- 格羅方德半導體(GLOBAL FOUNDRIES)今日發布一種全新的半導體工藝，以滿足新一代聯網設備的超低功耗要求。“22FDX™”平臺提供的性能和功耗媲美FinFET，而成本則與28nm平面晶體管工藝相當，為迅速發展的移動、物聯網、RF連接和網絡市場提供了一個最佳解決方案。
雖然某些設備對三維FinFet晶體管的終極性能有要求，但大多數無線設備需要在性能、功耗和成本之間實現更好的平衡。22FDX 采用業內首個22nm二維全耗盡平面晶體管技術(FD-SOI)工
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格羅方德 FD-SOI
- GlobalFoundries今天宣布推出全新的“22FDX”工藝平臺，全球第一家實現22nm FD-SOI(全耗盡絕緣硅)，專為超低功耗芯片打造。 FD-SOI技術仍然采用平面型晶體管， 目前并不為業內看好，因為無論Intel還是三星、臺積電，22n時代起就紛紛轉入了立體晶體管，也就是FinFET。GlobalFoundries技 術實力欠佳，自己搞不出足夠好的立體晶體管技術，22nm上只能繼續改進平面型，20nm上努力了一陣放棄了，14nm索性直接借用三星的。
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GlobalFoundries FD-SOI
- 在我們大多數人“非黑即白”、“非此即彼”的觀念里，半導體業者應該不是選擇FinFET就是FD-SOI制程技術;不過既然像是臺積電(TSMC)、GlobalFoundrie或三星(Samsung)等晶圓代工廠，必須要同時提供以上兩種制程產能服務客戶，有越來越多半導體制造商也正在考慮也致力提供“兩全其美”的制程技術。
例如飛思卡爾半導體(Freescale Semiconductor)最近就透露，該公司正在14至16奈米節點采用
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FinFET FD-SOI
- 身為記者，我有時候會需要經過一系列的資料收集──通常包含非正式評論、隨機事實(random facts)、推特文章、研討會/座談會資料或是公關宣傳稿，然后才能把許多線索串聯在一起;全空乏絕緣上覆矽(Fully depleted silicon-on-insulator，FD-SOI)就是一個例子。
我從美國旅行到中國接著又到歐洲，在與電子產業人士討論技術的過程中，發現FD-SOI從一個不容易了解的名詞，逐漸變得越來越“有形”。關于這個技術，我在最近這幾個星期所收集到的隨機
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晶圓 FD-SOI
- 最近越來越多工程師關注CAN FD，同時也會向虹科反饋CAN FD的產品應用信息。編者覺得對于CAN FD的發布，對于中國的工程師或者是中國對CAN技術的應用將會迎來新的契機。試想，國外累計了20多年的CAN技術呈現出來的新技術-CAN FD，在它誕生沒多久就可以見證和陪伴它的“成長”，對于技術工程師來說是多么美妙的事情。
剛好上個月參加CiA在天津的CAN FD技術發布會，期間編者有幸擔當CiA 主席的Holger的現場翻譯，也是收獲良多。當第一次接觸CAN FD，現場
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CAN FD
- CAN-FD總線協議選件發布，支持高達15Mbps數據速率的總線控制局域網性能。優勢在于現代汽車電子領域的管理解決方案。R&S RTx-K9選件使得R&S RTE和R&S RTO用戶能夠分析總線接口和協議觸發。基于硬件解碼分析能夠使用示波器快速的找到錯誤，加速CAN FD接口協議測試的認證和調試過程。
客戶可以直接觸發報文起始，報文結束和數據值，并且可以采用高性能的搜索功能找出相關的事件。解碼后的報文結果可以以不同顏色表示的報文內容顯示或者以表格形式顯示。在解碼總線配置時
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羅德與施瓦茨 CAN-FD
- 橫跨多重電子應用領域的全球領先的半導體供應商意法半導體公布了2013年可持續發展報告(Sustainability Report)。意法半導體連續17年公布可持續發展報告。報告內容全面地介紹意法半導體在2013年實施的可持續發展戰略、政策和業績，并例證了可持續發展計劃如何在企業經營中發揮重要作用，為所有的利益相關者創造價值。
意法半導體公司總裁兼首席執行官Carlo Bozotti表示：“意法半導體在很早之前就認識到了可持續發展的重要性，20年來，可持續發展已成為意法半導體核心戰略的
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意法半導體 FD-SOI 可持續發展
- CAN FD 到底是什么意思?全雙工?頻域?還是消防局?都不是，實際上它是 CAN 領域的最新技術，FD 代表 Flexible Data-rate(靈活數據速率)，幾年前由博世公司的一篇白皮書引入該領域，目前已經過標準化，成了 ISO11898-1 的更新版本。 控制域網絡 (CAN) 是一個常見的通信協議及總線，主要用于對微處理器需要通信的分布式應用進行互連。眾所周知，該技術植根于汽車領域。經過多年的發展壯大，它目前可用于工業控制、現場總線、大型家用電器、航空航天甚至咖啡機等眾多應用。這種協議層
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CAN FD TI ISO11898-2
- Teledyne LeCroy 今天發布業界首個CAN FD觸發和解碼解決方案，進一步豐富了已有的汽車電子測試工具(CAN, LIN, FlexRay, SENT, MOST 和 BroadR Reach)。CAN FD觸發和解碼功能可以幫助設計者洞察被測系統，將物理層信號和協議層數據同時顯示在一個界面上。CAN FD觸發功能可以隔離Frame ID、特定數據包、remote frames 以及 error frames。解碼功能運用不同顏色的背景疊層，清晰標識出數據不同的幀結構，允許用戶快速識別出諸
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力科 CAN FD Frame ID
- 電子技術的變革，讓人們的生活不斷智能化，智能化手機，電視，家居，汽車甚至機器人和人體輔助設備等。意法半導體追尋的理念就是科技引領智能生活，意法半導體執行副總裁兼數字融合事業部總經理GIAN LUCA BERTINO，論述ST在智能電視和智能化家居方面的企業戰略及技術演進。
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ST 機頂盒 多媒體處理器 FD-SOI
- 隨著智能手機功能最近不斷升級演化，消費者的期望值日益攀升。速度更快的多核高主頻CPU處理器、令人震撼的3D圖形、全高清多媒體和高速寬帶現已成為高端手機的標配。同時，消費者還期望手機纖薄輕盈，電池續航能力至少
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助力 平臺 NovaThor 下一代 FD-SOI:
- 在一場近日于美國舊金山舉行的FD-SOI (fully depleted silicon on insulator)技術研討會上，產業組織SOI Consortium所展示的文件顯示， FD-SOI 制程技術藍圖現在直接跳過了20nm節點，直接往14nm、接著是10nm發展。
根據SOI Consortium執行總監Horacio Mendez在該場會議上展示的投影片與評論指出，14nm FD-SOI技術問世的時間點約與英特爾 (Intel)的14nmFinFET相當，而兩者的性能表現差不多，F
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ST FD-SOI 10nm
- 12月13日，意法半導體宣布其在28納米 FD-SOI 技術平臺的研發上又向前邁出一大步，即將在位于法國Crolles的12寸(300mm)晶圓廠投產該制程技術，這證明了意法半導體以28納米技術節點提供平面全耗盡技術的能力。在實現極其出色的圖形、多媒體處理性能和高速寬帶連接功能的同時，而不犧牲電池的使用壽命的情況下，嵌入式處理器需具有市場上最高的性能及最低的功耗，意法半導體28納米技術的投產可解決這一挑戰，滿足多媒體和便攜應用市場的需求。
FD-SOI技術平臺包括全功能且經過硅驗證的設計平臺和設
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ST 晶圓 FD-SOI
- 橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)宣布其在28納米 FD-SOI技術平臺的研發上又向前邁出一大步，即將在位于法國Crolles的12寸(300mm)晶圓廠投產該制程技術，這證明了意法半導體以28納米技術節點提供平面全耗盡技術的能力。
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意法 納米 FD-SOI
- 橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)宣布，引領全球半導體技術升級的半導體代工廠商 GLOBALFOUNDRIES將采用意法半導體專有的 FD-SOI(Fully Depleted Silicon-on-Insulator，全耗盡絕緣體上硅)技術為意法半導體制造28納米和20納米芯片。當今的消費者對智能手機和平板電腦的期望越來越高，要求既能處理精美的圖片，支持多媒體和高速寬帶上網功能，同時又不能犧牲電池壽命。在設
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意法 芯片 FD-SOI
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