蘇州市政府朱國強副秘書長介紹蘇州上半年經濟及IC產業發展情況
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IC 封裝測試
隨著電子、電力電子、電氣設備的應用范圍越來越廣泛，設備運行中產生的高密度、寬頻譜的電磁信號充滿了整個設備空間，形成了復雜的電磁環境從而造成了電磁干擾等情況。尤其在電源電路中，電磁環境最復雜，所受的
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EMC 研究 系統 電源 電路 IC
如今片上系統(SoC)技術已成為當今超大規模IC的發展趨勢，在移動通信終端以及消費電子產品中得到了廣泛的應用。SoC的設計技術包括IP復用、低功耗設計、可測性設計、深亞微米的物理綜合、軟硬件協同設計等，包含三大基本要素：一是多核、低功耗的設計;二是多種類IP的重用與集成;三是針對多種應用的可重配置軟件。SoC設計面臨的技術挑戰不僅與此相關，同時也需要設計公司、EDA工具供應商、晶圓制造廠等的通力協作。
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IC SoC
“十二五”期間，中國半導體產業將迎來又一個“黃金時期”。我國設計、制造乃至設備和材料企業競爭力不足的現象將得到改觀，我們在半導體產業鏈的各個環節都將出現具有國際競爭力的企業。
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IC 芯片制造
現在，大多數手持式設備都采用了兩種電池充電器，一種是線性充電器，另一種是開關充電器。線性充電器已有較長的歷史，充電方式比較簡單有效，噪聲很小，且沒有太多外部元件。但是，隨著便攜式設備越來越復雜，新功
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充電器 IC 電池 設備 手持 ISL9220
按iSuppli的報告，全球IC庫存水平從Q3開始增加。
全球半導體的庫存的天數(DOI)在2010 Q3上升到75.9天，相比Q2多了1.5天。Q3的DOI與季節性的平均值相比高出4.8%。
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IC 半導體 Q3
IC China2010即將于2010年10月21日-23日在蘇州國際博覽中心隆重開幕。高峰論壇、專題研討會圍繞“創新、整合、發展”主題突出、熱點凸顯，博覽會也一派盎然生氣，呈現出“新、特、多”的特點,亮點閃爍。
“新”，本屆展會是半導體產業經過全球金融危機沖擊，逐漸回暖后的一次產業盛會，也是國務院(2000)18號文件《國務院關于鼓勵軟件產業和集成電路產業發展的若干政策》發布十周年之際召開的一次盛會。從2011年開始，國家
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IC 半導體
目前模擬、內存與PC芯片等市場，似乎處于淡季狀態──如果不是真的衰退;那么，半導體產業究竟是正朝向成長速度趨緩、停滯，抑或是又一次恐怖的衰退?對此市場研究機構VLSI Research執行長G.DanHutcheson認為，以上皆非，芯片產業在2010年的熱啟動之后，將“回歸正常”。
也就是說，芯片市場會冷卻到某種程度，回到一個更合理的成長周期;但該市場仍有一些值得憂慮的地方──9月份全球芯片銷售額數字就是一個警訊，可能預示今年剩下的時間與明年，市場表現會不如預期。&ld
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IC 內存
目前模擬、存儲器、PC芯片及其它，雖不能言己下降，但是己呈現季節性的弱勢。
VLSI的總裁Dan Hutcheson認為在2010年初開始熱了一陣之后，目前IC工業可能回復到正常的狀態。有人說工業開始減緩，停頓或者是可怕的再次下降，也可能都不對。
換言之，IC市場已經開始變弱，正回到正常的理性增長循環周期。
之所以如此，因為9月的銷售額可能預示IC產業在今年的最后一個季度，包括明年的態勢有眾多的不確定性。
Hutcheson說，人們常說從9月可看全年。而今年的9月已真的轉弱，而
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Intel IC 存儲器
2008年至2009年，IC芯片市場在自身周期與宏觀經濟的雙重壓力下陷入深淵，產業所經歷的痛苦與磨難至今仍讓人記憶猶新。如今2010年已經過半，在全球經濟的復蘇前景仍未明朗之際，芯片市場卻獲得了超預期的反彈。
08-09這輪市場震蕩可謂是空前的。從全球晶圓出貨面積指數(圖1)中可以看到，晶圓出貨量在08年第四季度自由落體式地下跌，產業充斥著裁員、關廠、破產的消息。直到09年第一季度，市場跌到了谷底，開始有企穩跡象，但業界對反彈的前景非常謹慎。筆者清楚地記得在SEMICON China 2009的
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半導體 IC 晶圓
鋰離子電池因能量密度高，使得難以確保電池的安全性。具體而言，在過度充電狀態下，電池溫度上升后能量將過剩，于是電解液分解而產生氣體，因內壓上升而導致有發火或破裂的危機。反之，在過度放電狀態下，電解液因分
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原理 IC 保護 充電 鋰電池
日前，LSI 公司 宣布將向 OEM 客戶推出最新款 6Gb/s SAS 片上 RAID (ROC) IC，與其前代產品相比，該解決方案實現了 RAID 5 隨機每秒輸入/輸出 (IOPS) 超過兩倍的性能提升。LSISAS2208 雙核 SAS ROC 設計旨在優化當今服務器平臺中固態驅動器 (SSD) 的使用，同時無需在性能與可靠性之間做出權衡取舍。此外，隨著今后 PCI Express® 3.0 規范的推出，該產品還可輕松升級到未來的服務器平臺上。
LSI 存儲組件事業部高級營銷總
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LSI IC RAID
面向新式 uP 的高性能、高集成度電源 IC ：打入工業和醫療市場,背景飛思卡爾、邁威爾、ARM 和其它半導體廠商設計的高電源效率微處理器 (uP/CPU) 系列在日益擴充，目的是為多種無線、嵌入式和網絡應用提供低功耗和高性能的處理能力。這些微處理器產品開始時的設計意圖是幫助消費電
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uP IC 性能 高集成度
氮化鎵(GaN)作為第三代半導體材料的典型代表之一，由于其寬帶隙、高擊穿電場強度等特點，被認為是高頻功率半導體器件的理想材料。為研究GaN功率放大器的特點，基于Agilent ADS仿真軟件，利用負載／源牽引方法設計制作了一種S波段GaN寬禁帶功率放大器(10W)。詳細說明了設計步驟并對放大器進行了測試，數據表明放大器在2．3～2．4 GHz范圍內可實現功率超過15W，附加效率超過67％的輸出。實驗結果證實，GaN功率放大器具有高增益、高效率的特點。
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設計 功率放大器 GaN 一種
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