1993年世界上第一只GaN基藍色LED問世以來，LED制造技術的發展令人矚目。目前國際上商品化的GaN基LED均是...
關鍵字：
LED芯片 硅襯底 GaN
Ⅲ族氮化物半導體材料廣泛用于紫、藍、綠和白光發光二極管，高密度光學存儲用的紫光激光器，紫外光探測器，...
關鍵字：
MOCVD GaN LED芯片
摘要：氮化鎵功率管的寬帶隙、高擊穿電場等特點，使其具有帶寬寬，高效特性等優點。為了研究GaN功率放大器的特點，使用了Agilent ADS等仿真軟件，進行電路仿真設計，設計制作了一種S波段寬帶GaN功率放大器。詳述了電
關鍵字：
GaN S波段 寬帶 放大器
摘要：為了實現GaN基量子阱紅外探測器，利用自洽的薛定諤-泊松方法對GaN基多量子阱結構的能帶結構進行了研究。考慮了GaN基材料中的自發極化和壓電極化效應，通過設計適當的量子阱結構，利用自發極化和壓電極化的互補
關鍵字：
設計 探測器 紅外 量子 GaN
氮化鎵(GaN)作為第三代半導體材料的典型代表之一，由于其寬帶隙、高擊穿電場強度等特點，被認為是高頻功率半導體器件的理想材料。為研究GaN功率放大器的特點，基于Agilent ADS仿真軟件，利用負載／源牽引方法設計制作了一種S波段GaN寬禁帶功率放大器(10W)。詳細說明了設計步驟并對放大器進行了測試，數據表明放大器在2．3～2．4 GHz范圍內可實現功率超過15W，附加效率超過67％的輸出。實驗結果證實，GaN功率放大器具有高增益、高效率的特點。
關鍵字：
設計 功率放大器 GaN 一種
A change in the forward voltage (VF) for a string of series-connected, high-brightness LEDs (HB LEDs) can indicate deterioration or complete failure of one or more of the LEDs. Accordingly, this circu
關鍵字：
switch-mode monitoring Diagnose cycle
目前國際上商品化的GaN基LED均是在藍寶石襯底或SiC襯底上制造的。但藍寶石由于硬度高、導電性和導熱性差等原因，對后期器件加工和應用帶來很多不便，SiC同樣存在硬度高且成本昂貴的不足之處，而價格相對便宜的Si襯底由于有著優良的導熱導電性能和成熟的器件加工工藝等優勢，因此Si襯底GaN基LED制造技術受到業界的普遍關注。
關鍵字：
GaN LED 襯底 功率型
美國iSuppli公布了關于GaN(氮化鎵)功率半導體市場將迅速增長的調查報告)。報告顯示，2010年的市場規模近乎為零，但3年后到2013年將猛增至1.836億美元。各廠商將以替代現有功率MOSFET的方式，不斷擴大市場規模。iSuppli預測，該產品在高性能服務器、筆記本電腦、手機及有線通信設備等方面的應用將取得進展。
目前，GaN功率半導體正處于在研究室評測階段，或者剛開始商用化的階段。不過，GaN功率半導體與采用Si(硅)的功率MOSFET相比，具有導通電阻較低等優點，可提高電源電路的轉
關鍵字：
GaN MOSFET
使用國產6H―SiC襯底的GaN HEMT外延材料研制出高工作電壓、高輸出功率的A1GaN／GaN HEMT。利用ICCAP軟件建立器件大信號模型，利用ADS軟件仿真優化了雙級GaNMMIC，研制出具有通孔結構的GaN MMIC芯片，連續波測試顯示，頻率為9．1～10．1 GHz時連續波輸出功率大于10W，帶內增益大于12 dB，增益平坦度為±0．2 dB。該功率單片為第一個采用國產SiC襯底的GaN MMIC。
關鍵字：
MMIC SiC GaN 襯底
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 宣布，成功開發出一種革命性的GaN功率器件技術平臺。與此前最先進的硅基技術平臺相比，該技術平臺可將關鍵特定設備的品質因子 (FOM) 提高1/10，顯著提高計算和通信、汽車和電器等終端設備的性能，并降低能耗。
開拓性GaN功率器件技術平臺是IR基于該公司的GaN器件專利技術，歷經5年研發而成的成果。
IR的GaN功率器件技術平臺有助于實現電源轉換解決方案的革命性進步。通過有效利用公司60年來在電源轉換專業知識方面
關鍵字：
IR 功率器件 GaN 終端
要預測客戶對一款手機性能的接受程度，從而預測手機設計的品質，需要進行實際使用測試。使用測試是一種很有價值...
關鍵字：
GAN 蜂窩 話音質量
Cree發布了兩款突破性的GaN HEMT三極管，用于覆蓋4.9-5.8GHz頻帶的WiMAX。新款三極管CGH55015F與CGH55030F是首次發布的特定工作在5.8GHz的GaN HEMT WiMAX產品，其性能級別進一步證實了Cree在GaN技術上的的領導地位。
新款15-watt與30-watt器件的重要潛在特性包括：
1. 相比于類似功率級的GaAs MOSFET器件，效率增加四倍
2. 相比于商業可用硅LDMOS，提高了工作頻率
3. 在免授權的5.8G
關鍵字：
三極管 WiMAX Cree GaN
研究人員介紹，他們第一次在200mm硅（111）晶圓上沉積了無裂縫的AlGaN/GaN結構。高清晰XRD測量顯示出很高的晶體質量，并且研究人員還報告了“出色的”表面形貌和均勻性。AlGaN和GaN薄膜是在Aixtron應用實驗室的300mmCRIUS金屬-有機化學氣相外延（MOVPE）反應腔中生長的。???????
“對實現在大尺寸硅晶圓上制作GaN器件的目標來說，在200mm硅晶圓上生長出
關鍵字：
硅晶圓 GaN 200mm MEMC
要預測客戶對一款手機性能的接受程度，從而預測手機設計的品質，需要進行實際使用測試。使用測試是一種很有價值的工具，本文將介紹如何進行此類測試。
UMA/GAN是一種能讓移動電話在傳輸話音、數據、既有話音也有數據或既無話音也無數據時在蜂窩網絡(例如 GERAN--GSM/EDGE 無線接入網)和IP接入網絡(例如無線 LAN)之間無縫切換的系統。作為網絡融合發展過程中一項里程碑式的技術，UMA/GAN能讓手機用戶得以享受固定寬帶網提供的服務。UMA/GAN最初叫做免許可移動接入(UMA)網，之后被3
關鍵字：
移動電話 UMA GAN SEGW WLAN
e-mode gan介紹
您好，目前還沒有人創建詞條e-mode gan!
歡迎您創建該詞條，闡述對e-mode gan的理解，并與今后在此搜索e-mode gan的朋友們分享。
創建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473