WiMAX在商用部署方面取得的進展，使其成為推動寬帶接入無線化的重要力量。集合Wi-Fi熱點，延伸或替代電纜和DSL來解決接入的“最后一公里”問題，是WiMAX技術的魅力所在。2006年，全球數家運營商先后宣布部署固定WiMAX，從而加速了其商用步伐。例如，繼固定WiMAX在國際市場上大規模商用之后，移動WiMAX也邁進了一個新的發展階段。墨西哥韋拉克魯斯和阿瓜斯卡連特斯通過采用某設備制造商的移動 WiMAX802.16e無線寬帶解決方案，推出了WiMAX商用服務；美國Sprint也成為首家宣布“將采用W
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無線寬帶 WiMAX UWB
本文首先介紹了UWB無線通信系統的定義、基本原理以及主要指標，然后詳細介紹了UWB的關鍵技術，最后指出了UWB所面臨的挑戰。UWB(Ultra-Wideband，超寬帶)脈沖無線傳輸技術是近兩三年在國際上興起的一種無線通信革命性的通信技術，與其他無線通信技術相比有很大不同：不需要使用載波，而是依靠持續的、時間非常短的基帶脈沖信號(通常情況下)傳輸數據，因而占用的頻帶非常寬，通常在幾GHz量級。
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無線通信 脈沖收發電路 UWB
近年來，超寬帶(UWB)無線通信成為短距離、高速無線網絡最熱門的物理層技術之一。本文介紹了UWB的產生與發展、技術特點、信號成形及調制與多址技術。
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多址技術 超寬帶 UWB
目前使用較廣泛的近距無線通信技術是藍牙(Bluetooth)，無線局域網802.11(Wi-Fi)和紅外數據傳輸(IrDA)。同時還有一些具有發展潛力的近距無線技術標準，它們分別是：Zigbee、超寬頻(Ultra WideBand)、短距通信(NFC)、WiMedia、GPS、DECT、無線1394和專用無線系統等。
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Bluetooth UWB Wi-Fi
摘要超寬帶（UWB：Ultra-wideband）通信技術性能優良，具有廣闊的應用前景，越來越受到人們的重視。UWB通信系統的信號在頻域上范圍極寬，FCC分配給UWB民用通信的頻段是3.1～10.6GHz，與無線局域網（WLAN：wirelessLAN）系統（IEEE802.11a）共享了5.15～5.825GHz的頻段。為使UWB技術得到廣泛的應用，實現UWB通信系統與其他現有通信系統的兼容是首要的。在已有模型的基礎上，選擇信噪比、數據率、干擾值作為評價系統性能的參數，仿真分析了UWB通信系統對WLAN
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WLAN 數據通信 UWB
醫療設備制造商可在各種無線應用中使用超寬帶技術。超寬帶（UWB）是一項高帶寬（480-1320Mb/秒）和短距離（10-50米）的無線傳輸技術，正逐漸在醫療應用中更多的使用。UW
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醫療設備 TDMA UWB
超寬帶無線通信技術以其低功耗、高帶寬、低復雜度等優點而倍受重視，使用蝶形結構設計了一種新的平面超寬帶天線。 該天線由同軸饋電，天線的制作是通過在介質基板上下面上分別印刷一個半圓形金屬，在上層刻蝕掉2個正方形圖案，下層刻蝕掉2個半圓形圖案實現。
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蝶形 平面超寬帶 UWB 天線設計
每個器件都有一個最大的功率極限，不管是有源器件（如放大器），還是無源器件（如電纜或濾波器）。理解功率在這些器件中如何流動有助于在設計電路與系統時處理更高的功率電平。
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PCB IR 微波射頻器件 熱分析 紅外技術
無線傳感器網絡作為一門面向應用的研究領域，在近幾年獲得了飛速發展。在關鍵技術的研發方面，學術界從網絡協議、數據融合、測試測量、操作系統、服務質量、節點定位、時間同步等方面開展了大量研究，取得豐碩的成果;工業界也在環境監測、軍事目標跟蹤、智能家居、自動抄表、燈光控制、建筑物健康監測、電力線監控等領域進行應用探索。隨著應用的推廣，無線傳感器網絡技術開始暴露出越來越多的問題。不同廠商的設備需要實現互聯互通，且要避免與現行系統的相互干擾，因此要求不同的芯片廠商、方案提供商、產品提供商及關聯設備提供商達成一定的
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無線傳感器 UWB
無線連接為用戶新的移動生活方式注入了便捷。消費者馬上就會對這種電子家庭的便捷產生巨大需求，他們的個人電腦、數碼錄像機、MP3播放器、數碼可攜式攝像機、數碼相機，高清晰電視(HDTV)、機頂盒(STB)、游戲系統、掌
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Intel公司 個人局域網 UWB
基于變換采樣的超寬帶接收機設計, 在高精度UWB定位系統中，目標信號是超短脈寬的脈沖，有很寬的帶寬，為了對這種寬帶信號進行處理，我們要求如下兩個條件。1)設計應該實現超高的采樣率。對于UWB定位系統，恢復較好的脈沖波形以獲得較高時間分辨率信息
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變換采樣 FPGA 可編程延時芯片 ADC UWB 接收機
全球功率半導體和管理方案領導廠商——國際整流器公司 (International R
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LED 驅動 IR IC
本文提出的是一種基于平面型EBG (Electromagnetic Bandgap)結構的創新型結構，對于同步開關噪聲(Simultaneous Switching Noise, SSN)的抑制有更優秀的特性。我們設計的這款新型EBG結構，是在周期性L-bridge EBG結構的基礎上，在一些單元內插小型的L-bridge EBG。通過仿真驗證，此結構具有傳統型L-bridge EBG結構所不具有的超帶寬抑制能力和較大的抑制深度。然后我們運用電路模型和平行板諧振腔原理分析了該結構上下變頻。另外，通過3-D
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EBG SSN 電源完整性 IR-Drop 201607
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日針對鋰離子電池保護應用推出配備IR最新低壓MOSFET硅技術的一系列器件，包括IRL6297SD雙N通道DirectFET MOSFET。
全新功率MOSFET具有極低的導通電阻，可大幅減少導通損耗。產品可作為N通道及P通道配置的20V和30V器件，最高柵極驅動從12 Vgs起，非常適合包含了兩個串聯電池的電池保護電路。IRL6297SD
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IR MOSFET IRL6297SD
D類音頻放大器可以在90%左右的效率水平下運行，讓設計者能夠利用小型散熱器或者無需散熱器即可提供極高的音頻輸出。它已逐漸成為高端家用A/V設備以及移動設備的首選拓撲，能夠幫助設計者實現高性能與小尺寸組合，而這正是全世界用戶所期望和需要的。
現在，高集成度D類放大器件，包括單個封裝內的整個放大器模塊的出現讓企業能夠更快地將價格極具競爭力的新產品推向市場，并且其音頻性能達到或者超過了傳統的模擬放大器。因此，D類音頻放大器近十年來市場突飛猛進，年復合增長率遠遠高于應用特殊型音頻器件。
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IR D類放大器
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