- 嵌入式系統的大量數據都存儲在其F1ash芯片上。根據Flash器件的固有特性,構建一個適合管理NAND Flash存儲器的FAT文件系統,并闡述具體的設計思想。該系統改進了FAT表和FRT表的存儲方式,延長了存儲器的使用壽命,提高了穩定性。 NAND Flash存儲器是一種數據正確性非理想的器件,容易出現位反轉現象,同時在使用中可
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FAT NAND Flash 存儲器 通信 嵌入式系統 嵌入式 無線 通信
- 根據集邦科技(DRAMeXchange)最新出爐的第三季NANDFlash營收市占率報告指出,NANDFlash品牌廠商在2007年第三季整體營收表現亮麗,逼近三十九億美元,比第二季增長了36.8%;整體NANDFlash位出貨量相較于第二季增長約30%;而就營收排行而言,三星(Samsung)如預期再度蟬連冠軍,東芝(Toshiba)居次,而海力士(Hynix)、美光(Micron)和英特爾(Intel)營收均有顯著的增長。
由于第三季為傳統NANDFlash下游客戶的備貨旺
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嵌入式系統 單片機 NAND Flash 三星 MCU和嵌入式微處理器
- IDC在最新的《全球半導體市場預測》中預測,2007年全球芯片銷售收入增長速度放慢將為2008年的大增長奠定基礎。
據國外媒體報道,2007年全球芯片市場的增長速度將只有4.8%,2006年的這一數字只有8.8%。IDC預測,2008年的增長速度將達到8.1%。
報告指出,如果產能增長速度在明年放緩和需求仍然保持緩慢,芯片市場的增長速度會更快。市場潮流是合并和收購,這可能會改變業界的競爭格局。
IDC負責《全球半導體市場預測》的項目經理戈帕爾說,今年上半年芯片市場的供過于求降低了對各
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消費電子 芯片 DRAM NAND EDA IC設計
- 最近公布的數據顯示,2007年IC單位出貨量將增長10%,略高于市場調研公司ICInsights最初預計的8%。自2002年以來,IC單位出貨量一直保持兩位數的年增長率。DRAM(49%)、NAND閃存(38%)、接口(60%)、數據轉換(58%)、和汽車相關的模擬IC(32%)出貨量強勁增長,正在推動總體產業需求,并使IC出貨量保持在高位。
1980年以來,IC產業單位出貨量有兩次實現連續三年保持兩位數增長率,分別是1982-1984和1986-1988年。在這兩次之后,IC的單位出貨量增長速
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嵌入式系統 單片機 IC DRAM NAND 模擬IC
- iPodTouch面板供貨不及,大量出貨日期延后,NANDFlash廠最著急,NANDFlash價格反彈后繼無力。
據境外媒體報道,為迎圣誕買氣,各大NANDFlash廠商鉚足了勁,原本寄望因蘋果(Apple)iPodTouch成走紅圣誕禮物而大量出貨,借此將NANDFlash價格回升,然后,卻因iPodTouch的關鍵零組件觸控面板出現供貨不足,造成iPodTouch出貨量受限,繼而影響NANDFlash的出貨,真是急壞了NANDFlash廠商。
蘋果原計劃九月起開始出貨,但因沒有足夠的
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嵌入式系統 單片機 NAND 液晶 集成電路 顯示技術
- 最近公布的數據顯示,2007年IC單位出貨量將增長10%,略高于市場調研公司ICInsights最初預計的8%。自2002年以來,IC單位出貨量一直保持兩位數的年增長率。DRAM(49%)、NAND閃存(38%)、接口(60%)、數據轉換(58%)、和汽車相關的模擬IC(32%)出貨量強勁增長,正在推動總體產業需求,并使IC出貨量保持在高位。
1980年以來,IC產業單位出貨量有兩次實現連續三年保持兩位數增長率,分別是1982-1984和1986-1988年。在這兩次之后,IC的單位出貨量增長速
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嵌入式系統 單片機 IC 數據轉換 NAND 模擬IC
- 據美國半導體行業協會(SIA)周一稱,在PC和手機等消費電子產品需求的推動下,今年9月份全球微芯片銷售收入增長了5.9%。
9月份全球微芯片銷售收入從去年同期的213億美元增長到了226億美元。今年第三季度全球微芯片銷售收入增長6%,從去年同期的640億美元提高到了678億美元。
SIA總裁GeorgeScalise在聲明中稱,第三季度的全球銷售比今年第二季度增長了13.2%反映了為圣誕節假日銷售準備產品的傳統模式已經開始。
消費電子產品的需求非常強勁。第三季度用于傳統消費電子產品的
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消費電子 NAND 閃存 芯片 嵌入式
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NOR和NAND是現在市場上兩種主要的非易失閃存技術。Intel于1988年首先開發出NOR flash技術,徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統天下的局面。緊接著,1989年,東芝公司發表了NAND flash結構,強調降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經過了十多年之后,仍然有相當多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。 相“flash存儲器”經常可以與相“NOR存儲器”互換使用。許多業內人
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NAND NOR flash 集成電路 存儲器
- 據市場調研公司ICInsights,2007年IC單位出貨量有望增長10%。該公司先前的預測是增長8%。
ICInsights將調高增長率預測歸因于以下器件的出貨量強勁增長:DRAM(上升49%)、NAND閃存(上升38%)、接口IC(增長60%)、數據轉換IC(上升58%)和汽車相關的模擬IC(上升32%)。
ICInsights表示,如果2007年IC單位出貨量增長率達到10%或者更高水平,將是連續第六年以兩位數的速度增長,創下前所未有的強勁增長紀錄。
ICInsights認為,
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- 10月21日消息,據外電報道,市場研究公司ICInsights將2007年全球集成電路(IC)出貨量增長率從原來的8%提高到了10%。
這家研究公司把2007年全球集成電路出貨量的增長歸功于一些集成電路產品出貨量的強勁增長,如DRAM內存出貨量增長49%,NAND閃存出貨量增長38%,接口集成電路出貨量增長60%,數據轉換集成電路出貨量增長58%,汽車模擬集成電路出貨量增長32%。
ICInsights稱,如果2007年全球集成電路出貨量增長率達到10%或者更高,這將是連續第六年的兩位增長
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模擬技術 電源技術 集成電路 NAND 閃存
- 現貨市場DDR2價格方面持續走弱;而DDR則因供應不足價格緩步盤堅。DDR2512MbeTT跌至1美元左右的新低價之后,暫時止跌并微幅反彈,在1.02至1.05美元震蕩,以1.03美元做收,跌幅為5.5%;DDR2512Mb667MHz則滑落至1.35美元,下跌2.9%。在DDR1市場方面,由于現貨市場供給數量仍舊不足,上周也曾出現缺貨狀況,價格持續小幅上揚,DDR512Mb400MHz以2.66美元做收,上漲5.6%。
十月份合約市場相當清淡,OEM拿貨意愿低落,部分廠商甚至認為,倘若預期十一
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嵌入式系統 單片機 DDR2 DRAM NAND MCU和嵌入式微處理器
- 根據半導體產業協會SIA報告,2007年8月全球芯片銷售三月平均值達到215.2億美元,比2006年同期數字猛升4.9%。8月份銷售增長超過分析師預測,比2007年7月的三月平均銷售額206.1億美元增長4.5%。 SIA表示,增長歸因于NAND閃存供應減少導致平均銷售價格反彈。8月份NAND閃存銷售價格比7月增長19%,與2006年8月相比增長48%。 SIA總裁GeorgeScalise表示,“8月份,正常的季節性增長帶來全球半導體銷售連續健
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- Jefferies Japan高級分析員David Motozo Rubenstein日前透露,東芝(Toshiba)公司NAND閃存晶圓廠的產能利用率已經處于最高位。 事實上,東芝公司的業務表現正在發生變化。David表示,“東芝認為供需形勢處于有利狀況,由于晶圓廠產能利用率達到100%,公司不得不回絕了25%的訂單。” 還有更好的消息。NAND閃存“2006年平均售價下降70%,東芝曾經預計2007年更進一步下滑50%,但是到目前為止,價格還高于預計之上。” 價格已經觸底
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嵌入式系統 單片機 NAND 閃存 東芝 嵌入式
- 摘要:NAND結構Flash數據存儲器件是超大容量數據存儲的理想選擇,當前被廣泛應用于U盤、MP3和數碼相機的數據存儲。本文對該類型Flash的基本操作進行研究并對實際應用系統給予驗證,揭示了NAND結構Flash的操作規律。
關鍵詞:NAND Flash 數據存儲 C8051F
引 言
大容量數據存儲是單片機應用系統的瓶頸,受到容量、功耗、尋址方式的約束。突破容量限制,可以很大程度上擴展和提高應用系統的總體功能。Sumsung公司的NAND結構Fla
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NAND Flash 數據存儲 C8051F MCU和嵌入式微處理器
- 九月,NAND閃存芯片合約價格自六月以來首次下跌,較早前已堆積的存貨將使內存制造商經歷庫存增加壓力。 根據內存市場研究機構DRAMeXchange最新調查顯示,多層單元(MLC)NAND閃存的價格在9月上旬下降10%以上,而單層單元閃存(SLC)的價格則相對穩定。唯一主流NAND閃存即2Gb單層單元閃存可望價格有所回升。 據臺灣內存消息人士指出,韓國三星電子8月震驚業內,使得激烈價格上升。需求被昂貴的價格壓抑,反映在現貨市場價格疲弱。 雖然許多內存庫存商8月期間已經減少其采購,最新的報價仍然加
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