CMOS影像感測器(CIS)市場近年因智慧型手機大幅成長，未來則可望在汽車、醫療和安控等嵌入式應用推助下持續向上攀升，預期2014～2020年復合年均成長率將高達10.6%。看好此一商機，中小型CIS晶片商正競相展開技術布局，期進一步擴大市場占有率。
CMOS影像感測器(CMOS Image Sensor, CIS)市場即將風云變色，眾家廠商為卡位新商機，可謂八仙過海、各顯神通。Yole Developpement指出，智慧型手機雖占現今CIS市場應用大宗，但汽車、醫療和安全監控等新興應用需求已
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CMOS 圖像傳感器
CMOS影像感測器(CIS)市場近年因智慧型手機大幅成長，未來則可望在汽車、醫療和安控等嵌入式應用推助下持續向上攀升，預期2014～2020年復合年均成長率將高達10.6%。看好此一商機，中小型CIS晶片商正競相展開技術布局，期進一步擴大市場占有率。
CMOS影像感測器(CMOS Image Sensor, CIS)市場即將風云變色，眾家廠商為卡位新商機，可謂八仙過海、各顯神通。Yole Developpement指出，智慧型手機雖占現今CIS市場應用大宗，但汽車、醫療和安全監控等新興應用需求已
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傳感器 CMOS
近日，中國內地集成電路晶圓代工企業—中芯國際集成電路制造有限公司，與全球領先的信息和通信解決方案供應商華為、微電子研究中心之一比利時微電子研究中心(imec)、國際無晶圓半導體廠商Qualcomm Incorporated的附屬公司Qualcomm Global Trading Pte. Ltd.在京簽約，宣布共同投資中芯國際集成電路新技術研發(上海)有限公司，開發下一代CMOS邏輯工藝。
中芯國際集成電路新技術研發(上海)有限公司由中芯國際控股，華為、imec、Qualcomm各占
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中芯國際 CMOS
整體半導體產業正在嘗試找到一種方法，不需要從矽基板轉換而利用砷化銦鎵(InGaAs)的更高電子遷移率，包括英特爾(Intel)與三星(Samsung);而IBM已經展示了如何利用標準CMOS制程技術來達成以上目標。
上個月IBM展示了一種將三五族(III-V)砷化銦鎵化合物放到絕緣上覆矽(SOI)晶圓的技術，現在該公司有另一個研究團隊則是聲稱發現了更好的方法，采用標準塊狀矽晶圓并制造出矽上砷化銦鎵證實其可行性。
IBMResearch先進功能材料部門經理、CMOS專家JeanFompeyr
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IBM CMOS
毫無疑問，索尼是2014年全球感光元件銷售的大贏家，市場占有率達到了40%，而他們剛剛推出A7R II更是首款搭載背照式CMOS的全畫幅相機。其圖像傳感器技術已大幅領先。但“大法”傳感器到底有何厲害?他們是怎樣發展出現在的技術?FRAMOS Technologies Inc.技術專家Darren Bessette使用一系列圖文講述了索尼六代圖像傳感器進化史。
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索尼 CMOS
混合信號，一種說法是未來的系統將是大型的混合信號系統，它所占的比例將會增加一倍，從目前的33%到2005年的66%;另一種說法是每一部份都是建立在超深次微米CMOS上的大型數位晶片，將來的ASICs會用到多達一千五百萬個邏輯們，而類比和混合信號電路將會被留在晶片之外。
RF和混合信號設計的藝術與科學
設計和生產混合信號IC不是件易事，尤其是包含RF功能時尤為如此。之所以存在如此大規模獨立的模擬和分立IC市場，是因為模擬與數字IC相結合不是一個簡單、明了的過程。模擬和RF設計一直被認為是&l
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ASICs CMOS
當前VLSI技術不斷向深亞微米及納米級發展，模擬開關是模擬電路中的一個十分重要的原件，由于其較低的導通電阻，極佳的開關特性以及微小封裝的特性，受到人們的廣泛關注。模擬開關導通電阻的大小直接影響開關的性能，低導通電阻不僅可以降低信號損耗而且可以提高開關速度。要減小開關導通電阻，可以通過采用大寬長比的器件和提高柵源電壓的方法，可是調節器件的物理尺寸不可避免地會帶來一些不必要的寄生效應，比如增大器件的寬度會增加器件面積進而增加柵電容，脈沖控制信號會通過電容耦合到模擬開關的輸入和輸出，在每個開關周期其充放電過
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CMOS 模擬開關
美國記憶體技術開發商Nantero最近宣布進行新一輪融資，并準備“浮出水面”──因為該公司認為其獨家的非揮發性隨機存取記憶體(non-volatile random access memory，NRAM;或稱Nano-RAM)，已經準備好取代企業應用或消費性應用市場上的儲存級記憶體。
Nantero已經向新、舊投資人募得3,150萬美元資金，可用以加速NRAM的研發;該公司執行長Greg Schmergel在接受EE Times 美國版編輯電話訪問時表示，NRAM是以碳奈
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NRAM，CMOS
隨著智能手機的興起，對于聲音品質和輕薄短小的需求越來越受到大家的重視，近年來廣泛應用的噪聲抑制及回聲消除技術均是為了提高聲音的品質。相比于傳統的駐極體式麥克風(ECM)，電容式微機電麥克風采用硅半導體材料制作，這便于集成模擬放大電路及ADC(∑-ΔADC)電路，實現模擬或數字微機電麥克風元件，以及制造微型化元件，非常適合應用于輕薄短小的便攜式裝置。本文將針對CMOS微機電麥克風的設計與制造進行介紹，并比較純MEMS與CMOS工藝微導入麥克風的差異。
電容式微麥克風原理
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CMOS
當前VLSI技術不斷向深亞微米及納米級發展，模擬開關是模擬電路中的一個十分重要的原件，由于其較低的導通電阻，極佳的開關特性以及微小封裝的特性，受到人們的廣泛關注。模擬開關導通電阻的大小直接影響開關的性能，低導通電阻不僅可以降低信號損耗而且可以提高開關速度。要減小開關導通電阻，可以通過采用大寬長比的器件和提高柵源電壓的方法，可是調節器件的物理尺寸不可避免地會帶來一些不必要的寄生效應，比如增大器件的寬度會增加器件面積進而增加柵電容，脈沖控制信號會通過電容耦合到模擬開關的輸入和輸出，在每個開關周期其充放電過
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CMOS 模擬開關
高速ADC的性能特性對整個信號處理鏈路的設計影響巨大。系統設計師在考慮ADC對基帶影響的同時，還必須考慮對射頻(RF)和數字電路系統的影響。由于ADC位于模擬和數字區域之間，評價和選擇的責任常常落在系統設計師身上，而系統設計師并不都是ADC專家。
還有一些重要因素用戶在最初選擇高性能ADC時常常忽視。他們可能要等到最初設計樣機將要完成時才能知道所有系統級結果，而此時已不太可能再選擇另外的ADC。
影響很多無線通信系統的重要因素之一就是低輸入信號電平時的失真度。大多數無線傳輸到達ADC的信號
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ADC CMOS
近日，在北京市科委先導與優勢材料創新發展專項支持下，北京大學彭練矛教授團隊在世界上首次研制出10納米碳納米管互補金屬氧化物半導體(CMOS)器件。與同尺寸硅基器件相比，該器件速度是其5倍，而功耗僅為1/5。該團隊還在世界上首次成功制備出含有100個晶體管的碳納米管集成電路。
下一步，該團隊將繼續優化碳納米管CMOS器件制備工藝，建立標準的碳基CMOS器件技術加工平臺，并基于該平臺開發碳納米管CPU，最終推動碳基集成電路在下一代通用芯片和消費電子等領域的應用。
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碳納米管 CMOS
人有五官，用來辨別和感受外界環境的變化，而傳感器是電子行業的五官，什么是傳感器？傳感器關鍵廠商專利布局重點有那些？技術要項又有那些？
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傳感器 CMOS
“TTL電平”最常用于有關電專業，如：電路、數字電路、微機原理與接口技術、單片機等課程中都有所涉及。在數字電路中只有兩種電平(高和低)高電平+5V、低電平0V.同樣運用比較廣泛的還有CMOS電平、232電平、485電平等。
TTL電路
TTL集成電路的主要型式為晶體管-晶體管邏輯門(transistor-transistor logic gate)，TTL大部分都采用5V電源。
1.輸出高電平Uoh和輸出低電平Uol
Uoh≥2.4V，Uol&le
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TTL CMOS
1 引言
AT89S52是一種低功耗、高性能CMOS8位微控制器，具有8K 在系統可編程Flash 存儲器。AT89S52使用Atmel 公司高密度非易失性存儲器技術制造，與工業80C51 產品指令和引腳完全兼容。片上flash允許程序存儲器在系統可編程，亦適于常規編程器。在單芯片上，AT89S52擁有靈巧的8 位CPU 和在系統可編程Flash，使得AT89S52為眾多嵌入式控制應用系統提供高靈活、超有效的解決方案。AT89S52具有以下標準功能： 8k字節Flash，256字節RAM，32
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AT89S52 CMOS
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