目前，氮化鎵(GaN)技術已經不再局限于功率應用，其優勢也在向射頻/微波行業應用的各個角落滲透，而且對射頻/微波行業的影響越來越大，不容小覷。因為它可以實現從太空、軍用雷達到蜂窩通信的應用。雖然GaN通常與功率放大器(PA)相關度很高，但它也有其他用例。自推出以來，GaN的發展歷程令人矚目，隨著5G時代的到來，它可能會更加引人關注。
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GaN RF
目前射頻前端元器件基本均由半導體工藝制備，如手機端的功率放大器(PA)和低噪聲放大器(LNA)主要基于GaN、GaAs、SOI、SiGe、Si，射頻(RF)開關主要基于CMOS、Si、GaAs和GaN材料，從目前的材料工藝角度來看，主要針對5G的Sub-6GHz范圍。以PA為例，許多業內人士認為，GaN技術的運用將能為PA帶來高效低功耗的優勢。
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射頻 GaN
今年整個產業在技術上也是節節攀升，2018年可以說是產業高速發展的一年，全球電子產業也產生了眾多技術突破。
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芯片，GaN
目前，以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代化合物半導體受到的關注度越來越高，它們在未來的大功率、高溫、高壓應用場合將發揮傳統的硅器件無法實現的作用。特別是在未來三大新興應用領域(汽車、5G和物聯網)之一的汽車方面，會有非常廣闊的發展前景。 然而，SiC和GaN并不是終點，最近，氧化鎵(Ga2O3)再一次走入了人們的視野，憑借其比SiC和GaN更寬的禁帶，該種化合物半導體在更高功率的應用方面具有獨特優勢。因此，近幾年關于氧化鎵的研究又熱了起來。 實際上，氧化鎵并不是很新的技術，多年前就
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半導體 SiC GaN
移動應用、基礎設施與航空航天應用RF 解決方案的領先供應商 Qorvo?(納斯達克代碼：QRVO)憑借行業首款 28 Ghz 氮化鎵 (GaN)
前端模塊 (FEM) --- QPF4001 FEM，擴大了其 5G 業務范圍。在基站設備制造商涉足 5G 之后，這款新 FEM
可以幫助他們降低總體系統成本。 據 SNS Telecom & IT 介紹，28 GHz 頻段是早期基于 5G 的固定無線接入 (FWA) 部署的首選頻段，使運營商能夠滿足
5G 對速度、延遲、可靠性和容量的
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QORVO GAN
在多倫多一個飄雪的寒冷日子里。 我們幾個人齊聚在本地一所大學位于地下的高級電力電子研究實驗室中，進行一場頭腦風暴。有點諷刺意味的是，話題始終圍繞著熱量，當然不是要生熱取暖，而是如何減少功率轉換器產生的熱量。我們已經將MOSFET和IGBT分別做到了極致，但是我們中沒有人對此感到滿意。在這個探討過程中，我們盤點了一系列在高壓環境中失敗的設備。 在那個雪花漫天飛舞的日子里，我們聚焦于選擇新方法和拓撲，以尋求獲得更高的效率和密度，當然也要找到改進健全性的途徑。一位高級研究員幫助總
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德州儀器 GaN
從“磚頭”手機到笨重的電視機，電源模塊曾經在電子電器產品中占據相當大的空間，而且市場對更高功率密度的需求仍是有增無減。 硅電源技術領域的創新曾一度大幅縮減這些應用的尺寸，但卻很難更進一步。在現有尺寸規格下，硅材料無法在所需的頻率下輸出更高的功率。而對于即將推出的5G無線網絡，以及未來的機器人、可再生能源直至數據中心技術，功率都是一個至關重要的因素。 “工程師現在處于一個非常尷尬的境地，一方面他們無法在現有空間內繼續提高功率，但同時又不希望增大設備所需的空間，”德州儀器產品經理Masoud Behe
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GaN，機器人
當今的半導體行業正在經歷翻天覆地的變化，這主要是由于終端市場需求變化和重大整合引起。幾十年前，業內有許多家射頻公司，它們多半活躍于相同的市場，如今這種局面已被全新的市場格局所取代 - 有多個新興市場出現，多家硅谷公司與傳統芯片制造商進行重大兼并和收購。究竟有哪些因素推動著市場格局不斷變化? 哪些因素在推動變革? 半導體行業格局的變化從根本上由兩個要求驅動：對無所不在的傳感和連接的需求。無論人們身處世界的哪個位置，無論在家中還是在工作場所，都希望能夠安全、有效地與他人溝通交流。市場不再僅僅滿足蜂窩手
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射頻半導體 GaN
德州儀器(TI)近日宣布推出支持高達10kW應用的新型即用型600 V氮化鎵(GaN)，50mΩ和70mΩ功率級產品組合。與AC/DC電源、機器人、可再生能源、電網基礎設施、電信和個人電子應用中的硅場效應晶體管(FET)相比，LMG341x系列使設計人員能夠創建更小、更高效和更高性能的設計。 德州儀器的GaN FET器件系列產品通過集成獨特的功能和保護特性，來實現簡化設計，達到更高的系統可靠性和優化高壓電源的性能，為傳統級聯和獨立的GaN FET提供了智能替代解決方案。通過集成的<100ns電
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德州儀器 GaN
SiC和GaN MOSFET技術的出現，正推動著功率電子行業發生顛覆式變革。這些新材料把整個電源轉換系統的效率提高了多個百分點，而這在幾年前是不可想象的。 在現實世界中，沒有理想的開關特性。但基于新材料、擁有超低開關損耗的多種寬禁帶器件正在出現，既能實現低開關損耗，又能處理超高速率dv/dt轉換，并支持超快速開關頻率，使得這些新技術既成就了DC/DC轉換器設計工程師的美夢，但同時也變成了他們的惡夢。 比如一名設計工程師正在開發功率轉換應用，如逆變器或馬達驅動控制器，或者正在設
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SiC GaN
納微(Navitas)半導體公司宣布成為2018年11月4日至7日在中國深圳舉辦的第二屆國際電力電子技術及應用會議(IEEEPEAC'2018)的鉆石贊助商。在此次大會上，納微將發布并展示GaNFast功率IC的重大發展成果，這些進展推動業界實現的新一代電源系統，將會打造能效、功率密度和快速充電的全新基準。 這些技術發展成果從27W到300W，包括用于智能手機、筆記本電腦、一體式電腦、電視/顯示器以及GPU的充電器和適配器應用。納微將展示客戶
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GaN 電源 IC
橫跨多重電子應用領域的全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)和CEA Tech下屬的研究所Leti今天宣布合作研制硅基氮化鎵(GaN)功率開關器件制造技術。該硅基氮化鎵功率技術將讓意法半導體能夠滿足高能效、高功率的應用需求，包括混動和電動汽車車載充電器、無線充電和服務器。 本合作項目的重點是開發和檢測在200mm晶片上制造的先進的硅基氮化鎵功率二極管和晶體管架構。研究公司IHS認為，該市場將在2019年至2024[1]年有超過2
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意法半導體 GaN
生成對抗網絡(GAN)是當今最流行的圖像生成方法之一，但評估和比較 GAN 產生的圖像卻極具挑戰性。之前許多針對 GAN 合成圖像的研究都只用了主觀視覺評估，一些定量標準直到最近才開始出現。本文認為現有指標不足以評估 GAN 模型，因此引入了兩個基于圖像分類的指標——GAN-train 和 GAN-test，分別對應 GAN 的召回率(多樣性)和精確率(圖像質量)。研究者還基于這兩個指標評估了最近的 GAN 方法并證明了這些方法性能的顯著差異。上述評估指標表明，數據集復雜程度(從 CIFAR10 到
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GAN
TI正在設計基于GaN原理的綜合質量保證計劃和相關的應用測試來提供可靠的GaN解決方案。氮化鎵(GaN)的材料屬性可使電源開關具有令人興奮且具有突破性的全
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GaN 可靠性 綜合方法
作為電源工程師，我們能夠回憶起第一次接觸到理想化的降壓和升壓功率級的場景。還記得電壓和電流波形是多么的漂亮和簡單(圖1)，以及平均電流的計算是
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GaN 升降壓 電源
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