在實際的工業、實驗室等應用場景中,常常能夠見到一種現象:由于測溫設備的選用不當,導致產品、實驗等無法滿足需求,甚至產品召回以及返工,造成經濟損失的同時也對產品本身產生惡劣影響。為了避免這種情況的出現,一直以來,熱成像技術的研究者都在專注研發一款能夠提供最佳解決方案的測溫工具。
傳統的測溫工具諸如紅外點溫槍、熱電偶等基礎、單一的測溫工具已經完全不能滿足工業生產的需要。熱電偶僅局限于大致確定可能正確的測溫點,并且常常會產生不必要的散熱,改變待測目標的熱屬性;點溫儀每次只能測量一個溫度點,只能探測某一
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FLIR
ATmega32和ATmega64是基于增強的AVR RISC結構的低功耗8位CMOS微控制器。由于其先進的指令集以及單時鐘周期指令執行時間,ATmega64 的數據吞吐率高達1 MIPS/MHz,從而可以緩減系統在功耗和處理速度之間的矛盾。本文介紹基于ATmega32和ATmega64的經典設計方案,供大家參考。
基于ATmega32的漏電保護器智能化測試儀的設計
本文介紹的測試儀操作簡單,解決了手動測試方法存在的測量不準確的問題,達到了自動測量的目的,可檢測在線與非在線運行的漏電保護器
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AVR CMOS
ATmega16是基于增強的AVR RISC結構的低功耗8 位CMOS微控制器。由于其先進的指令集以及單時鐘周期指令執行時間,ATmega16 的數據吞吐率高達1 MIPS/MHz,從而可以減緩系統在功耗和處理速度之間的矛盾。本文將基于ATmega16的經典設計方案匯總,供大家參考。
采用ATMEGA16單片機設計的兩輪自平衡電動車
本文采用AVR Atmega16芯片作為主控制芯片,設計制作了兩輪的自平衡電動車。文中分析了測量角度和角速度傳感器的選擇,利用PID控制算法控制自平衡車的平衡
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CMOS PWM
根據市調公司Yole Developpement表示,隨著CMOS影像感測器在汽車應用的快速攀升,提高了對于從智慧型手機崛起轉型而來的市場成長率預期。從2014年至 2020年,全球 CMOS 影像感測器市場預計將以10.6%的年復合成長率(CAGR)成長,在2020年時達到162億美元的市場規模。
2013~2014年全球CMOS影像感測器生態系統經營模式變化(來源:Yole Developpement)
這表示該市場在2014年約有88.5億的市場價值,并且
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CMOS 傳感器
光學在半導體、電子、資通訊產業的運用相當廣泛,例如光電半導體的LED可做為燈號、照明;光電半導體的CCD、CMOS影像感測器可做數位相機、數位監控,光機電微系統的DMD可做投影機;光電晶體、耦合器用于自動控制等。
或者是光儲存,如BD藍光光碟片;或者是光通訊,如FTTH光纖到府寬頻,而光通訊實際上又分成有線與無線,有線如光纖到府,即xPON的各種被動式光學網路;或者是大企業的資訊機房、資料中心內所用的儲存區域網路SAN;消費性電子領域,如過去Sony MD用的光學S/
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光通訊 CCD CMOS
ESD(靜電放電)是CMOS電路中最為嚴重的失效機理之一,嚴重的會造成電路自我燒毀。論述了CMOS集成電路ESD保護的必要性,研究了在CMOS電路中ESD保護結構的設計原理,分析了該結構對版圖的相關要求,重點討論了在I/O電路中ESD保護結構的設計要求。
1 引言
靜電放電會給電子器件帶來破壞性的后果,它是造成集成電路失效的主要原因之一。隨著集成電路工藝不斷發展,CMOS電路的特征尺寸不斷縮小,管子的柵氧 厚度越來越薄,芯片的面積規模越來越大,MOS管能承受的電流和電壓也越來越小,而外圍的
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ESD CMOS
在當前圖像傳感器市場,CMOS傳感器以其低廉的價格得到越來越多消費者的青睞。在目前的應用中,多數采用軟件進行數據的讀取,但是這樣無疑會浪費指令周期,并且對于高速器件,采用軟件讀取在程序設計上、在時間配合上有一定的難度。因此,為了采集數據量大的圖像信號,本文設計一個以CPLD為核心的圖像采集系統,實現了對OV7110CMOS圖像傳感器的高速讀取,其讀取速率可達8 Mb/s。
1、硬件電路方案
圖1為基于CPLD的OV7110CMOS圖像傳感器的高速數據采集系統原理框圖,他主要由2個部分組成:
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CPLD CMOS OV7110
引言
但是,目前市場上的大部分基于CMOS圖像傳感器的圖像采集系統都是采用DSP與圖像傳感器相連,由DSP來控制圖像傳感器,然后由DSP采集到圖像后再通過USB接口將圖像數據傳輸到PC機進行后續的處理。這樣的圖像采集系統成本較高,功耗大,而且體積上也有一定的限制,并不適合一些簡單的應用。
本文設計了一種基于S3C2410的CMOS圖像傳感器數據采集系統。該系統成本更為低廉、結構更為簡單、設計更為新穎。
1 CMOS圖像傳感器結構性能及工作原理
該系統選用OmniVision公司
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ARM9 CMOS
金屬氧化物半導體元件(Complementary Metal-Oxide Semiconductor,CMOS)圖像傳感器和電荷耦合元件(Charge Coupled Device,CCD)攝像器件在20年前幾乎是同時起步的。CCD是應用在攝影攝像方面的高端技術元件,CMOS則應用于較低影像品質的產品中。由于CCD器件有光照靈敏度高、噪音低、像素小等優點,所以在過去15年里它一直主宰著圖像傳感器市場。與之相反,CMOS圖像傳感器過去存在著像素大,信噪比小,分辨率低這些缺點,一直無法和CCD技術抗衡。但
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CMOS 圖像傳感器
0 前言
織物上的疵點主要是由纖維上的花結引起的,計花器是紡織業中的一種常用設備,主要用于統計(或清除)紡錠上的花結,是確定纖維質量等級的主要依據。目前國產計花器主要有電容式和光電式兩種,精度較低,對高支纖維的處理較困難。本文提出利用CMOS圖像傳感器,進行纖維花結的感知,其精度可達0.02mm,完全可以滿足當前高支纖維的生產需要。
1 ME1010簡介
ME1010是一個使用方便的綜合圖像傳感器,由Microne公司采用專利結構開發,旨在使其更便于與計算機產品構成一個整體。不同于傳
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CMOS 圖像傳感器 ME1010
引言
CMOS圖像傳感器是近年來得到快速發展的一種新型固態圖像傳感器。它將圖像傳感部分和控制電路高度集成在同一芯片里,體積明顯減小、功耗也大大降低,滿足了對高度小型化、低功耗成像系統的要求。與傳統的CCD圖像傳感器相比,CMOS圖像傳感器還具有集成度高、控制簡單、價格低廉等諸多優點。因此隨著CMOS集成電路工藝的不斷進步和完善,CMOS圖像傳感器已經廣泛應用于各種通用圖像采集系統中。同時作為一種PC機與外圍設備間的高速通信接口,USB具有許多突出的有點:連接簡便,可熱插拔,無需定位及運行安裝程序
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USB CMOS
推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor) 推出新一代1,300萬像素(MP)圖像傳感器AR1335,擴充其寬廣的圖像產品系列。基于先進的1.1微米(μm)像素技術,AR1335確立了靈敏度新基準,量子效率 (QE) 和線性電位井容量也得以顯著提升。這圖像傳感器專為智能手機相機應用而設計,帶來近乎數碼相機的成像優質體驗,同時也針對移動設備優化了功耗和占板空間。
安森美半導體為高性能智能手機傳感器開發了創新的 1.1 μm像素技術,先進的像素和顏色濾波陣列 (CF
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安森美 CMOS 傳感器
剛剛過去的2014年,加速了全球物聯網的落地和普及,通過無線網絡進行連接已漸成主流。未來5年,全球將有超過500億個終端相互連接,進入一個全新的互聯網時代。
然而,在一直被視為“高資本行業”的整個芯片產業,射頻前端芯片作為移動網絡連接的關鍵部分,卻仍舊面臨著一些挑戰,技術良莠不齊的產業發展瓶頸亟待解決。
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RFaxis市場與應用工程副總裁錢永喜
據了解,目前射頻器件的主流制造材料是砷化鎵,射頻元件的成本較高,眾多廠商都希望尋找更高性價
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物聯網 射頻 CMOS
“硅是上帝送給人類的禮物,整個芯片業幾乎都拿到了這份禮物,無線通信領域應該盡快得到它。”RFaxis公司市場與應用工程副總裁錢永喜日前在接受媒體采訪時如是說。他認為傳統采用GaAs(砷化鎵)或SiGe(硅鍺)BiCMOS工藝制造RF射頻前端的時代“該結束”了,純CMOS工藝RF前端IC將在未來十年內主宰移動互聯網和物聯網時代。
業界對CMOS PA產品的熱情一直沒有減退。2014年6月,高通(Qualcomm)并購CMOS PA供應商Black S
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CMOS GaAs ZigBee
今年國內中低端智能手機的爆發對PA需求不斷放大。從第二季度開始,PA芯片市場便處于供貨緊張的狀態,5月下旬更出現斷貨問題,PA芯片供給缺口越來越大。集微網記者今天有幸采訪到國內射頻前端廠商中普微電子的CEO焦健堂先生,業內親切的稱呼他“焦叔“,聊聊中普微電子的現狀以及未來PA市場的發展前景。
2015年PA市場供貨吃緊狀態難解
PA(功率放大器)是手機中除主芯片外最重要的外圍元件之一,影響著手機的信號強度、通信質量以及基站效率。2G手機時代僅需要兩顆PA,而4G手機
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功率放大器 4G CMOS
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