A/D芯片加帶ISP開發功能的單片機系統來實現。德州儀器（TI）的MSC1210單片機解決了上述問題。它集成了一個增強型8051內核、高達33 MHz
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MSC1210 ADC PGA Flash MCU和嵌入式微處理器
致力于簡化系統級存儲驗證和測試的業界組織 PISMO顧問委員會近日宣布，PISMO 2.0多媒體標準已通過審批。這一針對目前PISMO2.0規范的全新多媒體擴展版為芯片組和存儲供應商增加了 MMC存儲接口支持，從而滿足手機和消費產品中存儲豐富媒體內容的需求。PISMO™顧問委員會于2004年由Spansion和ARM創建，目前共有15家成員公司。 新增MMC支持后，PISMO多媒體規范使設計者可以方便地在不同廠商提供的開發平臺上測試多種存
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PISMO NOR NAND 閃存
在三星向外界透露位于韓國的工廠于8月3日因故停產后，各廠商均密切關注該事件對NAND閃存價格造成的影響。業界預測DRAM內存合同價在8月還將上升。 業界預測DRAM內存合同價在8月還將上升，同時受三星電子上周一因某工廠停產的影響，NAND閃存的價格也持續攀升。三星近日提高了NAND閃存在現貨市場的價格，力晶半導體公司(Powerchip Semiconductor Corporation,PSC)因此也調高了eTT DRAM內存的報價。 在三星向外界透露
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三星 NAND 閃存
NAND Flash供需出現進一步緊繃的狀況。究其原因，除年底旺季需求增加外，最大廠之Samsung工廠3日發生停電事故，導致市場產生供給量減少之預期亦是主因。然而合約價部份，由于廠商仍存在過度上漲，可能造成需求冷卻之疑慮。因此，即使上漲也應止于小幅上揚。 Samsung之京畿道器興市主力工廠3日發生大規模停電，生產NAND Flash等之6條生產線全部停止運轉。雖然4日恢復運轉，但原本部份制造中的產品將廢棄。現階段Samsung與市場上仍有一定庫存量，9月份實際供給
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三星 NAND 閃存
據閃存技術的最大支持者之一稱，閃存將“接管”整個世界。 本周三，SanDisk CEO Eli Harari在“閃存峰會”上說，一方面，NAND閃存正在打跨競爭對手。NAND已經使1英寸硬盤失去了用武之地，現在，它又對1.8英寸，甚至是更大的2.5英寸筆記本電腦硬盤構成了威脅。 他說，NAND下一個大市場將是視頻，明年，市場上將會出現配置了更多閃存的相機和拍照手機。明年，市場上還將出現更多的閃存筆記本電腦。 在未來的5-7年內，NAND還將開始取代DRAM。由于技
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NAND 閃存
2007年NAND Flash價格走勢戲劇化，但對下游廠商而言，可謂是幾家歡樂幾家愁，一線快閃記憶卡大廠樂得NAND Flash價格止跌反彈，終止長達1年的慘淡經營時期；然對于產業中的二、三線記憶卡廠而言，這波NAND Flash價格大漲的行情，反而不是什么好消息。因為小廠的拿貨能力有限，當上游NAND Flash大廠供給一夕大減，連一線大廠都不見得拿得到足夠的貨源時，等于是宣判小廠正式出局！ 業界表示，這波NAND Flash價格上漲除了是蘋果(Ap
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NAND 閃存 消費電子
集邦科技昨天公布第二季全球NAND Flash銷售排名，南韓三星(Samsung)第二季市占率達43.9%，穩居全球龍頭寶座，日本東芝 (Toshiba)居次，海力士 (Hynix)位居第三；包括三星等前三大廠合計市占率達85.5%，市場集中度高。集邦科技表示，第二季由于制造商暫緩產能擴充計劃，加上大廠們新制程技術轉換仍處調整期，因此整體NAND Flash位產出量僅維持與第一季相當水平，不過受惠于產品價格止跌大幅彈升1成以上水平，帶動NANDFlash制造廠銷售
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三星 NAND 閃存
NOR 和NAND 是閃存(Flash Memory)的兩大主要類型，強調可靠性的NOR 主要用途在于應用程序和操作系統儲存(Code Storage)，成本較低的NAND 則主要使用于數據儲存(Data Storage)方面，近來由于手機、數字相機、數字音樂播放機、可攜式媒體播放機(PMP)、機頂盒(STB)等終端產品的需求旺盛，帶動兩者銷售量持續成長，尤其NAND 在蘋果計算機推出的數字音樂播放機iPod 熱賣
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NAND 內存
閃存的合約價格在7月下半月繼續上漲，不過目前漲勢已經逐漸減緩。DRAM廠商預計第三季度價格將輕微上漲，同時出貨量也大幅提升了。同時，NAND目前價格也呈現上升趨勢，這主要得益于閃存應用范圍的不斷拓展。 DRAM報價一片漲聲 根據內存交易機構DRAMeXchange（集邦電子）的數據，在7月上半月，512Mb DDR2芯片的合約價格上漲了20%以上，不過7月下半月的上漲幅度回落到了3%。 DRAMeXchange表示，目前一些PC OEM廠商向DRAM廠商索要報價
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NAND DRAM 閃存
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