頂級內存/閃存芯片廠商三星公司近日宣布由于Intel至強5600系列新處理器的出爐，刺激服務器廠商對DDR3內存的需求量大增，因此公司將增加 40nm制程DDR3內存芯片的產能。三星表示其40nm制程DDR3內存芯片產品的耗電量將比60nm制程產品低40%左右，目前其40nm制程 DDR3內存芯片產品的型號主要有1Gb/2Gb/4Gb幾種，可用于制作1GB/2GB/4GB/8GB/16GB以及32GB registed內存條。
三星半導體公司的副總裁Jim Elliott表示：“當與
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三星 內存芯片 40nm DDR3
根據集邦科技公布價格，DDR3合約季均價與現貨季均價繼2009年第四季分別大漲40%與30%后，在2010年第一季分別續漲16%與 14%;DDR2合約季均價與現貨季均價2009年第四季分別大漲61%與68%后，在2010年第一季淡季不淡，合約季均價續漲5%，現貨季均價持平，持續維持在高檔價格。
由于計算機系統廠商于第一季拉高DDR3的搭載比例由去年第四季的40%拉高至60% 造成第一季DDR3供貨吃緊。DDR2方面在現貨市場需求仍大部份在DDR2，而DRAM廠快速轉進至DDR3，使買方亦努力拉
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Samsung DRAM DDR3
newsfactor.com：谷歌Android市場目前已有3.8萬個應用程序
Android市場向企業開放僅僅幾個月之后，這個移動應用程序市場就提供了3.8萬多個移動應用程序。推出其開源軟件Android操作系統市場的谷歌正在與蘋果應用程序商店爭奪人們的注意力。
有報道稱，谷歌Android市場已經有5萬個應用程序。但是，谷歌發言人Anthony House說，截止到4月15日，谷歌有3.8萬多個應用程序。他不愿意對5萬個應用程序的報道發表評論。
無論是3.8萬還是5萬個應用程序，
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AMD 嵌入式處理器 DDR3
AMD公司據稱已經收到了首批Fusion集顯處理器產品Ontario的試產樣件。Ontario是Fusion集顯處理器系列產品中專門面向上網本， 平板電腦以及其它低功耗設備的處理器。這款處理器將采用內部集成Bobcat架構雙核x86處理器核心的設計，同時還將集成DX11級別集顯核心和 DDR3內存控制器。不過從本質上講，Ontario其實算是一款單芯片式的SOC產品。據Xbit labs網站的報道，Ontario芯片將會使用基于體硅的40nm制程工藝制作。
這款芯片的可能代工方將有Globalf
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AMD 處理器 DDR3
日本DRAM大廠爾必達今天宣布，已經成功開發出4Gbit容量DDR3內存顆粒。這是目前市場上DDR3顆粒的最大容量，只需單面8顆即可組成 4GB容量內存條，雙面16顆即可構成單條8GB內存。該顆粒使用40nm CMOS工藝制造，相比同工藝的2Gb顆粒可節能30%。支持x4、x8、x16 bit位寬，其中x4/x8位寬版本采用78-ball FBGA封裝，x16bit產品采用96-ball FBGA封裝。除DDR3標準的1.5V電壓外，還可支持1.35V低壓標準。
爾必達計劃將該顆粒使用在單條32
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爾必達 40nm CMOS DDR3
1Gb DDR2/DDR3內存芯片的現貨價格最近雙雙上漲到了接近3美元的價位，顯示目前內存芯片市場仍處于供不應求的緊張局面。據消息來源表示，造成這種局面 的原因主要是內存芯片廠商目前都在實施轉產DDR3芯片的動作;另外一方面，由于PC廠商事先預計到了這種狀況，因此這些廠商事先都采取了較大量訂貨的策 略，而這則進一步加劇了這種危機。
據DRAMeXchange統計，3月18日，打標和eTT(即經過芯片廠商完全測試，但沒有打上原廠激光標記的芯片)1Gb DDR2芯片的價格分別上升了3.97%和4.3
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內存芯片 DDR3
三星電子(Samsung Electronics)半導體事業社長權五鉉(Dr. Oh-Hyun Kwon)16日來臺參加全球半導體聯盟(GSA)論壇，吸引DRAM業者紛前來聆聽龍頭廠對景氣風向球。權五鉉表示，2010年下半DRAM價格可以維持穩定，未來DRAM業者不應一昧地追求價格和成本，而是要節制瘋狂擴充產能;力晶董事長黃崇仁在現場亦舉手建言，呼吁大家不要再亂投資擴產，要追求合理價格更勝于超額利潤;此番臺、韓存儲器廠高層過招，成為整個論壇最大高潮。
權五鉉16日在GSA論壇發表有關半導體市場及
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Samsung DRAM DDR3
隨著各家DRAM廠加快腳步轉進DDR3，對后段廠而言，封裝產能利用率處于高檔，然測試、預燒等相關產能則呈不足現象，各家封測廠上演搶機臺戲碼，希望能夠盡量提前讓機臺進駐廠區，隨著工作天數恢復正常，存儲器封測廠3月接單熱絡，預期單月營收應可處于歷史高檔水平。
受惠于2010年存儲器市場復蘇，以及DDR2轉換至DDR3速度加快，力成訂單能見度延展至6~7月，華東也看到4月訂單。整體產能利用率依舊維持滿載，客戶端需求非常強勁，產出速度還跟不上訂單的腳步。尤其在測試部分，卡在測試機臺供應不及，測試產能不足
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存儲器 DRAM DDR3
三星電子宣布，該公司已經在業內第一家使用40nm級別工藝批量生產低功耗的4Gb DDR3內存芯片。
這種內存芯片支持1.5V和1.35V兩種工作電壓，可組裝成16/32GB RDIMM服務器內存條或者8GB SO-DIMM筆記本內存條，性能1.6Gbps，功耗相比于上一代產品降低35%，能為數據中心、服務器系統或者高端筆記本節省大量能源。
三星指出，目前服務器系統平均每路處理器搭配六條RDIMM內存條，總容量最大96GB，如果是60nm 1Gb DDR2芯片，內存子系統功耗可達210W，換
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三星電子 40nm DDR3
鎂光公司與其合作伙伴南亞公司最近公開展示了其合作開發的42nm制程2Gb DDR3內存芯片產品，雙方并宣稱下一代30nm制程級別的同類產品已經在鎂光設在Boise的研發中心開始研制。
兩家廠商預計將于今年第二季度開始42nm 2Gb DDR3內存芯片的試樣生產，并將于今年下半年開始量產這種產品。
兩家廠商宣稱其42nm制程DDR3內存芯片產品的工作電壓僅1.35V左右，比前代產品的1.5V工作電壓低了不少，可節省30%電能。
這款42nm 2Gb
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鎂光 內存芯片 DDR3
報道，威剛主席Simon Chen今天表示，隨著DRAM制造商把重點放在DDR3芯片生產上，DDR2芯片的出貨量將開始減少，其價格有望在今年下半年超過DDR3。
Simon Chen認為，DDR2在低端PC市場還是比較受歡迎。如果1Gb DDR2的價格低于2美元，那么它需求將會出現大幅度增長。
Simon Chen還表示，上游芯片供應商紛紛通過工藝升級的方式來加大DDR3芯片的產量，不過這種升級或許會因為其它設備的供應短缺而延緩。
根據DRAMeXchange的監測，1Gb DDR2
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DRAM DDR3 DDR2
三星電子宣布，全球第一顆采用30nm級別工藝的DDR3 DRAM內存芯片已經通過客戶認證。注意這里說的是30nm級別工藝(30-nm class)，而不是真正的30nm，也就是說有可能是38nm 之類的。三星此前投產的3-bit MLC NAND、異步DDR 32Gb MLC NAND閃存芯片同樣也是這種30nm級別的。
三星這種30nm工藝級DDR3 DRAM內存芯片的容量為2Gb，支持1.5V標 準電壓和1.35V低電壓，相比50nm工藝級可節省最多30%的功耗，因此又稱為綠色內存(Gree
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三星電子 DRAM 30nm DDR3
在DRAM市場的歷史上，2009年初可能是最黑暗的時期之一，當時廠商能活下來就不錯了。
但是，繼春季溫和復蘇之后，DRAM供應商的黑暗日子結束，夏天迎來了光明。價格在春季的基礎上持續上漲，營業收入也水漲船高。三星走在前列，營業利潤率為19%，營業收入達22億美元，市場份額擴大到35.5%的最高水平。
DDR3來臨
第三季度，下一代DRAM技術——DDR3看到希望，而且顯然這種技術代表未來的一股潮流。iSuppli公司預測，DDR3出貨量將在2010年第一季度超
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DRAM DDR3 DDR2
2010年1月農歷春節前的補貨行情落空，DRAM價格大跌，所幸NAND Flash價格比預期強勢，存儲器模塊廠1月營收可望維持平穩，與2009年12月相較，呈現小漲或小跌的局面，整體第1季營收受到2月農歷過年工作天數減少影響，而呈現下滑，但整體行情不看淡;模塊廠認為，DDR3目前仍是缺貨，往下修正的幅度有限，一方面DDR3利潤較高，另一方面DDR3短期會被DDR2價格帶下來，但整體第1季DDR3供貨仍相對吃緊。
存儲器模塊廠2009年交出豐厚的成績單，創見、威剛都賺足1個股本，但2010年1月立
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DRAM NAND DDR3
IDT 公司推出首款針對DDR2和DDR3內存模塊、固態硬盤和電腦主板市場的高精度溫度傳感器。新器件有助于企業、移動及嵌入式計算系統以最高效率運行，通過監測各子系統的溫度來節省總電力，提高可靠性和性能。
全新的IDT溫度傳感器可測量計算子系統的局部溫度，一旦溫度上升超過預定水平，系統控制器就會通過控制系統帶寬、調整內存刷新率或改變風扇速度進行響應。此外，如果溫度達到臨界點，新的IDT溫度傳感器可以觸發一個子系統關閉，從而提高可靠性。IDT 的產品包括一個獨立溫度傳感器(TS3000B3)，以及一
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IDT 傳感器 DDR3
ddr3介紹
目錄概述
設計
發展
DDR3內存的技術改進
概述
針對Intel新型芯片的一代內存技術（但目前主要用于顯卡內存），頻率在800M以上，和DDR2相比優勢如下：
(1)功耗和發熱量較小：吸取了DDR2的教訓，在控制成本的基礎上減小了能耗和發熱量，使得DDR3更易于被用戶和廠家接受。
(2)工作頻率更高：由于能耗降低，DDR3可實現更高的工作頻率，在一定程度 [
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