全球領先的無線射頻(RF)前端解決方案供應商SiGe半導體公司(SiGe Semiconductor)宣布，任命高國洪(Daniel K. Ko)擔任亞太區市場推廣總監。高國洪將負責制訂和執行面向特定地區和產品的戰略和戰術營銷計劃，以改善產品定位，并在快速增長的亞太地區中贏得具有競爭力的市場份額。
高國洪將與外部合作伙伴、內部工程團隊及SiGe半導體的客戶服務和現場應用工程師團隊密切工作，充分發揮公司在亞太區無線消費電子市場的拓展能力。
SiGe半導體市場推廣副總裁Alistair M
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SiGe RFIC MMIC
介紹了基于GaAs PHEMT工藝設計的一款寬帶反射型MMIC SPST開關的相關技術，基于成熟的微波單片集成電路設計平臺開展了寬帶SPST開關設計。工作頻率范圍為DC~40 GHz，插入損耗≤0．8 dB，隔離度≥25 dB，駐波比≤1．4：l。同時，對電路的通孔特性進行了分析，對電路設計流程進行了闡述。要獲得期望帶寬的開關，如何選擇控制器件的通孔連接方式，以及通孔數量對插入損耗等性能的影響。最終，具有小尺寸和優異微波性能的GaAs微波單片集成單刀單擲開關電路成功開發。
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GaAs MMIC SPST GHz
使用國產6H―SiC襯底的GaN HEMT外延材料研制出高工作電壓、高輸出功率的A1GaN／GaN HEMT。利用ICCAP軟件建立器件大信號模型，利用ADS軟件仿真優化了雙級GaNMMIC，研制出具有通孔結構的GaN MMIC芯片，連續波測試顯示，頻率為9．1～10．1 GHz時連續波輸出功率大于10W，帶內增益大于12 dB，增益平坦度為±0．2 dB。該功率單片為第一個采用國產SiC襯底的GaN MMIC。
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MMIC SiC GaN 襯底
新日本無線已開發完成了最適用于1SEG信號用調諧器模塊的寬帶低噪聲放大器（下稱LNA）GaAs MMIC NJG1129MD7，現開始樣品供貨。
近年來，手機和車載導航等能接收1SEG信號產品在不斷地增加，因終端接收信號靈敏度不足，故具有高增益／高線性／低噪聲的高性能LNA是市場需要。新日本無線為滿足這種市場需求，開發了NJG1134HA8（08年3月27日發表）。NJG1129MD7就是為了滿足市場所求的更高靈敏度，所開發了1SEG用寬帶LNA GaAs MMIC。
該產品是可支持47
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新日本無線 寬帶低噪聲放大器 GaAs MMIC NJG1129MD7
Avago Technologies(安華高科技)日前宣布，推出三款專門用來滿足無線網絡測試和測量設備應用復雜功能需求的新MMIC產品。AMMC-6380、-6470與-6350為相當適合需要高精度高頻儀器和信號處理支持測試和測量應用的微電路產品。 采高效率串接式設計，Avago的AMMC-6380是一個相當適合高增益和高帶寬應用的DC到80 GHz行波放大器，AMMC-6470則是可以以300 mA低直流靜態電流工作的40到
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測試 測量 安華高科技 MMIC 通信基礎
Avago Technologies(安華高科技)宣布，推出三款專門用來滿足無線網絡測試和測量設備應用復雜功能需求的新MMIC產品，Avago是為通信、工業和消費類等應用領域提供模擬接口零組件的領導廠商。AMMC-6380、-6470與-6350為相當適合需要高精度高頻儀器和信號處理支持測試和測量應用的微電路產品。 采高效率串接式設計，Avago的AMMC-6380是一個相當適合高增益和高帶寬應用的DC到80 GHz行波放大器，AMMC-6470則是可以以300
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通訊 無線 網絡 安華高科技 MMIC 高帶寬
GaAsMMIC控制電路由于體積小、重量輕、開關速度快、抗輻射、可靠性高、幾乎無功耗等顯著優點在許多電子系統中獲得廣泛應用。
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MMIC GHz DC 50
mmic介紹
單片微波集成電路（MMIC）， 有時也稱射頻集成電路(RFIC)，它是隨著半導體制造技術的發展，特別是離子摻入控制水平的提高和晶體管自我排列工藝的成熟而出現的一類高頻放大器件。在這類器件中，作為反饋和直流偏置元件的各個電阻器都采用具有高頻特性的薄膜電阻，并且與各有源器件一起封裝在一個芯片上，這使得各零件之間幾乎無連線，從而使電路的感抗降至最低，且分布電容也極小，因而可用在工作頻率和頻寬都很高的MM [
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