elitesic mosfet 文章 最新資訊
MOSFET基本原理、參數(shù)及米勒效應(yīng)全解
- 1MOSFET基本工作原理1.1小功率MOSFET場效應(yīng)管（FET）是利用輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件，由于緊靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電，又稱單極型晶體管。場效應(yīng)管分為結(jié)型和絕緣柵兩種，因?yàn)榻^緣柵型晶體管（MOSFET，下面簡稱MOS管）的柵源間電阻比結(jié)型大得多且比結(jié)型場效應(yīng)管溫度穩(wěn)定性好、集成化時工藝簡單，因而目前普遍采用絕緣柵型晶體管。MOS管分為N溝道和P溝道兩類，每一類又分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種，只要柵極-源極電壓uGS為零時漏極電流也為零的管子均屬于增強(qiáng)型管，只要柵極-源極
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功率MOSFET的工作原理
- 功率MOSFET的開通和關(guān)斷過程原理(1)開通和關(guān)斷過程實(shí)驗(yàn)電路(2)MOSFET 的電壓和電流波形：(3)開關(guān)過程原理：開通過程[ t0 ~ t4 ]：-- 在 t0 前，MOSFET 工作于截止?fàn)顟B(tài)，t0 時，MOSFET 被驅(qū)動開通;-- [t0-t1]區(qū)間，MOSFET 的GS 電壓經(jīng)Vgg 對Cgs充電而上升，在t1時刻，到達(dá)維持電壓Vth，MOSFET 開始導(dǎo)電;-- [t1-t2]區(qū)間，MOSFET 的DS 電流增加，Millier 電容在該區(qū)間內(nèi)因DS 電容的放電而放電，對GS 電容的充電
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第三代電力電子半導(dǎo)體SiC MOSFET：聚焦高效驅(qū)動方案
- 第三代電力電子半導(dǎo)體SiC MOSFET：聚焦高效驅(qū)動方案相比傳統(tǒng)的硅MOSFET，SiC MOSFET可實(shí)現(xiàn)在高壓下的高頻開關(guān)。新能源、電動汽車、工業(yè)自動化等領(lǐng)域，SiC MOSFET（碳化硅-金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）憑借高頻、高功率、低損耗等卓越性能，SiC MOSFET驅(qū)動方案備受關(guān)注。然而，SiC MOSFET的獨(dú)特器件特性，也意味著它們對柵極驅(qū)動電路有特殊的要求。本文將圍繞SiC MOSFET的驅(qū)動方案展開了解，其中包括驅(qū)動過電流、過電壓保護(hù)以及如何為SiC MOSFET選擇合
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Nexperia出色的SiC MOSFET分立器件采用越來越受歡迎的D2PAK-7封裝
- Nexperia近日宣布，公司現(xiàn)推出業(yè)界領(lǐng)先的1200 V碳化硅(SiC) MOSFET，采用D2PAK-7表面貼裝器件(SMD)封裝，有30、40、60和80 mΩ RDSon值可供選擇。這是繼Nexperia于2023年底發(fā)布兩款采用3引腳和4引腳TO-247封裝的SiC MOSFET分立器件之后的又一新產(chǎn)品，它將使其SiC MOSFET產(chǎn)品組合迅速擴(kuò)展到包括RDSon值為17、30、40、60和80 mΩ 且封裝靈活的器件。隨著NSF0xx120D7A0的發(fā)布，Nexperia正在滿足市場對采用D2
- 關(guān)鍵字： Nexperia SiC MOSFET D2PAK-7
用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低側(cè)柵極驅(qū)動器
- Littelfuse公司是一家工業(yè)技術(shù)制造公司，致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動力。公司隆重宣布推出IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器。 這款創(chuàng)新的驅(qū)動器專門設(shè)計用于驅(qū)動工業(yè)應(yīng)用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。IX4352NE的主要優(yōu)勢在于其獨(dú)立的9A拉/灌電流輸出，支持量身定制的導(dǎo)通和關(guān)斷時序，同時將開關(guān)損耗降至最低。 內(nèi)部負(fù)電荷調(diào)節(jié)器還能提供用戶可選的負(fù)柵極驅(qū)動偏置，以實(shí)現(xiàn)更高的dV/dt抗擾度和更快的關(guān)斷速度。 該驅(qū)動器
- 關(guān)鍵字： SiC MOSFET IGBT 低側(cè)柵極驅(qū)動器
欠電壓閉鎖的一種解釋
- 了解欠壓鎖定（UVLO）如何保護(hù)半導(dǎo)體器件和電子系統(tǒng)免受潛在危險操作的影響。當(dāng)提到電源或電壓驅(qū)動要求時，我們經(jīng)常使用簡化，如“這是一個3.3 V的微控制器”或“這個FET的閾值電壓為4 V”。這些描述沒有考慮到電子設(shè)備在一定電壓范圍內(nèi)工作——3.3 V的微型控制器可以在3.0 V至3.6 V之間的任何電源電壓下正常工作，而具有4 V閾值電壓的MOSFET可能在3.5 V至5 V之間獲得足夠的導(dǎo)電性。但即使是這些基于范圍的規(guī)范也可能具有誤導(dǎo)性。當(dāng)VDD軌降至2.95V時，接受3.0至3.6 V電源電壓的數(shù)字
- 關(guān)鍵字： 欠電壓閉鎖，UVLO MOSFET，IC
MOSFET開關(guān)損耗簡介
- 本文將通過解釋MOSFET功耗的重要來源來幫助您優(yōu)化開關(guān)模式調(diào)節(jié)器和驅(qū)動器電路。MOSFET的工作可以分為兩種基本模式：線性和開關(guān)。在線性模式中，晶體管的柵極到源極電壓足以使電流流過溝道，但溝道電阻相對較高。跨溝道的電壓和流過溝道的電流都是顯著的，導(dǎo)致晶體管中的高功耗。在開關(guān)模式中，柵極到源極電壓足夠低以防止電流流動，或者足夠高以使FET處于“完全增強(qiáng)”狀態(tài)，在該狀態(tài)下溝道電阻大大降低。在這種狀態(tài)下，晶體管就像一個閉合的開關(guān)：即使大電流流過通道，功耗也會很低或中等。隨著開關(guān)模式操作接近理想情況，功耗變得可
- 關(guān)鍵字： MOSFET 開關(guān)損耗
一文詳解電池充電器的反向電壓保護(hù)
- 處理電源電壓反轉(zhuǎn)有幾種眾所周知的方法。最明顯的方法是在電源和負(fù)載之間連接一個二極管，但是由于二極管正向電壓的原因，這種做法會產(chǎn)生額外的功耗。雖然該方法很簡潔，但是二極管在便攜式或備份應(yīng)用中是不起作用的，因?yàn)殡姵卦诔潆姇r必須吸收電流，而在不充電時則須供應(yīng)電流。另一種方法是使用圖 1 所示的 MOSFET 電路之一。圖 1：傳統(tǒng)的負(fù)載側(cè)反向保護(hù)對于負(fù)載側(cè)電路而言，這種方法比使用二極管更好，因?yàn)殡娫? (電池) 電壓增強(qiáng)了 MOSFET，因而產(chǎn)生了更少的壓降和實(shí)質(zhì)上更高的電導(dǎo)。該電路的 NMOS 版本比 PM
- 關(guān)鍵字： MOSFET 電源電壓反轉(zhuǎn)
解析LLC諧振半橋變換器的失效模式
- 在功率轉(zhuǎn)換市場中，尤其對于通信/服務(wù)器電源應(yīng)用，不斷提高功率密度和追求更高效率已經(jīng)成為最具挑戰(zhàn)性的議題。對于功率密度的提高，最普遍方法就是提高開關(guān)頻率，以便降低無源器件的尺寸。零電壓開關(guān)(ZVS)拓?fù)湟蚓哂袠O低的開關(guān)損耗、較低的器件應(yīng)力而允許采用高開關(guān)頻率以及較小的外形，能夠以正弦方式對能量進(jìn)行處理，開關(guān)器件可實(shí)現(xiàn)軟開閉，因此可以大大地降低開關(guān)損耗和噪聲。在這些拓?fù)渲校葡郱VS全橋拓?fù)湓谥小⒏吖β蕬?yīng)用中得到了廣泛采用，因?yàn)榻柚β蔒OSFET的等效輸出電容和變壓器的漏感可以使所有的開關(guān)工作在ZVS狀態(tài)下
- 關(guān)鍵字： LLC MOSFET ZVS 變換器
談?wù)剮追N常用的MOSFET驅(qū)動電路
- 一、MOS管驅(qū)動簡述MOSFET因?qū)▋?nèi)阻低、開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)被廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源中。MOSFET的驅(qū)動常根據(jù)電源IC和MOSFET的參數(shù)選擇合適的電路。在使用MOSFET設(shè)計開關(guān)電源時，大部分人都會考慮MOSFET的導(dǎo)通電阻、最大電壓、最大電流。但很多時候也僅僅考慮了這些因素，這樣的電路也許可以正常工作，但并不是一個好的設(shè)計方案。更細(xì)致的，MOSFET還應(yīng)考慮本身寄生的參數(shù)。對一個確定的MOSFET，其驅(qū)動電路，驅(qū)動腳輸出的峰值電流，上升速率等，都會影響MOSFET的開關(guān)性能。當(dāng)電源IC與MOS管選定之
- 關(guān)鍵字： MOSFET
破解電動汽車充電難題，這款SiC功率模塊有絕招
- EliteSiC功率集成模塊如何賦能電動汽車充電設(shè)施？安森美電源解決方案事業(yè)部，工業(yè)電源部，副總裁兼總經(jīng)理Sravan Vanaparthy從產(chǎn)品性能、設(shè)計優(yōu)勢、核心應(yīng)用等角度展開了深入講解。EliteSiC功率集成模塊系列有什么亮點(diǎn)？安森美最新推出了用于電動汽車充電站的最新EliteSiC 功率集成模塊系列，其中集成了最新一代碳化硅MOSFET "M3S"。該系列提供了九種不同的模塊選項，具有不同的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）、封裝尺寸和配置，以滿足不同的終端市場需求。產(chǎn)品的多樣性是
- 關(guān)鍵字： EliteSiC 仿真工具 電路仿真 充電站
Microchip推出基于dsPIC? DSC的新型集成電機(jī)驅(qū)動器將控制器、柵極驅(qū)動器和通信整合到單個器件
- 為了在空間受限的應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高效、實(shí)時的嵌入式電機(jī)控制系統(tǒng)，Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）推出基于dsPIC?數(shù)字信號控制器（DSC）的新型集成電機(jī)驅(qū)動器系列。該系列器件在一個封裝中集成了dsPIC33 數(shù)字信號控制器 （DSC）、一個三相MOSFET柵極驅(qū)動器和可選LIN 或 CAN FD 收發(fā)器。這種集成的一個顯著優(yōu)勢是減少電機(jī)控制系統(tǒng)設(shè)計的元件數(shù)量，縮小印刷電路板（PCB）尺寸，并降低復(fù)雜性。該系列器件的支持資源包括開發(fā)板、參考設(shè)計、應(yīng)用筆記和 Micr
- 關(guān)鍵字： dsPIC 數(shù)字信號控制器 MOSFET 電機(jī)控制
Qorvo SiC FET與SiC MOSFET優(yōu)勢對比
- 在之前一篇題為《功率電子器件從硅（Si）到碳化硅（SiC）的過渡》的博文中，我們探討了碳化硅（SiC）如何成為功率電子市場一項“顛覆行業(yè)生態(tài)”的技術(shù)。如圖1所示，與硅（Si）材料相比，SiC具有諸多技術(shù)優(yōu)勢，因此我們不難理解為何它已成為電動汽車（EV）、數(shù)據(jù)中心和太陽能/可再生能源等許多應(yīng)用領(lǐng)域中備受青睞的首選技術(shù)。圖1.硅與碳化硅的對比眾多終端產(chǎn)品制造商紛紛選擇采用SiC技術(shù)替代硅基工藝，來開發(fā)基于雙極結(jié)型晶體管（BJT）、結(jié)柵場效應(yīng)晶體管（JFET）、金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）和絕緣
- 關(guān)鍵字： Qorvo SiC MOSFET
英飛凌為汽車應(yīng)用推出業(yè)內(nèi)導(dǎo)通電阻最低的80 V MOSFET OptiMOS? 7
- 英飛凌科技股份公司近日推出其最新先進(jìn)功率MOSFET?技術(shù)——?OptiMOS? 7 80 V的首款產(chǎn)品IAUCN08S7N013。該產(chǎn)品的特點(diǎn)包括功率密度顯著提高，和采用通用且穩(wěn)健的高電流SSO8 5 x 6 mm2 SMD封裝。這款OptiMOS? 7 80 V產(chǎn)品非常適合即將推出的?48 V板網(wǎng)應(yīng)用。它專為滿足高要求汽車應(yīng)用所需的高性能、高質(zhì)量和穩(wěn)健性而打造，包括電動汽車的汽車直流-直流轉(zhuǎn)換器、48 V電機(jī)控制（例如電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)（EPS））、48 V電池開關(guān)以及電動
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 MOSFET OptiMOS
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