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納微半導(dǎo)體與您相約亞洲充電展，最新GaN+SiC技術(shù)展望快充未來(lái)

唯一全面專(zhuān)注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體近日宣布將參加于2024年3月20-22日在深圳福田會(huì)展中心舉辦的亞洲充電展，邀請(qǐng)觀眾造訪由最新氮化鎵和碳化硅技術(shù)打造，象征著全電氣化未來(lái)的“納微芯球”展臺(tái)。納微半導(dǎo)體將展出最新的GaNFast?和GeneSiC?應(yīng)用及解決方案，包括：●? ?功率水平更高、以應(yīng)用為導(dǎo)向的GaNSense? Halfbridge半橋氮化鎵技術(shù)●? ?高性能、速度快的第三代高速碳化硅技術(shù)●? &
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英飛凌攜手Worksport利用氮化鎵降低便攜式發(fā)電站的重量和成本

英飛凌科技股份公司近日宣布與Worksport Ltd.合作，共同利用氮化鎵（GaN）降低便攜式發(fā)電站的重量和成本。Worksport將在其便攜式發(fā)電站轉(zhuǎn)換器中使用英飛凌的GaN功率半導(dǎo)體GS-065-060-5-B-A提高效能和功率密度。在采用英飛凌GaN晶體管后，該功率轉(zhuǎn)換器將變得更輕、更小，系統(tǒng)成本也將隨之降低。此外，英飛凌還將幫助Worksport優(yōu)化電路和布局設(shè)計(jì)，進(jìn)一步縮小尺寸并提高功率密度。Worksport首席執(zhí)行官Steven Rossi表示：“英飛凌高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)和穩(wěn)固的供應(yīng)鏈為我們提供了
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EPC推出首款具有最低1mΩ導(dǎo)通電阻的GaN FET

全球增強(qiáng)型氮化鎵(GaN)功率 FET 和 IC領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）推出 100 V、1 mOhm EPC2361。這是市場(chǎng)上具有最低導(dǎo)通電阻的GaN FET，與EPC的上一代產(chǎn)品相比，其功率密度提高了一倍。EPC2361的RDS(on)典型值只有1 mOhm，采用耐熱QFN封裝，頂部裸露，封裝尺寸只有3 mm x 5 mm。EPC2361的RDS(on)最大值x面積僅為15 mΩ*mm2 –比等效100 V 硅MOSFET的體積小超過(guò)五倍。憑借超低導(dǎo)通電阻
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適用于自主駕駛車(chē)輛LiDAR的GaN FET快速指南

激光探測(cè)及測(cè)距 (LiDAR) 的應(yīng)用包括自主駕駛車(chē)輛、無(wú)人機(jī)、倉(cāng)庫(kù)自動(dòng)化和精準(zhǔn)農(nóng)業(yè)。在這些應(yīng)用中，大多都有人類(lèi)參與其中，因此人們擔(dān)心 LiDAR 激光可能會(huì)對(duì)眼睛造成傷害。為防止此類(lèi)傷害，汽車(chē) LiDAR 系統(tǒng)必須符合 IEC 60825-1 1 類(lèi)安全要求，同時(shí)發(fā)射功率不超過(guò) 200 W。通用解決方案一般采用 1 至 2 ns 脈沖，重復(fù)頻率為 1 至 2 MHz。這很有挑戰(zhàn)性，因?yàn)樾枰褂梦⒖刂破骰蚱渌笮蛿?shù)字集成電路 (IC) 來(lái)控制激光二極管，但又不能直接驅(qū)動(dòng)它，這樣就必須增加一個(gè)柵極
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帶隙對(duì)決：GaN和SiC，哪個(gè)會(huì)占上風(fēng)？

電力電子應(yīng)用希望納入新的半導(dǎo)體材料和工藝。
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SR-ZVS與GaN：讓電源開(kāi)關(guān)損耗為零的魔法

當(dāng)今，快充市場(chǎng)正迎來(lái)前所未有的機(jī)遇與挑戰(zhàn)。風(fēng)暴仍在繼續(xù)，快充市場(chǎng)的迅猛發(fā)展，用戶(hù)對(duì)于充電器的功率需求也在不斷增大；移動(dòng)設(shè)備的普及，用戶(hù)對(duì)于充電器體積的要求也越來(lái)越高；同時(shí)為了在激烈的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中脫穎而出，低成本是每個(gè)快充產(chǎn)品必須考慮的因素。種種這些都對(duì)快充技術(shù)的要求愈發(fā)嚴(yán)格，不僅需要高效率、高功率，還需要適應(yīng)多樣化的標(biāo)準(zhǔn)和滿(mǎn)足用戶(hù)個(gè)性化的需求。在種種挑戰(zhàn)之下，PI推出了InnoSwitch5-Pro 離線反激式開(kāi)關(guān)IC，在內(nèi)部集成750V或900V PowiGaN?初級(jí)開(kāi)關(guān)、初級(jí)側(cè)控制器、FluxLink?
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徹底弄清MOS管（NMOS為例

來(lái)自專(zhuān)欄芯片基礎(chǔ)課說(shuō)來(lái)慚愧，大二學(xué)了一遍模電數(shù)電，考研專(zhuān)業(yè)課又學(xué)了一遍模電數(shù)電，但拿到如下這張mos管結(jié)構(gòu)圖，讓我立馬說(shuō)出：【這是什么型mos管，標(biāo)準(zhǔn)符號(hào)襯底的箭頭指向哪里，簡(jiǎn)化符號(hào)柵極有沒(méi)有小圓圈，襯底該接高接低，柵極高電平導(dǎo)通還是低電平導(dǎo)通，導(dǎo)通電流方向是什么】的答案，時(shí)不時(shí)還真有點(diǎn)卡殼。這真的不能怪我們，是真的太繞了，比如PMOS管柵極居然是低電平有效，簡(jiǎn)化圖上輸入帶圈，這真的太反人性了。今天就用一篇文章把這些關(guān)系徹底理順，開(kāi)始吧！首先，你應(yīng)該已經(jīng)懂得：硅中參雜電子多的話(huà)，會(huì)在那里寫(xiě)個(gè)N，參雜空穴多
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EPC GaN FET可在數(shù)納秒內(nèi)驅(qū)動(dòng)激光二極管，實(shí)現(xiàn)75~231A脈沖電流

宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）推出三款激光驅(qū)動(dòng)器電路板，這些板采用了符合AEC-Q101認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)、快速轉(zhuǎn)換的GaN FET以實(shí)現(xiàn)具備卓越性能的激光雷達(dá)系統(tǒng)。EPC推出三款評(píng)估板，分別是EPC9179、EPC9181和EPC9180，它采用75 A、125 A、231 A脈沖電流激光驅(qū)動(dòng)器和通過(guò)車(chē)規(guī)級(jí)AEC-Q101認(rèn)證的EPC GaN FET - EPC2252、EPC2204A 和EPC2218A。它比前代氮化鎵器件的體積小30%和更具成本效益。這些電路板專(zhuān)為長(zhǎng)距離和
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低功耗 GaN 在常見(jiàn)交流/直流電源拓?fù)渲械膬?yōu)勢(shì)

消費(fèi)者希望日常攜帶的各種電子設(shè)備能夠配備便攜、快速和高效的充電器。隨著大多數(shù)電子產(chǎn)品轉(zhuǎn)向 USB Type-C? 充電器，越來(lái)越多的用戶(hù)希望可以使用緊湊型電源適配器為所有設(shè)備充電。在設(shè)計(jì)現(xiàn)代消費(fèi)級(jí) USB Type-C 移動(dòng)充電器、PC 電源和電視電源時(shí)，面臨的挑戰(zhàn)是如何在縮小解決方案尺寸的同時(shí)保持甚至提高功率水平。德州儀器的低功耗氮化鎵 (GaN) 器件有助于在各種最流行的拓?fù)渲薪鉀Q這一問(wèn)題，同時(shí)提供散熱、尺寸和集成方面的優(yōu)勢(shì)。在過(guò)去的幾十年里，隨著 GaN 等寬帶隙技術(shù)的發(fā)展，交流/直流拓?fù)?/li>
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瑞薩收購(gòu)Transphorm,利用GaN技術(shù)擴(kuò)展電源產(chǎn)品陣容

2024 年 1 月 11 日 3:00 p.m. JST，日本東京 | 2024 年 1 月 10 日 10:00 p.m. PST 加利福尼亞州戈利塔訊 - 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（以下“瑞薩”，TSE：6723）與全球氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體供應(yīng)商Transphorm, Inc.（以下“Transphorm”，Nasdaq：TGAN）于今天宣布雙方已達(dá)成最終協(xié)議，根據(jù)該協(xié)議，瑞薩子公司將以每股5.10美元現(xiàn)金收購(gòu)Transphorm所有已發(fā)行普通股，較Transphorm在2024年1月
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MOS 管的死區(qū)損耗計(jì)算

MOS 管在逆變電路，開(kāi)光電源電路中經(jīng)常是成對(duì)出現(xiàn)，習(xí)慣上稱(chēng)之為上管和下管，如圖Figure 1中的同步Buck 變換器，High-side MOSFET　為上管， Low-side MOSFET為下管．如果上管和下管同時(shí)導(dǎo)通，就會(huì)導(dǎo)致電源短路，ＭOS 管會(huì)損壞，甚至?xí)r電源損壞，這種損壞是災(zāi)難行動(dòng)，必須避免．由于MOS 的開(kāi)通和關(guān)斷都是有時(shí)沿的，為了避免上管和下管同時(shí)導(dǎo)通，造成短路現(xiàn)象，從而引入了死區(qū)的概念，也就是上下管同時(shí)關(guān)斷的區(qū)間，如圖Figure2 中的E 和 F.死區(qū)E---tDf: 上
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GaN新技術(shù)可使散熱能力提高2倍以上

近期，大阪公立大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)成功利用金剛石為襯底，制作出了氮化鎵（GaN）晶體管，其散熱性能是使用碳化硅（SiC）襯底制造相同形狀晶體管的兩倍以上，有望應(yīng)用于5G通信基站、氣象雷達(dá)、衛(wèi)星通信、微波加熱、等離子體處理等領(lǐng)域，該研究成果已發(fā)表在“Small”雜志上。隨著半導(dǎo)體技術(shù)不斷發(fā)展，功率密度和散熱等問(wèn)題日益凸顯，業(yè)界試圖通過(guò)新一代材料解決上述問(wèn)題。據(jù)悉，金剛石具備極強(qiáng)的導(dǎo)熱性能，氮化鎵具有寬帶隙和高導(dǎo)電性等特性，居于上述特性，以金剛石為襯底的氮化鎵晶體管被寄予厚望。在最新研究中，大阪公立大學(xué)的科學(xué)家們成
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使用 GaN 器件可以減小外置醫(yī)用 AC/DC 電源的體積

盡管電池技術(shù)和低功耗電路不斷取得進(jìn)步，但對(duì)于許多應(yīng)用來(lái)說(shuō)，完全不依賴(lài)純電池設(shè)計(jì)可能是不可行、不適用和無(wú)法接受的。醫(yī)療系統(tǒng)就屬于這類(lèi)應(yīng)用。相反，設(shè)備通常必須直接通過(guò) AC 線路運(yùn)行，或至少在電池電量不足時(shí)連接 AC 插座即可運(yùn)行。除了滿(mǎn)足基本的 AC/DC 電源性能規(guī)范外，醫(yī)用電源產(chǎn)品還必須符合監(jiān)管要求，即滿(mǎn)足電隔離、額定電壓、泄漏電流和保護(hù)措施 (MOP) 等不那么明顯的性能要求。制定這些標(biāo)準(zhǔn)是為了確保用電設(shè)備即使在電源或負(fù)載出現(xiàn)故障時(shí)，也不會(huì)給操作員或病人帶來(lái)危險(xiǎn)。與此同時(shí)，醫(yī)療電源的設(shè)計(jì)者必須不斷提地
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超高壓MOS在變頻器上的應(yīng)用

一、變頻器的定義及應(yīng)用領(lǐng)域變頻器的定義變頻器是應(yīng)用變頻技術(shù)與微電子技術(shù)，通過(guò)改變電機(jī)工作電源頻率方式來(lái)控制交流電動(dòng)機(jī)的電力控制設(shè)備。變頻器主要由整流（交流變直流）、濾波、逆變（直流變交流）、制動(dòng)單元、驅(qū)動(dòng)單元、檢測(cè)單元、微處理單元等組成。變頻器的應(yīng)用領(lǐng)域鋼鐵、軋鋼制線、電力、石油、造紙業(yè)等。變頻器的作用1、調(diào)整電機(jī)的功率，實(shí)現(xiàn)電機(jī)的變速運(yùn)行，達(dá)到省電的目的。2、降低電力線路中電壓的波動(dòng)，避免一旦電壓發(fā)生異常而導(dǎo)致設(shè)備的跳閘或者出現(xiàn)異常運(yùn)行的現(xiàn)象。3、減少對(duì)電網(wǎng)的沖擊，從而有效地減少無(wú)功損耗，增
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基于 GaN 的高效率 1.6kW CrM 圖騰柱PFC參考設(shè)計(jì) TIDA-00961 FAQ

高頻臨界模式 (CrM) 圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC) 是一種使用 GaN 設(shè)計(jì)高密度功率解決方案的簡(jiǎn)便方法。TIDA-00961 參考設(shè)計(jì)使用 TI 的 600V GaN 功率級(jí) LMG3410 和 TI 的 Piccolo?高頻臨界模式 (CrM) 圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC) 是一種使用 GaN 設(shè)計(jì)高密度功率解決方案的簡(jiǎn)便方法。TIDA-00961 參考設(shè)計(jì)使用 TI 的 600V GaN 功率級(jí) LMG3410 和 TI 的 Piccolo? F280049 控制器。功率級(jí)尺寸 65 x 4
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