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        jfet-mosfet 文章 最新資訊

        干貨!一種簡易的MOSFET自舉驅動電路設計分享

        • 功率開關器件MOSFET在驅動電路中的應用頻率在最近幾年直線上升,在一些中小功率的開關電源產品中,利用MOSFET完成驅動電路的設計不僅省時省力,還具有
        • 關鍵字: MOSFET  驅動電路  設計  

        同步整流降壓式DC-DC變換器應怎樣選擇MOSFET?

        • 功率器件MOSFET在很多電路系統的設計中都得到了廣泛的應用,而對于同步整流降壓式的DC-DC變換器來說,怎樣選擇合適的MOSFET則是非常重要的一環,需要研
        • 關鍵字: MOSFET  同步整流  DC-DC  

        6種IGBT中的MOS器件隔離驅動入門

        • 由于不間斷電源的興起,IGBT技術得以飛速發展。IGBT的特點是具有電流拖尾效應,因此在關斷的瞬間對于抗干擾的性能要求非常嚴格,需要負壓驅動進行輔助
        • 關鍵字: MOSFET  IGBT  隔離驅動  

        MOSFET開關損耗分析

        • 摘要:為了有效解決金屬一氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)在通信設備直流-48 V緩啟動應用電路中出現的開關損耗失效問題,通過對MOSFET柵極電荷、極間
        • 關鍵字: MOSFET  帶電插拔  緩啟動  開關損耗  

        基于大功率開關電源中功率MOSFET的驅動技術

        • 1.MOSFET柵極驅動電平的上升時間和下降時間功率MOSFET具有導通電阻低、負載電流大的優點,因而非常適合用作開關電源(switch-mode power supplies,S
        • 關鍵字: MOSFET  筆記本電源  降壓變換器  

        大國器重 功率半導體小行業大機會

        • 在傳統應用領域,功率半導體分立器件引領工業發展方式向節能型轉變,實現家電工業轉型升級,優化產業結構。而隨著物聯網、云計算、新能源、節能環保等新興產業的高速發展,新興領域成為支撐功率半導體分立器件保持較好發展勢頭的重要市場。
        • 關鍵字: 功率半導體  MOSFET  

        功率MOSFET關斷損耗計算攻略

        • 本文介紹了MOSFET管關斷損耗的計算方式,供大家參考。
        • 關鍵字: MOSFET  關斷損耗  

        看懂MOSFET數據表,第1部分―UIS/雪崩額定值

        • 在看到MOSFET數據表時,你一定要知道你在找什么。雖然特定的參數很顯眼,也一目了然(BVDS、RDS(ON)、柵極電荷),其它的一些參數會十分的含糊不清、模
        • 關鍵字: MOSFET  雪崩  

        傳中興急單ODM/OEM抬價20%搶貨:MOSFET全年漲價30%

        •   MOSFET漲價已經很長一段時間,從今年年初至今,其漲價幅度已經達到了5%-10%,相對另外一種被動元器件MLCC,MOSFET漲價幅度還算在可接受范圍之內。簡而言之,今年以來MOSFET一直處于供貨吃緊狀態,包括英飛凌、威世、意法半導體、安森美等國際IDM大廠近些年并沒有新增產能。  由于去年下半年以來,汽車電子、物聯網、云端計算等新應用加大對MOSFET的需求,導致電腦以及智能手機等3C電子產品用MOSFET供貨嚴重不足,價格已經從今年年初上漲至今持續了3個季度!據市場表示,今年上半年MOSFET
        • 關鍵字: 中興  ODM  OEM  MOSFET  

        汽車級N溝道MOSFET SQJQ480E

        • 功率 MOSFET 是眾多汽車子系統的重要組成部分,其能夠幫助實現各種各樣的功能,包括負載切換、電機控制以及DC/DC轉換等。SQJQ480E 的意義在于它可以處
        • 關鍵字: MOSFET  DC/DC轉換  SQJQ480E  

        IGBT掃盲文,IGBT基礎與運用知識學習

        •   IGBT基礎與運用  IGBT, 中文名字為絕緣柵雙極型晶體管,它是由MOSFET(輸入級)和PNP晶體管(輸出級)復合而成的一種器件,既有MOSFET器件驅動功率小和開關速度快 的特點(控制和響應),又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特點(功率級較為耐用),頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間,可正常工作于幾十kHz 頻率范圍內。  理想等效電路與實際等效電路如圖所示:  IGBT 的靜態特性一般用不到,暫時不用考慮,重點考慮動態特性(開關特性)。  動態特性的簡易過程可從下面的表格和圖形中獲取
        • 關鍵字: IGBT,MOSFET  

        宜特跨攻MOSFET晶圓后端處理集成服務

        •   隨著電子產品功能愈來愈多元,對于低功耗的要求也愈來愈高, MOSFET成為車用電子、電動車勢不可擋的必備功率組件,而在目前市面上產能不足,客戶龐大需求下,電子產品驗證服務龍頭-iST宜特科技今宣布,正式跨入「MOSFET晶圓后端處理集成服務」,目前已有20多家海內外廠商,包括全球知名晶圓廠、IDM廠商、IC設計企業已于今年第一季底,前來宜特進行工程試樣,并于第二季初開始進行小量產,并在下半年正式量產。  宜特董事長 余維斌指出,在車用可靠度驗證分析本業上,已做到亞洲龍頭,然而在服務客戶的同時,發現了此
        • 關鍵字: MOSFET  晶圓  

        意法半導體推出離線轉換器 提高5-30V電源的雪崩耐量、能效和靈活性

        •   意法半導體的VIPer11離線轉換器內置800V耐雪崩MOSFET,可幫助設備制造商設計更耐用的輔助電源和電源適配器,其26Vdc漏極啟動電壓允許超寬的線路輸入電壓,并提高諸多消費和工業電源的靈活性。  邏輯級原邊MOSFET讓VIPer11能夠在4.5V至30V的寬電源電壓范圍內工作,可用于設計高效的5V輸出開關電源。結合內部高壓啟動、誤差放大器和降低EMI干擾的抖動振蕩器等功能,這種優勢可簡化設計,節省空間和物料清單成本。  VIPer11高壓轉換器可實現由整流的AC線或其它直流電源直接供電的反激
        • 關鍵字: 意法半導體,MOSFET  

        工業設備輔助電源驅動用的SiC電源解決方案

        •   前言  包括光伏逆變器、電氣驅動裝置、UPS及HVDC在內的功率轉換系統,需要柵極驅動器、微控制器、顯示器、傳感器及風扇來使系統正常運行。這類產品需要能夠提供12V或24V低電壓電源的輔助電源。輔助電源則需要輸入通常工業設備所使用的三相400/480V AC電源、或太陽能光伏逆變器所使用的高電壓DC電源才能工作。本文將介紹融入了ROHM的SiC技術優勢且設計簡單、性價比高的電源解決方案。  小型輔助電源用SiC MOSFET  圖1是輔助電源所用的普通電路。在某些輸入電壓條件下,MOSFET的最高耐壓
        • 關鍵字: SiC,MOSFET  

        計算MOSFET非線性電容

        •   最初為高壓器件開發的超級結MOSFET,電荷平衡現在正向低壓器件擴展。雖然這極大地降低了RDS(ON) 和結電容,但電荷平衡使后者非線性進一步加大。MOSFET有效儲存電荷和能量減少,而且顯著減少,但計算或比較不同MOSFET參數以獲得最佳性能變得更加復雜。  MOSFET三個相關電容不能作為VDS的函數直接測量,其中有的需要在這個過程中短接或懸空。數據手冊最終測量給出的三個值定義如下:  CiSS = CGS + CGD COSS = CDS + CDG CRSS = CGD  三者中,輸入電容CG
        • 關鍵字: MOSFET  非線性電容  
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