NEC電子近日完成了兩種線寬40納米的DRAM混載系統LSI工藝技術的開發，使用該工藝可以生產最大可集成256MbitDRAM的系統LSI。40nm工藝技術比新一代45nm半導體配線工藝更加微細，被稱為45nm的下一代產品。此次，NEC電子推出的工藝中，一種為低工作功耗的“UX8GD”工藝，它可使邏輯部分的處理速度最快達到800MHz，同時保持低功耗;另一種為低漏電流的“UX8LD”工藝，它的功耗約為內嵌同等容量SRAM的1/3左右。
UX8GD和 UX8LD 是在線寬從55nm縮小至40nm的
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美國iSuppli調研結果顯示，由于供應過剩與價格暴跌，DRAM及NAND閃存行情將在短期內進一步惡化。
NAND閃存方面，預計512M產品全球平均單價(ASP)將從2007年第三季度的60美分下降到第四季度的46美分。NAND閃存的平均單價在第二季度、第三季度均比上季度有所提高，分別為6%與8.4%。但是在第四季度，隨著價格下跌，行情出現惡化，短期內很難恢復。iSuppli首席分析師Nam Hyung Kim表示，此次價格下跌的主要原因韓國內存廠商將生產能力從DRAM轉移至NAND閃存，從而導
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據iSuppli公司，2007年上半年金士頓鞏固了自己在全球品牌第三方DRAM模塊市場中的領先地位，但同期增長最快的則是規模較小的創見與記憶科技。
2007年上半年，臺灣創見DRAM模塊銷售收入比2006年同期大增77.3%，在所有的供應商中增長率最高。其銷售收入從2006年上半年的1.41億美元增長到2.5億美元。創見在品牌第三方DRAM模塊市場中的排名從2006年上半年時的第10升至第六。
iSuppli公司的存儲IC和存儲系統總監兼首席分析師Nam Hyung Kim表示：“由于創見
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2008年半導體設備市場前景黯淡，資本開支預計下滑超過3%。Hosseini預測，前端設備訂單不穩定情況將維持到2008年下半年，而后端設備預計也充滿變數。
他在報告中指出，“DRAM行業基本狀況繼續惡化，由于芯片單元增長率出現拐點，2008年上半年晶圓廠產能利用率面臨下降風險。我們預計前端設備訂單繼續下滑，下滑情況可能會持續到2008年第3季度。”他同時表示，“從2007年第3季度到2008年第3季度，預計后端訂單勢頭平緩至下滑，之后有望重現恢復。”
他最大的擔憂在DRAM行業，預計“整
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據國外媒體報道，美國半導體產業協會(SIA)表示，近期內半導體市場不大可能出現衰退。它認為今年全球芯片的銷售額將增長3%，在隨后三年中的增長速度會更高一些。
SIA表示，它預計全球的芯片銷售額將由去年的2477億美元增長至2571億美元，增長速度低于今年年初時預期的10%。
6月份，SIA將今年芯片銷售額的增長速度預期下調到了1.8%，主要原因是幾種關鍵市場的低迷━━其中包括微處理器、DRAM和閃存。此后，微處理器的銷售出現了強勁增長，迫使SIA提高了對芯片銷售額增長速度的預期。
S
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據市場調研機構iSuppli公布的調查報告顯示，韓國三星電子在今年第三季度全球DRAM儲存芯片市場的銷售收入仍穩坐冠軍寶座，但其部分市場份額卻被位居第二的Hynix奪走。
據國外媒體報道，iSuppli在上周四發布的報告中表示，在第三季度中Hynix有非常受矚目的表現，它的成長速度相當迅猛，并在逐步縮小與三星的差距。據悉，第三季度三星的市場份額為27.7%，位居全球第一，其銷售收入比第二季度下降了2.9%為19.33億美元;排在第二位的是Hynix，其第三季度收入比第二季度增長了15.4%達到1
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研究公司Strategic Marketing Associates(SMA)日前表示，閃存產能將在2008年首次超過DRAM內存。
根據SMA報告，閃存產能從2000年以來已經增長了四倍，達到相當于290萬片200毫米硅晶圓的規模。相比之下，DRAM產能自那時起僅增長225%。
報告表示，從2005年到2008年底的三年間，閃存制造商增加的產能是之前四年增加量的六倍。
預計2008年和2009年，將有另外超過十座晶圓廠上線。SMA預計，當設備裝機完成時，將帶來每月相當于150萬片2
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對全球前四大代工廠公布的2007年第三季度財報進行分析可以發現，在該季度，代工業整體需求旺盛，一掃今年第一季度和第二季度較往年同期下滑的頹勢。不過，雖然需求旺盛，但是由于代工產品種類及技術水平的差別，各代工廠在凈利潤方面卻是冷暖自知，中芯國際(SMIC)成為DRAM價格嚴重下滑的最大受害者。雖然繼今年第二季度之后第三季度繼續虧損，但是通過與Spansion的合作以及在其他利好因素的推動下，不久中芯國際有望走出低迷。
第三季度代工需求旺盛
綜合各家代工廠第三季度的財報，可以發現(見表“全球前
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IDC在最新的《全球半導體市場預測》中預測，2007年全球芯片銷售收入增長速度放慢將為2008年的大增長奠定基礎。
據國外媒體報道，2007年全球芯片市場的增長速度將只有4.8%，2006年的這一數字只有8.8%。IDC預測，2008年的增長速度將達到8.1%。
報告指出，如果產能增長速度在明年放緩和需求仍然保持緩慢，芯片市場的增長速度會更快。市場潮流是合并和收購，這可能會改變業界的競爭格局。
IDC負責《全球半導體市場預測》的項目經理戈帕爾說，今年上半年芯片市場的供過于求降低了對各
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美國和歐洲市場強勁的季節銷售，以及緊隨其后的中國新年銷售旺季，將有助于決定DRAM是否供過于求、邏輯芯片供應正在減少以及2008年全球芯片產業走向。
應用材料總裁兼首席執行官MikeSplinter預測，如果情況不是很好，2008年半導體產業發展可能不會太強勁。2007年，半導體設備資本開支增長率為0到5%之間，而半導體收入增長預計為5%到10%之間。
Splinter表示，“尚未為止，2007年半導體產業未現繁榮景象。這不是因為銷售沒有增加，而是由于遭遇沉重的價格壓力。粗略估計，邏輯芯片
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最近公布的數據顯示，2007年IC單位出貨量將增長10%，略高于市場調研公司ICInsights最初預計的8%。自2002年以來，IC單位出貨量一直保持兩位數的年增長率。DRAM(49%)、NAND閃存(38%)、接口(60%)、數據轉換(58%)、和汽車相關的模擬IC(32%)出貨量強勁增長，正在推動總體產業需求，并使IC出貨量保持在高位。
1980年以來，IC產業單位出貨量有兩次實現連續三年保持兩位數增長率，分別是1982-1984和1986-1988年。在這兩次之后，IC的單位出貨量增長速
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市場研究公司ICInsights將2007年全球集成電路(IC)出貨量成長率從原來的8%提升到了10%。
這家研究公司把2007年全球集成電路出貨量的增長歸功于一些集成電路產品出貨量的強勁增長,如DRAM內存出貨量增長49%,NAND閃存出貨量增長38%,界面集成電路出貨量增長60%,數據轉換集成電路出貨量增長58%,汽車模擬集成電路出貨量增長32%。
ICInsights稱,如果2007年全球集成電路出貨量成長率達到10%或者更高,這將是連續第六年的兩位增長,這是前所未有的大牛市。
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如果你認為過去的歸過去，未來的歸未來，那么你就錯了，因為沒有過去就不會有現在，沒有現在當然就不會有未來。然而過去、現在、未來之間是如何相互依存的呢？從某方面來說這是神秘難以解答的一件事，但簡單來講就是靠記憶的作用，過去雖然不存在了，卻可以回想，未來雖然還沒有決定，現在卻可以一步步去計劃、設想與實踐
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上周(10/15-10/22)現貨市場eTT顆粒呈現近幾周少見的急漲局面，DDR2512MbeTT價格收在1.17美元，漲幅約11.9%;相較之下，品牌顆粒仍呈現平穩走勢，上漲至1.37美元，幅度為1.4%。根據集邦科技(DRAMeXchange)分析指出，上周DDR2eTT的強勁漲勢，是因為eTT主要的供貨商進行70nm轉進，供給量減少，部份買主逢低買進拉抬買氣，進而帶動價格上揚，因此這波價格上揚主要是短期市場操作結果，而非市場終端需求帶動;此外，這波投機性買盤主要集中在DDR2eTT的顆粒，并沒有
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現貨市場DDR2價格方面持續走弱;而DDR則因供應不足價格緩步盤堅。DDR2512MbeTT跌至1美元左右的新低價之后，暫時止跌并微幅反彈，在1.02至1.05美元震蕩，以1.03美元做收，跌幅為5.5%;DDR2512Mb667MHz則滑落至1.35美元，下跌2.9%。在DDR1市場方面，由于現貨市場供給數量仍舊不足，上周也曾出現缺貨狀況，價格持續小幅上揚，DDR512Mb400MHz以2.66美元做收，上漲5.6%。
十月份合約市場相當清淡，OEM拿貨意愿低落，部分廠商甚至認為，倘若預期十一
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dram介紹
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態隨機存儲器最為常見的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數據就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時期被普遍應用。
動態RAM的工作原理 動態RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [
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