全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向企業級高性能服務器和AI服務器電源，開發出實現了業界超低導通電阻*1和超寬SOA范圍*2的Nch功率MOSFET*3。新產品共3款機型，包括非常適用于企業級高性能服務器12V系統電源的AC-DC轉換電路二次側和熱插拔控制器（HSC）*4電路的“RS7E200BG”（30V），以及非常適用于AI服務器48V系統電源的AC-DC轉換電路二次側的“RS7N200BH（80V）”和“RS7N160BH（80V）”。隨著高級數據處理技術的進步和數字化轉型的加速，
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ROHM AI服務器 服務器電源 MOSFET
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，最新推出一款可用于驅動碳化硅（SiC）MOSFET的柵極驅動光電耦合器——“TLP5814H”。該器件具備＋6.8 A／–4.8 A的輸出電流，采用小型SO8L封裝并提供有源米勒鉗位功能。今日開始支持批量供貨。在逆變器等串聯使用MOSFET或IGBT的電路中，當下橋臂[2]關閉時，米勒電流[1]可能會產生柵極電壓，進而導致上橋臂和下橋臂[3]出現短路等故障。常見的保護措施有，在柵極關閉時，對柵極施加負電壓。對于部分SiC MOSFET而言，具有比硅（Si
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東芝 SiC MOSFET 柵極驅動 光電耦合器
電子行業正在向更加緊湊而強大的系統快速轉型。為了支持這一趨勢并進一步推動系統層面的創新，全球功率系統、汽車和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司正在擴展其CoolSiC? MOSFET 650 V單管產品組合，推出了采用Q-DPAK和TOLL封裝的兩個全新產品系列。這兩個產品系列采用頂部和底部冷卻并基于CoolSiC? Generation 2（G2）?技術，其性能、可靠性和易用性均有顯著提高。它們專門用于中高功率開關模式電源（SMPS）開發，包括AI服務器、可再生能源、充電樁、電動交通工
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英飛凌 CoolSiC MOSFET
安森美 (onsemi)的1200V 分立器件和模塊中的 M3S 技術已經發布。M3S MOSFET 的導通電阻和開關損耗均較低，提供 650 V 和 1200 V 兩種電壓等級選項。本白皮書側重于探討專為低電池電壓領域的高速開關應用而設計的先進 onsemi M3S 650 V SiC MOSFET 技術。通過各種特性測試和仿真，評估了 MOSFET 相對于同等競爭產品的性能。第一篇介紹SiC MOSFET的基礎知識、M3S 技術和產品組合（三代進化，安森美 EliteSiC MOSFET 技術發展解析
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電源轉換 電動汽車 MOSFET
采用TO-247-4HC高爬電距離封裝的第二代CoolSiC? MOSFET G2 1200V 12mΩ至78mΩ系列以第一代技術的優勢為基礎，加快了系統設計的成本優化，實現高效率、緊湊設計和可靠性。第二代產品在硬開關工況和軟開關拓撲的關鍵性能指標上都有顯著改進，適用于所有常見的交流-直流、直流-直流和直流-交流各種功率變換。產品型號：■ IMZC120R012M2H■ IMZC120R017M2H■ IMZC120R022M2H■ IMZC120R026M2H■&
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CoolSiC MOSFET
低壓功率MOSFET設計用于以排水源電壓運行，通常低于100 V，但具有與高壓設計相同的功能。它們非常適合需要高效效率和處理高電流的應用，即使電源電壓很低。關鍵功能包括以下內容： 低抗性（RDS（ON））以減少傳導過程中的功率損失，從而提高能源效率。當設備打開時，低壓MOSFET的排水源電阻特別低，從而地減少了功率損耗。這對于效率至關重要，因為低RD（ON）意味著在傳導過程中降低電阻損失高開關速度，用于快速切換操作；在DC-DC轉換器和高頻切換電路等應用中至關重要。由于其先進的結構和材料，低壓MOSFE
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低壓電源 MOSFET
在工業電子設備中，過壓保護是確保設備可靠運行的重要環節。本文將探討如何使用開關浪涌抑制器替代傳統的線性浪涌抑制器，以應對長時間的過壓情況。與傳統線性浪涌抑制器不同，開關浪涌抑制器能夠在持續浪涌的情況下保持負載正常運行，而傳統線性浪涌抑制器則需要在電源路徑中的
MOSFET 散熱超過其處理能力時切斷電流。可靠的工業電子設備通常配備保護電路，以防止電源線路出現過壓，從而保護電子設備免受損壞。過壓現象可能在電源線路負載快速變化時發生，線路中的寄生電感可能導致高電壓尖峰。這個問題可通過輸入保護電路來解決，比如圖
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過壓保護 開關浪涌 MOSFET
全球半導體解決方案供應商瑞薩電子近日宣布推出基于全新MOSFET晶圓制造工藝——REXFET-1而推出的100V大功率N溝道MOSFET——RBA300N10EANS和RBA300N10EHPF，為電機控制、電池管理系統、電源管理及充電管理等應用提供理想的大電流開關性能?；谶@一創新產品的終端設備將廣泛應用于電動汽車、電動自行車、充電站、電動工具、數據中心及不間斷電源（UPS）等多個領域。瑞薩開發的全新MOSFET晶圓制造工藝（REXFET-1）使新產品的導通電阻（MOSFET導通時漏極與源極之間的電阻）
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瑞薩 MOSFET
功率MOSFET的正向導通等效電路（1）：等效電路（2）：說明：功率 MOSFET 正向導通時可用一電阻等效，該電阻與溫度有關，溫度升高，該電阻變大；它還與門極驅動電壓的大小有關，驅動電壓升高，該電阻變小。詳細的關系曲線可從制造商的手冊中獲得。功率MOSFET的反向導通等效電路（1）（1）：等效電路（門極不加控制）（2）：說明：即內部二極管的等效電路，可用一電壓降等效，此二極管為MOSFET 的體二極管，多數情況下，因其特性很差，要避免使用。功率MOSFET的反向導通等效電路（2）（1）：等效電路（門極加
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功率器件 MOSFET 電路
如今，數據中心迫切需要能夠高效轉換電能的功率半導體，以降低成本并減少排放。更高的電源轉換效率意味著發熱量減少，從而降低散熱成本。電源系統需要更低的系統總成本和緊湊的尺寸；因此必須提高功率密度，尤其是數據中心的平均功率密度正在迅速攀升。從十年前的每個1U機架通常只有5 kW，增加到現在的20 kW、30 kW 或更高。圖1：數據中心供電：從電網到GPU電源供應器(PSU)還必須滿足數據中心行業的特定需求。人工智能數據中心的PSU應滿足嚴格的Open Rack V3 (ORV3) 基本規范，要求30%到100
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安森美 MOSFET 數據中心
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用PowerPAK? 10x12封裝的新型40 V TrenchFET? 四代n溝道功率MOSFET---SiJK140E，該器件擁有優異的導通電阻，能夠為工業應用提供更高的效率和功率密度。與相同占位面積的競品器件相比，Vishay Siliconix SiJK140E的導通電阻降低了32 %，同時比采用TO-263-7L封裝的40 V MOSFET的導通電阻低58 %。日前發布的這款器件在10 V電壓下的典型導通電阻低至0
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Vishay MOSFET
意法半導體推出了標準閾值電壓 (VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶體管，新系列產品兼備強化版溝槽柵技術的優勢和出色的抗噪能力，適用于非邏輯電平控制的應用場景。工業級晶體管STL300N4F8和車規晶體管STL305N4F8AG的額定漏極電流高于300A，最大導通電阻 RDS(on)為1mΩ，可在高功率應用中實現出色的能效。動態性能得到了改進，65nC(典型值)的總柵極電荷和低電容(Ciss, Crss)確保在高開關頻率下電能損耗降至最低。MOSFET體二極管的低正向電壓和快速
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意法半導體 STripFET F8 MOSFET
今天教你4個步驟選擇一個合適的MOSFET。第一步：選用N溝道還是P溝道 為設計選擇正確器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道MOSFET。在典型的功率應用中，當一個MOSFET接地，而負載連接到干線電壓上時，該MOSFET就構成了低壓側開關。在低壓側開關中，應采用N溝道MOSFET，這是出于對關閉或導通器件所需電壓的考慮。當MOSFET連接到總線及負載接地時，就要用高壓側開關。通常會在這個拓撲中采用P溝道MOSFET，這也是出于對電壓驅動的考慮?！∫x擇適合應用的器件，必須確定驅動器件所需的電壓，以及
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MOSFET 選型
為了滿足AI服務器和電信領域的安全熱插拔操作要求，MOSFET必須具有穩健的線性工作模式和較低的?RDS(on)?。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出的新型OptiMOS? 5 Linear FET 2解決了這一難題，這款MOSFET專為實現溝槽?MOSFET的RDS(on)與經典平面?MOSFET?的寬安全工作區（SOA）之間的理想平衡而設計。該半導體器件通過限制高浪涌電流防止對負載造成損害，并因其低RDS(on
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英飛凌 OptiMOS MOSFET 熱插拔
隨著汽車產業加速朝向智慧化以及互聯系統的發展，強茂推出最新車規級60 V N通道MOSFETs系列，采用屏蔽柵槽溝技術(SGT)來支持汽車電力裝置。此系列產品具備卓越的性能指標(FOM)、超低導通電阻(RDS(ON))以及最小化的電容，能有效提升汽車電子系統的性能與能源效率，降低導通與切換的損耗，提供更卓越的電氣性能。強茂的60 V N通道SGT-MOSFETs提供多種緊密且高效的封裝選擇，包括DFN3333-8L、DFN5060-8L、DFN5060B-8L、TO-252AA以及TO-220AB-L，為
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強茂 SGT MOSFET 車用電子
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