去年夏季，一直走Gate-first工藝路線的臺積電公司忽然作了一個驚人的決定：他們將在其28nm HKMG柵極結構制程技術中采用Gate-last工藝。不過據臺積電負責技術研發的高級副總裁蔣尚義表示，臺積電此番作出這種決定是要“以史為鑒”。以下，便讓我們在蔣尚義的介紹中，了解臺積電28nm HKMG Gate-last工藝推出的背景及其有關的實現計劃。
Gate-last是用于制作金屬柵極結構的一種工藝技術，這種技術的特點是在對硅片進行漏/源區離子注入操作以及隨后的高溫
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臺積電 Gate-last 28nm
特點－
工作電壓范圍：5V~450V
支持四種調光方式：開關調光、脈沖信號(PWM)調光、DC調光（0~5V）、熱平衡調光。
多重保護功能：LED開路保護、LED短路保護、過電流保護、過溫度保護
支持隔離或非
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綠達 LED Driver
新加坡特許半導體計劃在今年第四季度推出32nm制造工藝，明年上半年再進一步轉入28nm。
特許半導體很可能會在明天的技術論壇上公布32nm SOI工藝生產線的試運行計劃，并披露28nm Bulk CMOS工藝路線圖，另外45/40nm LP低功耗工藝也已就緒。
特許的28nm工藝并非獨立研發，而是在其所處的IBM技術聯盟中獲取的，將會使用高K金屬柵極(HKMG)技術以及Gate-first技術(Intel是Gate-last的堅定支持者)。
特許半導體2009年技術論壇將在臺灣新竹市
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特許半導體 32nm 28nm Gate-first
臺積電28納米制程再邁大步，預計最快2010年第1季底進入試產，2011年明顯貢獻營收，臺積電可望在28納米世代迎接中央處理器(CPU)代工訂單，目前28納米制程技術最大競爭對手，仍是來自IBM陣營的Global Foundries與新加坡特許(Chartered)，雙方競爭更趨激烈。
臺積電表示，已將低耗電制程納入28納米高介電層/金屬閘(HKMG)制程技術藍圖，預計2010年第3季進行試產，至于28納米低功耗制程(28LP)、高效能制程(28HP)則分別于2010年第1季底、第2季底進入試產
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臺積電 28納米 gate-last
LCD Driver IC 測試方法及其對測試系統提出的挑戰(2)
假設被測的是256色、384 LCD輸出且具有Dot 翻轉功能的IC，那么由公式可得需要測試的電壓值個數為： 256（顏色深度）ｘ384（pin數）ｘ2(Dot 翻轉） ＝196,608 一般的DC測試部件的測試時間為幾到幾十個uS，由此可知測試時間將會比較長。如果IC的色彩深度高一些的話（65535色），測試時間根本無法讓人接受，因此在進行此類測試時需要使用數字采樣器（Dig
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LCD Driver IC 液晶顯示 LCD
LCD Driver IC 測試方法及其對測試系統提出的挑戰LCD顯示器件在中國已有二十多年的發展歷程，已經從最初的以數字顯示為主轉變為以點陣字符、圖形顯示為主。LCD顯示設備以其低電壓驅動、微小功耗、能夠與CMOS電路和LSI直接匹配、具有極薄的扁平結構、可以在極亮的環境光下使用、工藝簡單等等特點成為了極有發展前景的顯示器件。 LCD顯示器件種類繁多、發展迅速，從種類到原理、從結構到效應、從使用方式到應用范圍差異很大，從測試原理上來說也就會有一些不同，目前比較常用的是STN和TFT的LCD顯示器件。由
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LCD Driver IC 液晶顯示 LCD
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