- Ⅲ族氮化物半導體材料廣泛用于紫、藍、綠和白光發光二極管，高密度光學存儲用的紫光激光器，紫外光探測器，...
- 關鍵字：
MOCVD GaN LED芯片
- 基于CPLD和Embedded System的LED點陣顯示,摘要：采用自頂向下的設計思想，綜合運用EDA 技術、CPLD技術和共享式雙口RAM，解決了大屏幕LED點陣顯示屏無閃爍顯示的技術難題。給出了系統設計方法及實際電路。LED點陣顯示屏是顯示公共信息的一種重要顯示終端，其中
- 關鍵字：
點陣 顯示 LED System CPLD Embedded 基于
- 摘要：氮化鎵功率管的寬帶隙、高擊穿電場等特點，使其具有帶寬寬，高效特性等優點。為了研究GaN功率放大器的特點，使用了Agilent ADS等仿真軟件，進行電路仿真設計，設計制作了一種S波段寬帶GaN功率放大器。詳述了電
- 關鍵字：
GaN S波段 寬帶 放大器
- 摘要：為了實現GaN基量子阱紅外探測器，利用自洽的薛定諤-泊松方法對GaN基多量子阱結構的能帶結構進行了研究。考慮了GaN基材料中的自發極化和壓電極化效應，通過設計適當的量子阱結構，利用自發極化和壓電極化的互補
- 關鍵字：
設計 探測器 紅外 量子 GaN
- System C特點及FPGA設計,一、概述
SYSTEM C 是由 Synospy Inc. 提出的，目前最新的版本為V2.0。它提出的目的就是以一種系統設計的思想進行系統設計。它將軟件算法與硬件實現很好的結合在一起，提高了整個系統設計的效率和正確性。
- 關鍵字：
設計 FPGA 特點 System
- 氮化鎵(GaN)作為第三代半導體材料的典型代表之一，由于其寬帶隙、高擊穿電場強度等特點，被認為是高頻功率半導體器件的理想材料。為研究GaN功率放大器的特點，基于Agilent ADS仿真軟件，利用負載／源牽引方法設計制作了一種S波段GaN寬禁帶功率放大器(10W)。詳細說明了設計步驟并對放大器進行了測試，數據表明放大器在2．3～2．4 GHz范圍內可實現功率超過15W，附加效率超過67％的輸出。實驗結果證實，GaN功率放大器具有高增益、高效率的特點。
- 關鍵字：
設計 功率放大器 GaN 一種
- 目前國際上商品化的GaN基LED均是在藍寶石襯底或SiC襯底上制造的。但藍寶石由于硬度高、導電性和導熱性差等原因，對后期器件加工和應用帶來很多不便，SiC同樣存在硬度高且成本昂貴的不足之處，而價格相對便宜的Si襯底由于有著優良的導熱導電性能和成熟的器件加工工藝等優勢，因此Si襯底GaN基LED制造技術受到業界的普遍關注。
- 關鍵字：
GaN LED 襯底 功率型
- 美國iSuppli公布了關于GaN(氮化鎵)功率半導體市場將迅速增長的調查報告)。報告顯示，2010年的市場規模近乎為零，但3年后到2013年將猛增至1.836億美元。各廠商將以替代現有功率MOSFET的方式，不斷擴大市場規模。iSuppli預測，該產品在高性能服務器、筆記本電腦、手機及有線通信設備等方面的應用將取得進展。
目前，GaN功率半導體正處于在研究室評測階段，或者剛開始商用化的階段。不過，GaN功率半導體與采用Si(硅)的功率MOSFET相比，具有導通電阻較低等優點，可提高電源電路的轉
- 關鍵字：
GaN MOSFET
- 基于模型的設計(MBD)因其在縮小實時系統抽象的數學建模和物理實現之間差距方面的光明前景而備受關注。通過使用相同的源代碼進行算法分析、架構探討、行為模擬和硬/軟件設計，MBD有望縮短系統設計周期。 無需通
- 關鍵字：
Generator System 賽靈思 參數
- LED點陣顯示屏是顯示公共信息的一種重要顯示終端，其中大屏幕LED點陣顯示屏在許多場合得以應用。大屏幕顯示所采用的技術比中小屏幕顯示難度更大，因為其屏幕大、LED點數多，要求在極短的時間內刷新每個點，使得其掃
- 關鍵字：
Embedded System CPLD LED
- 使用國產6H―SiC襯底的GaN HEMT外延材料研制出高工作電壓、高輸出功率的A1GaN／GaN HEMT。利用ICCAP軟件建立器件大信號模型，利用ADS軟件仿真優化了雙級GaNMMIC，研制出具有通孔結構的GaN MMIC芯片，連續波測試顯示，頻率為9．1～10．1 GHz時連續波輸出功率大于10W，帶內增益大于12 dB，增益平坦度為±0．2 dB。該功率單片為第一個采用國產SiC襯底的GaN MMIC。
- 關鍵字：
MMIC SiC GaN 襯底
- 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 宣布，成功開發出一種革命性的GaN功率器件技術平臺。與此前最先進的硅基技術平臺相比，該技術平臺可將關鍵特定設備的品質因子 (FOM) 提高1/10，顯著提高計算和通信、汽車和電器等終端設備的性能，并降低能耗。
開拓性GaN功率器件技術平臺是IR基于該公司的GaN器件專利技術，歷經5年研發而成的成果。
IR的GaN功率器件技術平臺有助于實現電源轉換解決方案的革命性進步。通過有效利用公司60年來在電源轉換專業知識方面
- 關鍵字：
IR 功率器件 GaN 終端
- 要預測客戶對一款手機性能的接受程度，從而預測手機設計的品質，需要進行實際使用測試。使用測試是一種很有價值...
- 關鍵字：
GAN 蜂窩 話音質量
- 目前，GPS系統已被廣泛地應用到人們生活的各個領域。隨著GPS定位理論研究的不斷深入以及硬件的不斷改進，GPS定位系統也日益完善。本文將從軟件實驗的角度分析GPS接收機高頻通道的工作原理；在此基礎上，設計一個增益分配方案，分析下變頻電路的噪聲特性，同時給出高頻通道電路在System View平臺上的系統仿真結果。
1 接收機的天線和傳輸損耗
GPS信號由于使用了碼元速率fb1=1.023MHz的擴頻碼(C/A碼)，調制后信號將占用2.046MHz帶寬。L1波段(1575.42MHz)信
- 關鍵字：
GPS System View 系統仿真 接收機
gan system介紹
您好，目前還沒有人創建詞條gan system!
歡迎您創建該詞條，闡述對gan system的理解，并與今后在此搜索gan system的朋友們分享。
創建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
