- DRAM產業產品價格一再破底，但DRAM廠募資腳步卻從未停歇，像茂德計劃募資是為尋找活下去的救命錢，爾必達(Elpida)日前也宣布要發行500 億日圓(約新臺幣179億元)新股和近300億日圓的可轉債，決定大舉投入30納米和25納米制程，并加碼行動裝置用存儲器的技術投資。不過由于爾必達這次在市場景氣低迷之際，進行如此大規模的募資行動，也引發市場不小爭議。
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爾必達 DRAM
- 據IHS iSuppli公司的研究，隨著DRAM市場過渡到效率更高的低納米技術，該產業的成本削減及節省步伐從2012年開始將放緩。
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DRAM 納米
- 據路透社報道，世界第三大芯片制造商日本爾必達公司近日計劃發行新股和可轉換債券，融資近800億日元(折合9.92億美元)。爾必達從傳統的DRAM芯片生產轉向了更為有利可圖的智能手機芯片生產，因此需要此筆資金進行新的研發和生產。
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爾必達 DRAM
- 聯電榮譽副董事長宣明智暗指臺塑集團可以出面集成臺灣DRAM產業，南亞科表示，無法評論此事;存儲器業界則認為，臺塑集團雖然資金實力雄厚，但DRAM 產業走到現在已不是資金問題，沒有技術和專利也是關鍵，現在就算再投錢集成，也未必拼得過韓廠，而臺塑集團這幾年DRAM產業投資并沒有得到等值回報，或許茂德財務狀況圓滿解決后，有非常劃算的機會可取，臺塑才會考慮與美光(Micron)合作切入，否則光是投錢集成，臺塑意愿恐怕不大。
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臺塑 DRAM
- 存儲器產業度過辛苦的第2季后，第3季景氣恐沒有這么快復蘇，業界預期NANDFlash產業景氣在第3季中之后，會隨著消費性電子產品需求出籠而開始翻揚，但業界對于DRAM市場看法則是分歧，7月合約價續跌已成定局，部分業者認為8月中開始價格可止跌，但另一派業者則認為DRAM報價到年底都不會反轉，且恐有續跌的可能性，整體來看，下半年NANDFlash景氣微幅優于DRAM產業，但好日子也不會維持太長。
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存儲器 DRAM
- 據IHS iSuppli公司的研究，隨著DRAM市場過渡到效率更高的低納米技術，該產業的成本削減及節省步伐從2012年開始將放緩。
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DRAM 光刻
- 茂德再度啟動2次減資計劃，繼2010年4月宣布減資65%后，2011年7月6日董事會中再度通過減資85%，預計將在第3季底前完成減資程序，之后將辦理增資引進策略性投資人，市場屢次點名的老面孔鴻海、聯電等大型集團，再度被提出來討論。
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茂德 DRAM
- 最近幾個季度DRAM產業在推低光刻節點方面比較積極，但在今年剩余時間內力度將逐漸減弱。今年第一季度DRAM產業的加權平均節點從2010年第四季度的5.3%上升到5.6%，表明推動DRAM技術遷移的力度在增大。。在此期間，成本降幅從7.8%增大至14.2%，晶圓成本下降情況與光刻工藝的變化相符。據IHS iSuppli公司的研究，隨著DRAM市場過渡到效率更高的低納米技術，該產業的成本削減及節省步伐從2012年開始將放緩。
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Inotera DRAM
- 存儲器產業度過辛苦的第2季后，第3季景氣恐沒有這么快復蘇，業界預期NAND Flash產業景氣在第3季中之后，會隨著消費性電子產品需求出籠而開始翻揚，但業界對于DRAM市場看法則是分歧，7月合約價續跌已成定局，部分業者認為8月中開始價格可止跌，但另一派業者則認為DRAM報價到年底都不會反轉，且恐有續跌的可能性，整體來看，下半年NAND Flash景氣微幅優于DRAM產業，但好日子也不會維持太長。
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存儲器 DRAM
- 據IHS iSuppli公司的研究，隨著DRAM市場過渡到效率更高的低納米技術，該產業的成本削減及節省步伐從2012年開始將放緩。
雖然最近幾個季度DRAM產業在推低光刻節點方面比較積極，但在今年剩余時間內力度將逐漸減弱。今年第一季度該產業的加權平均節點從2010年第四季度的5.3%上升到5.6%，表明推動DRAM技術遷移的力度增大。在此期間，成本降幅從7.8%增大至14.2%，晶圓成本下降情況與光刻工藝的變化相符。
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DRAM 50納米
- 茂德申請負債降息暫化解當前財務危機后，引進新資金成為當務之急，業界已傳出多組人馬正評估有條件投資茂德，或對旗下中科12吋晶圓廠有興趣，近期已有第1個出價者浮現，內存業界傳出世界先進出價新臺幣100億元，想買茂德12吋廠，且推測背后應是獲得臺積電默許，主要系因驅動IC未來采12吋廠生產較具成本優勢，世界先進可趁此機會撿便宜。不過，茂德和世界先進對此事都予以否認?！?/li>
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茂德中科 DRAM
- 瑞晶董事會日前通過30納米制程轉換資本支出18.15億元決議案，并沖刺單月產能到年底達到8.8萬片，成為邁向30納米制程進展最快的臺系DRAM廠。此外，董事會也通過，向臺灣歐力士公司申請機器設備售后租回融資約10億元，持續添購重要半導體制程設備如ASML的浸潤機臺等?！?/li>
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瑞晶 DRAM
- 力成科技積極自內存封測業務往先進封裝技術布局，繼先前買下茂德廠房以作為實驗工廠后，轉投資公司聚成科技的新竹廠也在3月動土，預計2012年第3季裝機試產。力成董事長蔡篤恭表示，實驗工廠以開發新技術為主，包括晶圓級封裝、3D IC及銅柱凸塊等，估計開發時程約1年，屆時新竹廠正好開始啟用，新產品效益可望適時于2012~2013年發酵?！?/li>
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封裝 DRAM
- 華芯半導體公司市場營銷部經理殷和國6月28日在深圳集成電器創新應用展上對《第一財經日報》透露，預計今年內存芯片業務(DRAM)將為公司帶來超過1億元的收入。
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華芯 DRAM
- 據IHSiSuppli公司的研究，DDR3的市場份額穩定在85-90%，2011年以及至少未來三年仍將是DRAM市場的主流技術，隨后才會逐漸讓位給速度更快的下一代技術。2011年DRAM模組出貨量將達8.08億個左右，預計DDR3將占89%，高于去年的67%和2009年的24%。DRAM模組是包含DRAM芯片的封裝，用于PC和其它電子產品之中。
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DDR4 DRAM
dram介紹
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態隨機存儲器最為常見的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數據就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時期被普遍應用。
動態RAM的工作原理 動態RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [
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