恩智浦半導體（NXP Semiconductors）發布了全新的小信號MOSFET器件系列，新產品采用了全球最小封裝之一的SOT883進行封裝。恩智浦SOT883 MOSFET面積超小，僅為1.0 x 0.6毫米，與SOT23相比，功耗和性能不相上下，卻只需占據14%的印刷電路板空間。SOT883 MOSFET針對眾多應用而設計，包括DC/DC電源轉換器模塊、液晶電視電源以及手機和其他便攜設備的負載開關。SOT883 MOSFET具有超小的面積、0.5毫米的超薄厚度、最佳的開關速度和非常低的Rds(on)
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MOSFET
“MOSFET”是英文MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor的縮寫，譯成中文是“金屬氧化物半導體場效應管”。它是由金屬、氧化物(SiO2或SiN)及半導體三種材料制成的器件。所謂功率MOSFET(Power MOSFET)是指它能輸出較大的工作電流(幾安到幾十安)，用于功率輸出級的器件。
MOSFET共有三個腳，一般為G、D、S，通過G、S間加控制信號時可以改變D、S間的導通和截止。功率MO
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MOSFET
我們如何才能使汽車駕駛室具備更多的功能，使發動機具有更大的功率，同時還能夠符合各國政府對每加侖行駛距離的要求?只有采用新一代的低導通電阻功率 MOSFET將汽車中傳統的電力系統和液壓系統改為電子系統，這些MOSFET不但可以提高汽車的舒適性和安全性，還能夠提高燃油的行駛距離。
發動機不僅僅要讓汽車在路上行駛，還要為整個汽車系統提供動力。現在人們對汽車的娛樂性、舒適性及安全性的要求越來越高。通過深入分析發現，對于一輛普通的汽車，每加侖的汽油所產生的能量最終用在車輪行駛上的不到15%，而大部分的能量
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MOSFET 油耗
一個采用directfet mosfet并基于四相同步整流器的vrm能夠于高達2mhz/相位下工作，并提供120a電流，且滿足負載點電源的瞬態響應要求。
與十年之前以單元密度和導通電阻作為器件設計的主要考慮因素相比，功率mosfet技術在發展方向上正經歷著一場重大的變革。如今，并在可以預見的未來，開關速度正在逐步成為負載點(pol)電源應用的決定性因素。對于工作電壓為1v或以下且對時鐘速度和電流需求更高的下一代微處理器而言，開關速度是滿足其供電要求的關鍵因素。電源的性能將取決于功率mosfet能
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MOSFET POL 電源 放大器
Maxim推出MAX8833/MAX8855，該系列器件是業界第一款具有以下功能的降壓型調節器：工作在3.3V或2.5V輸入下，分別可提供雙路3A或雙路5A輸出，并且內置開關可最大程度節省空間。除了節省空間外，器件由于采用內部MOSFET，因此可有效地工作在低輸入電壓下，這是采用大尺寸、分立MOSFET所不可能實現的。在低壓應用中，分立的競爭方案需要更高電壓實現完全導通，相比較而言，內部MOSFET則可提供更優異的性能。MAX8833/MAX8855分別具有49mΩ和37mΩ低導通阻抗，可以以超過1M
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Maxim 調節器 MOSFET 其他IC 制程
l 前言
絕緣柵場效應晶體管(IGBT)作為一種復合型器件，集成了MOSFET的電壓驅動和高開關頻率及功率管低損耗、大功率的特點，在電機控制、開關電源、變流裝置及許多要求快速、低損耗的領域中有著廣泛的應用。本文對應用于有源電力濾波器的IGBT的特性及其專有EXB84l型驅動器的設計進行討論，并提出一種具有完善保護功能的驅動電路。
有源電力濾波器設計中應用4個IGBT作為開關，并用4個EXB84l組成驅動電路，其原理如圖l所示。在實驗中，根據補償電流與指令電流的關系，用數字信號處理器(DSP
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IGBT MOSFET 場效應晶體管 電源
全球能源需求的不斷增長以及環境保護意識的逐步提升使得高效、節能產品成為市場發展的新趨勢。為此，電源|穩壓器管理芯片、MOSFET等功率器件越來越多的應用到整機產品中。在整機市場產量不斷增加以及功率器件在整機產品中應用比例不斷提升的雙重帶動下，中國功率器件市場在2007-2011年將繼續保持快速增長，但由于市場基數的不斷擴大，市場增長率將逐年下降。預計到2011年時中國功率器件市場銷售額將達到1680.4億元，2007-2011年中國功率器件市場年均復合增長率為19.1%。這其中電源管理IC、MOSFE
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模擬技術 電源技術 MOSFET 芯片 IC 元件 制造
功率場效應管(Power MOSFET)也叫電力場效應晶體管，是一種單極型的電壓控制器件，不但有自關斷能力,而且有驅動功率小,開關速度高、無二次擊穿、安全工作區寬等特點。由于其易于驅動和開關頻率可高達500kHz，特別適于高頻化電力電子裝置，如應用于DC/DC變換、開關電源、便攜式電子設備、航空航天以及汽車等電子電器設備中。但因為其電流、熱容量小，耐壓低，一般只適用于小功率電力電子裝置。
一、電力場效應管的結構和工作原理
電力場效應晶體管種類和結構有許多種，按導電溝道可分為P溝道和N溝道，同時
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MOSFET 半導體材料
功率半導體器件的應用迄今已有50年歷史，自上世紀80年代以來，隨著新型功率半導體器件尤其是電源管理芯片的蓬勃發展，功率器件極大地拓展了應用領域。全球各大廠商也不失時機地加大研發力度，占領市場高地。
發展功率半導體產業迫在眉睫
目前，我國功率半導體企業生產條件和產品大都停留在國外上世紀70年代的水平。有個別集成電路企業制造一些小電流低檔老產品的VD-MOSFET，IGBT、平面型快恢復和超快恢復二極管完全不能制造。因此，我國市場用的功率器件約90%依賴進口，其余約10%低檔產品是自己制造的。
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模擬技術 電源技術 功率 半導體 VD-MOSFET 模擬IC 電源
引 言
功率場效應管MOSFET是一種單極型電壓控制器件，它不但具有自關斷能力，而且具有驅動功率小，關斷速度快等優點，是目前開關電源中常用的開關器件。采用MOSFET 控制的開關電源具有體積小、重量輕、效率高、成本低的優勢，因此，較適合作儀器電源。本文給出了一種由MOSFET 控制的大范圍連續可調(0～45V) 的小功率穩壓電源設計實例。
總體結構與主電路
圖1 為該電源的總體結構框圖。工作原理如下：
圖1 原理方框圖
全橋整流電路將電網電壓220V
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消費電子 MOSFET 功率場效應管 PWM 電源
隨著制造技術的發展和進步，系統設計人員必須跟上技術的發展步伐，才能為其設計挑選最合適的電子器件。MOSFET是電氣系統中的基本部件，工程師需要深入了解它的關鍵特性及指標才能做出正確選擇。本文將討論如何根據RDS(ON)、熱性能、雪崩擊穿電壓及開關性能指標來選擇正確的MOSFET。 MOSFET的選擇 MOSFET有兩大類型：N溝道和P溝道。在功率系統中，MOSFET可被看成電氣開關。當在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時，其開關導通。導通時
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MOSFET 元件 制造
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高輸入電源電壓 (100V) 同步 MOSFET 驅動器 LTC4444，該器件用于在同步整流轉換器拓撲中驅動高端和低端功率的 N 溝道 MOSFET。這個驅動器可與功率 MOSFET 以及凌力爾特公司的很多 DC/DC 控制器一起組成完整的高效率同步轉換器。 這個強大的驅動器可采用 1.2Ω 的下
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嵌入式系統 單片機 凌力爾特 MOSFET LTC4444 模擬IC
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速同步 MOSFET 驅動器 LTC4442/-1，該器件用來在同步整流轉換器拓撲中驅動高端和低端 N 溝道功率 MOSFET。這種驅動器與凌力爾特公司很多 DC/DC 控制器組合使用時，可組成完整的高效率同步穩壓器，該穩壓器可用作降壓或升壓型 DC/DC 轉換器。
這個強大的驅動器可以吸收高達
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模擬技術 電源技術 凌力爾特 MOSFET 驅動器 模擬IC
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