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三大因素決定RF功率放大器未來(lái)市場(chǎng)格局
- 市場(chǎng)調(diào)研公司ABIResearch日前發(fā)表了一份關(guān)于無(wú)線基站RF功率放大器市場(chǎng)的研究報(bào)告,認(rèn)為有三大因素將決定該市...
- 關(guān)鍵字: RF 市場(chǎng)格局 功率放大器
RF射頻電路設(shè)計(jì)問(wèn)題分析
- 1 引言
射頻(RF)PCB設(shè)計(jì),在目前公開出版的理論上具有很多不確定性,常被形容為一種“黑色藝術(shù)”。通常情況下,對(duì)于微波以下頻段的電路(包括低頻和低頻數(shù)字電路),在全面掌握各類設(shè)計(jì)原則前提下的仔細(xì) - 關(guān)鍵字: 分析 問(wèn)題 電路設(shè)計(jì) 射頻 RF
RF無(wú)線射頻電路設(shè)計(jì)中的常見問(wèn)題
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
- 關(guān)鍵字: 無(wú)線射頻電路 RF布局 RF 干擾
基于低壓驅(qū)動(dòng)RFMEMS開關(guān)的MEMS開關(guān)改進(jìn)
- 關(guān)鍵字: 低壓驅(qū)動(dòng) RF-MEMS MEMS開關(guān) 相控陣?yán)走_(dá)
低壓驅(qū)動(dòng)RF MEMS開關(guān)設(shè)計(jì)與模擬
- RF MEMS開關(guān)存在驅(qū)動(dòng)電壓高、開關(guān)時(shí)間長(zhǎng)等問(wèn)題,利用ANSYS對(duì)電容式開關(guān)加以改進(jìn),設(shè)計(jì)扭轉(zhuǎn)臂杠桿與打孔電容膜相結(jié)合的新型開關(guān)。通過(guò)靜電耦合與模態(tài)分析的仿真,可以在理論上改善RF MEMS開關(guān)的射頻性能,并有工藝的可行性。
- 關(guān)鍵字: 設(shè)計(jì) 模擬 開關(guān) MEMS 驅(qū)動(dòng) RF 低壓
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