“硅是上帝送給人類的禮物，整個芯片業幾乎都拿到了這份禮物，無線通信領域應該盡快得到它。”RFaxis公司市場與應用工程副總裁錢永喜日前在接受媒體采訪時如是說。他認為傳統采用GaAs(砷化鎵)或SiGe(硅鍺)BiCMOS工藝制造RF射頻前端的時代“該結束”了，純CMOS工藝RF前端IC將在未來十年內主宰移動互聯網和物聯網時代。
業界對CMOS PA產品的熱情一直沒有減退。2014年6月，高通(Qualcomm)并購CMOS PA供應商Black S
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CMOS GaAs ZigBee
摘要：本文在試驗和理論兩個方面，系統研究了芯片熱機械應力特征。作者利用紅外熱成像技術研究了芯片內部熱機械應力隨工作電流的瞬態變化關系，發現芯片熱機械應力隨工作電流呈對數增長。同時本文利用有限元方法模擬計算了芯片熱機械應力在不同電流密度下與總工作電流的關系，從而驗證了上述實驗結論，并發現隨著電流密度增加芯片內部熱機械應力上升速率變快。
引言
隨著集成電路技術的發展，電路元件集成度不斷提高，盡管芯片總功耗在降低，由于芯片面積和元件尺寸不斷減小，導致芯片的熱功耗密度不斷增大，芯片內部溫度和熱機械
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集成電路 熱機械應力 紅外熱成像 GaAs 熱膨脹系數 201411
采用電路仿真ADS軟件進行了原理圖及版圖仿真，研究了增益控制電路在放大器中的位置對性能的影響。最終實現了在6~9GHz頻率范圍內，1 dB壓縮點輸出功率大于33 dBm,當控制電壓在-1~0 V之間變化時，放大器的增益在5~40dB之間變化，增益控制范圍達到了35 dB.將功率放大器與增益控制電路制作在同一個單片集成電路上，面積僅為3.5 mm×2.3 mm,具有靈活易用、集成度高和成本低的特點，可廣泛應用于衛星通信和數字微波通信等領域。
甚小口徑終端(verysmall apert
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功率放大器 可變增益 GaAs
1、LED芯片的制造流程是怎樣的?
LED芯片制造主要是為了制造有效可靠的低歐姆接觸電極，并能滿足可接觸材料之間最小的壓降及提供焊線的壓墊，同時盡可能多地出光。渡膜工藝一般用真空蒸鍍方法，其主要在1.33×10?4Pa高真空下，用電阻加熱或電子束轟擊加熱方法使材料熔化，并在低氣壓下變成金屬蒸氣沉積在半導體材料表面。一般所用的P型接觸金屬包括AuBe、AuZn等合金，N面的接觸金屬常采用AuGeNi合金。鍍膜后形成的合金層還需要通過光刻工藝將發光區盡可能多地露出來，使留下來的合金層能滿
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LED GaAs
全球領先的單芯/單模RF前端模塊提供商RFaxis公司宣布，榮獲北美Frost&Sullivan技術創新領導大獎。RFaxis致力于單芯/單模RF前端集成電路(RFeIC?)研發，推出獨特的無線通信RF前端解決方案。?Frost&Sullivan根據其對于無線通信射頻前端模塊(RF?FEM)市場的最新分析結果，認為RFaxis的創新解決方案實現了卓越性能、功能與經濟性的完美結合，已經得到證明是傳統GaAs?(砷化鎵)解決方案的理想替代選項?！ 鹘y上，FR
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RFaxis Frost&Sullivan GaAs RF
電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
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數字射頻存儲器 GaAs ADC 比較級電路
PIN二極管廣泛應用于限幅器、開關、衰減器、移相器等控制電路中。與MESFET和PHEMT器件相比較，PIN二極管...
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GaAs PIN 二極管 單刀雙擲開關
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超低噪聲 S頻段 放大器 GaAs
摘要：射頻開關作為一個系統的重要組成部分其性能直接影響整個系統的指標和功能。其中插入損耗和隔離度以及開關速度是射頻開關最重要的幾個指標。在實際測試中，S波段脈沖信號源需要產生快前沿的窄脈沖信號。在此基于
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單刀 單擲 開關 GaAs 波段 MMIC 技術 基于
在通信接收器中低噪聲放大器(LNA)對于從噪聲中析出信號十分關鍵?？刂葡到y內噪聲還有其他技術，包括過濾和低 ...
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GaAs PHEMT MMIC LNA
根據市場戰略研究公司Strategy Analytics分析：全球無線網絡基礎設施中使用砷化鎵（GaAs）半導體的市場預計將增長，從2011年的大約2.05億美元達到2015年約為3.2億美元。
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無線網絡 GaAs
隨著下游需求回溫，自2010年初以來，整體砷化鎵 (GaAs)市場需求回升。而在TriQuint、Skyworks及RFMD等全球砷化鎵IDM業者紛紛上調2010年度財測后，Avago也宣告調高 2010年2~4月的營收預估值。受惠于此，臺系砷化鎵晶圓代工廠宏捷科技以及穩懋半導體的單月營收皆持續攀升，市場預期業者的第2季也可望持續優于第1 季表現。
受惠于智能型手機(smartphone)出貨量持續成長，帶動功率放大器(PA)的需求，也反應在全球各家砷化鎵IDM業者的財測中。而臺系晶圓代工廠以及
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GaAs 晶圓代工
數據通信量的增加正在成為回程網絡的瓶頸
近年來，寬帶用戶數量明顯增加，并出現了大量手持移動互聯網設備(MID)。數據和視頻應用已超過話音(參見圖1)，導致傳輸網絡的需求量前所未有地急劇增長。市調專業機構ABIResearch最新報告顯示，2009年移動通信用戶總量將達到43億，2013年將接近54億。因此，數據在移動通信中所占比例將迅速增長。保持這種增長勢頭很大程度上取決于移動用戶能否獲得積極的寬帶體驗。為保證各類通信的服務質量(QoS)，收集和傳送數據的回程網絡必須與用戶需求保持同步。
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TriQuint 3G 4G GaAs
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