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用于RF收發(fā)器的簡單基帶處理器
- 本文詳細地描述了RF基帶處理器的一般設計原則，并使用ADI公司的AD9361 FPGA參考設計討論了BBP的實際硬件實施。本文中提出的相關(guān)基帶處理器允許對數(shù)據(jù)進行處理，以使其在兩個RF系統(tǒng)之間進行無線傳輸。
- 關(guān)鍵字： RF基帶 BBP AD9361 FPGA 201701
便攜式伺服機構(gòu)靜態(tài)測試儀的系統(tǒng)設計
- 本文基于某火箭配套各級伺服機構(gòu)產(chǎn)品油面電壓及充氣壓力的靜態(tài)測試，設計了一套便攜式伺服機構(gòu)靜態(tài)檢測儀。系統(tǒng)硬件采用模塊化設計，分為數(shù)據(jù)采集模塊、數(shù)據(jù)顯示存儲模塊和供電模塊，采用FPGA+A/D芯片的方案對高速數(shù)據(jù)采集處理和控制，基于AM3359的嵌入式單板機開發(fā)平臺對數(shù)據(jù)進行存儲和實時顯示，供電使用鉛酸電池;系統(tǒng)軟件采用基于Labview2011虛擬儀器技術(shù)，軟件按功能分為數(shù)據(jù)采集模塊、數(shù)據(jù)處理模塊、數(shù)據(jù)存儲模塊和錯誤處理模塊。系統(tǒng)具有測量精度高，實時性好，操作簡單和便攜等優(yōu)點，滿足伺服機構(gòu)的生產(chǎn)、試驗、外
- 關(guān)鍵字： FPGA 便攜式 模塊化 201701
大陸韓國擴產(chǎn)競賽 Flash后年產(chǎn)能恐過剩
- 儲存型快閃存儲(NANDFlash)軍備競賽再起，南韓存儲大廠SK海力士決定再投資3.16兆韓元(約27億美元)，在南韓及大陸兩地增加存儲產(chǎn)能;紫光集團旗下的長江存儲武漢廠，也預定本月底正式動土，都為2018年供給過于求再現(xiàn)，埋下隱憂。 目前各市調(diào)機構(gòu)均看好明年NANDFlash仍處于供不應求局面，但南韓存儲大廠SK海力士上周宣布將在南韓蓋一座全新快閃存儲廠，在中國大陸也將加碼投資9,500億韓元，擴充產(chǎn)能，希望市占率能趕上三星，但也為NANDFlash市場投下新變數(shù)。 稍早三星和美光也都
- 關(guān)鍵字： Flash 晶圓
為滿足NAND Flash市場需求 SK海力士建新廠
- SK海力士宣布將在忠清北道清州市新建一個存儲器晶圓廠，滿足NAND Flash市場增加的需求。新工廠將坐落在清州科技園。SK海力士下個月開始設計外部的建設，2017年8月到2019年6月期間完成潔凈室的裝備，總投資達2.2兆韓元(18.4億美金)。 SK海力士表示，公司決定額外的新建一座Fab工廠，主要是為了確保能夠滿足NAND Flash市場需求的增長，以及引導向3D NAND發(fā)展。加之，考慮到通常建立一個半導體工廠需要超過2年，所以提前做好準備。 SK海力士曾在20
- 關(guān)鍵字： NAND Flash SK海力士
2016年度電子產(chǎn)品世界編輯推薦獎獲獎名單
- 2016年度電子產(chǎn)品世界編輯推薦獎，經(jīng)過5個月的征集、評選和投票環(huán)節(jié)，最終獲獎名單揭曉，恭喜27家廠商的26個產(chǎn)品獲得2016年度電子產(chǎn)品世界編輯推薦獎。感謝74家廠商和2000多名受邀網(wǎng)友對本次活動的大力支持!獎項獲獎產(chǎn)品獲獎公司備注最佳本土芯片32?位HR8P506上海東軟載波微電子?最佳MCUSTM32L011意法半導體?最佳FPGACrossLink?可編程橋接芯片萊迪思半導體?最佳模擬芯片低噪聲心率及ECG模擬前端AD8233亞德諾半導體?最佳電源管理芯片用于USB&nb
- 關(guān)鍵字： 芯片 FPGA
Flash數(shù)據(jù)為何不翼而飛
- 芯片貼板后跑不起來?Flash里面的數(shù)據(jù)在使用過程中莫名改變或不翼而飛?程序丟失可能無法正常運行，從而造成整個系統(tǒng)崩潰，下面我們來看看是什么原因讓數(shù)據(jù)異常變化。 1、用戶代碼對Flash的誤操作不當引起程序丟失或被錯誤改寫 例如，在有對Flash寫入或擦除操作的代碼中，如果用戶誤調(diào)用了寫入或擦除函數(shù)或者由于程序跑飛而恰好執(zhí)行了Flash擦除或?qū)懭牒瘮?shù)，這自然會導致數(shù)據(jù)丟失或改變。針對以上情況，可以在程序中設置多個允許操作的變量，當執(zhí)行寫入或擦除操作時，對
- 關(guān)鍵字： Flash 芯片
NAND Flash供不應求，第三季品牌商營收大幅季成長19.6%
- TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)最新調(diào)查顯示，受惠于智能手機需求強勁，及供給端2D-NAND 轉(zhuǎn)進3D-NAND 所導致的整體產(chǎn)出減少，第三季NAND Flash開始漲價，使得NAND Flash原廠營收季成長19.6%，營業(yè)利益率也較上季大幅進步。 DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，第四季各項終端設備出貨進入今年最高峰，預估整體NAND Flash供不應求的市況將更為顯著，各項NAND Flash產(chǎn)品的合約價漲幅將更高，廠商的營收
- 關(guān)鍵字： NAND Flash 英特爾
Flash缺貨，存儲器成為三星的搖錢樹
- NAND Flash缺貨，加上SSD可能是新款電子產(chǎn)品的重要選擇，缺貨現(xiàn)象可能延續(xù)到2017Q1。(法新社) 根據(jù)DIGITIMES的報導，NAND Flash缺貨，加上SSD可能是新款電子產(chǎn)品的重要選擇，缺貨現(xiàn)象可能延續(xù)到2017Q1以后。估計2017年DRAM供應量成長率是15%，比2016年的32%低很多，而Flash更是從67%暴跌至35%。更值得注意的是，2016年投資金額為10兆韓元的記憶體產(chǎn)業(yè)，2017年將增加至13兆韓元，其中4兆韓元用于DRAM，F(xiàn)lash則約9兆韓元，遠不如原
- 關(guān)鍵字： Flash 存儲器
中國存儲三大勢力成形 各自進擊
- 早前報導，中國存儲三大勢力成形，目前長江存儲、晉華集成已積極展開建廠、布建產(chǎn)能，就差合肥團隊還未有相關(guān)消息，現(xiàn)在相關(guān)招募信息與環(huán)評結(jié)果曝光，也透露更多發(fā)展信息。 中國發(fā)展存儲成三路進擊，除了由武漢新芯與紫光合體組成的長江存儲、聯(lián)電相助的福建晉華集成，第三勢力在兆易創(chuàng)新與前中芯CEO王寧國主導的合肥長鑫合作下也蠢蠢欲動，現(xiàn)在從兆易創(chuàng)新的招募消息與合肥長鑫的環(huán)評公告，也可一窺其在合肥的布局。 合肥將發(fā)展存儲的消息已不是新聞，但原先傳出與合肥市政府合作的爾必達前社長坂本幸雄，目前得到消息已淡出合
- 關(guān)鍵字： 長江存儲 Flash
我國人工智能“黃金時代”即將到來 工業(yè)智能化將無處不在
- 隨著人工智能商業(yè)化進程的逐步加快，相關(guān)企業(yè)紛紛加大人工智能研發(fā)力度，布局速度也越來越快。而在人工智能的全球大潮下，我國擁有自己的特定機會。 當前，人工智能產(chǎn)業(yè)的發(fā)展真的到了商業(yè)化的拐點嗎?其實，目前的人工智能還處在技術(shù)紅利期，距離它真正的應用期還需要3-5年。人工智能應用的持續(xù)落地將為人類帶來全新智能革命，就像19世紀的工業(yè)革命。但任何一個產(chǎn)業(yè)在發(fā)展歷程中，除了自身內(nèi)部技術(shù)的突破和革新，外部資本的推動作用同樣不可或缺，而人工智能同樣如此。 我國產(chǎn)業(yè)發(fā)展優(yōu)勢明顯 人工智能產(chǎn)業(yè)發(fā)展已走過
- 關(guān)鍵字： 人工智能 FPGA
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