- CoolSiC?肖特基二極管10-80A 2000V G5系列現在也采用TO-247-2封裝。在高達1500V的高直流母線系統中，該二極管可實現更高的效率和設計簡化。此外，由于采用了.XT互聯技術，它們還具有一流的散熱性能。該二極管與配套的CoolSiC? MOSFET 2000V產品完美匹配。產品型號：■ IDWD10G200C5■ IDWD25G200C5■ IDWD40G200C5■ IDWD50G200C5■ IDWD80G200C5產品特點■ 無
- 關鍵字：
二極管 CoolSiC
- Nexperia正式推出一系列性能高效、穩定可靠的工業級1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。該系列器件在溫度穩定性方面表現出色，采用創新的表面貼裝?(SMD)?頂部散熱封裝技術X.PAK。X.PAK封裝外形緊湊，尺寸僅為14 mm ×18.5 mm，巧妙融合了SMD技術在封裝環節的便捷優勢以及通孔技術的高效散熱能力，確保優異的散熱效果。此次新品發布精準滿足了眾多高功率（工業）應用領域對分立式SiC MOSFET不斷增長的需求，該系列器件借助頂部散熱技術的優勢，得以實現卓越的熱性
- 關鍵字：
Nexperia SiC MOSFET
- 商用的Si MOSFET耐壓普遍不超過900V，而SiC擁有更高的擊穿場強，在結構上可以減少芯片的厚度，從而較大幅度地降低MOSFET的通態電阻，使其耐壓可以提高到幾千伏甚至更高。本文帶你了解其靜態特性。1. 正向特性圖1顯示了SiC MOSFET的正向通態特性。由于MOSFET是單極性器件，沒有內建電勢，所以在低電流區域，SiC MOSFET的通態壓降明顯低于Si IGBT的通態壓降；在接近額定電流時，SiC MOSFET的通態壓降幾乎與Si IGBT相同。對于經常以低于額定電流工作的應用，使用SiC
- 關鍵字：
三菱電機 SiC MOSFET
- 目前，許多工業應用正朝著更高功率水平、且功率損耗最小化的方向發展，實現這一目標的方法之一是提高直流母線電壓。針對這一市場趨勢，全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）于?2024年9月推出CoolSiC?肖特基二極管2000 V G5產品系列，這是首款擊穿電壓達到2000 V的碳化硅二極管分立器件。該產品系列目前擴展到TO-247-2封裝，其引腳可與現有的大多數TO-247-2封裝兼容。該產品系列非常適合最高直流母線電壓為15
- 關鍵字：
英飛凌 CoolSiC 肖特基二極管
- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向企業級高性能服務器和AI服務器電源，開發出實現了業界超低導通電阻*1和超寬SOA范圍*2的Nch功率MOSFET*3。新產品共3款機型，包括非常適用于企業級高性能服務器12V系統電源的AC-DC轉換電路二次側和熱插拔控制器（HSC）*4電路的“RS7E200BG”（30V），以及非常適用于AI服務器48V系統電源的AC-DC轉換電路二次側的“RS7N200BH（80V）”和“RS7N160BH（80V）”。隨著高級數據處理技術的進步和數字化轉型的加速，
- 關鍵字：
ROHM AI服務器 服務器電源 MOSFET
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，最新推出一款可用于驅動碳化硅（SiC）MOSFET的柵極驅動光電耦合器——“TLP5814H”。該器件具備＋6.8 A／–4.8 A的輸出電流，采用小型SO8L封裝并提供有源米勒鉗位功能。今日開始支持批量供貨。在逆變器等串聯使用MOSFET或IGBT的電路中，當下橋臂[2]關閉時，米勒電流[1]可能會產生柵極電壓，進而導致上橋臂和下橋臂[3]出現短路等故障。常見的保護措施有，在柵極關閉時，對柵極施加負電壓。對于部分SiC MOSFET而言，具有比硅（Si
- 關鍵字：
東芝 SiC MOSFET 柵極驅動 光電耦合器
- 電子行業正在向更加緊湊而強大的系統快速轉型。為了支持這一趨勢并進一步推動系統層面的創新，全球功率系統、汽車和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司正在擴展其CoolSiC? MOSFET 650 V單管產品組合，推出了采用Q-DPAK和TOLL封裝的兩個全新產品系列。這兩個產品系列采用頂部和底部冷卻并基于CoolSiC? Generation 2（G2）?技術，其性能、可靠性和易用性均有顯著提高。它們專門用于中高功率開關模式電源（SMPS）開發，包括AI服務器、可再生能源、充電樁、電動交通工
- 關鍵字：
英飛凌 CoolSiC MOSFET
- 安森美 (onsemi)的1200V 分立器件和模塊中的 M3S 技術已經發布。M3S MOSFET 的導通電阻和開關損耗均較低，提供 650 V 和 1200 V 兩種電壓等級選項。本白皮書側重于探討專為低電池電壓領域的高速開關應用而設計的先進 onsemi M3S 650 V SiC MOSFET 技術。通過各種特性測試和仿真，評估了 MOSFET 相對于同等競爭產品的性能。第一篇介紹SiC MOSFET的基礎知識、M3S 技術和產品組合（三代進化，安森美 EliteSiC MOSFET 技術發展解析
- 關鍵字：
電源轉換 電動汽車 MOSFET
- 采用TO-247-4HC高爬電距離封裝的第二代CoolSiC? MOSFET G2 1200V 12mΩ至78mΩ系列以第一代技術的優勢為基礎，加快了系統設計的成本優化，實現高效率、緊湊設計和可靠性。第二代產品在硬開關工況和軟開關拓撲的關鍵性能指標上都有顯著改進，適用于所有常見的交流-直流、直流-直流和直流-交流各種功率變換。產品型號：■ IMZC120R012M2H■ IMZC120R017M2H■ IMZC120R022M2H■ IMZC120R026M2H■&
- 關鍵字：
CoolSiC MOSFET
- 低壓功率MOSFET設計用于以排水源電壓運行，通常低于100 V，但具有與高壓設計相同的功能。它們非常適合需要高效效率和處理高電流的應用，即使電源電壓很低。關鍵功能包括以下內容： 低抗性（RDS（ON））以減少傳導過程中的功率損失，從而提高能源效率。當設備打開時，低壓MOSFET的排水源電阻特別低，從而地減少了功率損耗。這對于效率至關重要，因為低RD（ON）意味著在傳導過程中降低電阻損失高開關速度，用于快速切換操作；在DC-DC轉換器和高頻切換電路等應用中至關重要。由于其先進的結構和材料，低壓MOSFE
- 關鍵字：
低壓電源 MOSFET
- 在工業電子設備中，過壓保護是確保設備可靠運行的重要環節。本文將探討如何使用開關浪涌抑制器替代傳統的線性浪涌抑制器，以應對長時間的過壓情況。與傳統線性浪涌抑制器不同，開關浪涌抑制器能夠在持續浪涌的情況下保持負載正常運行，而傳統線性浪涌抑制器則需要在電源路徑中的
MOSFET 散熱超過其處理能力時切斷電流。可靠的工業電子設備通常配備保護電路，以防止電源線路出現過壓，從而保護電子設備免受損壞。過壓現象可能在電源線路負載快速變化時發生，線路中的寄生電感可能導致高電壓尖峰。這個問題可通過輸入保護電路來解決，比如圖
- 關鍵字：
過壓保護 開關浪涌 MOSFET
- 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子近日宣布推出基于全新MOSFET晶圓制造工藝——REXFET-1而推出的100V大功率N溝道MOSFET——RBA300N10EANS和RBA300N10EHPF，為電機控制、電池管理系統、電源管理及充電管理等應用提供理想的大電流開關性能。基于這一創新產品的終端設備將廣泛應用于電動汽車、電動自行車、充電站、電動工具、數據中心及不間斷電源（UPS）等多個領域。瑞薩開發的全新MOSFET晶圓制造工藝（REXFET-1）使新產品的導通電阻（MOSFET導通時漏極與源極之間的電阻）
- 關鍵字：
瑞薩 MOSFET
- 功率MOSFET的正向導通等效電路（1）：等效電路（2）：說明：功率 MOSFET 正向導通時可用一電阻等效，該電阻與溫度有關，溫度升高，該電阻變大；它還與門極驅動電壓的大小有關，驅動電壓升高，該電阻變小。詳細的關系曲線可從制造商的手冊中獲得。功率MOSFET的反向導通等效電路（1）（1）：等效電路（門極不加控制）（2）：說明：即內部二極管的等效電路，可用一電壓降等效，此二極管為MOSFET 的體二極管，多數情況下，因其特性很差，要避免使用。功率MOSFET的反向導通等效電路（2）（1）：等效電路（門極加
- 關鍵字：
功率器件 MOSFET 電路
- 前言人工智能（AI）的迅猛發展推動了數據中心處理能力的顯著增長。如圖1所示，英飛凌預測單臺GPU的功耗將呈指數級上升，預計到2030年將達到約2000W?[1]?，而AI服務器機架的峰值功耗將突破驚人的300kW。這一趨勢促使數據中心機架的AC和DC配電系統進行架構升級，重在減少從電網到核心設備的電力轉換和配送過程中的功率損耗。圖2（右）展示了開放計算項目（OCP）機架供電架構的示例。每個電源架由三相輸入供電，可容納多臺PSU；每臺PSU由單相輸入供電。機架將直流電壓（例如，50V）輸
- 關鍵字：
英飛凌 AI CoolSiC CoolGaN
- 如今，數據中心迫切需要能夠高效轉換電能的功率半導體，以降低成本并減少排放。更高的電源轉換效率意味著發熱量減少，從而降低散熱成本。電源系統需要更低的系統總成本和緊湊的尺寸；因此必須提高功率密度，尤其是數據中心的平均功率密度正在迅速攀升。從十年前的每個1U機架通常只有5 kW，增加到現在的20 kW、30 kW 或更高。圖1：數據中心供電：從電網到GPU電源供應器(PSU)還必須滿足數據中心行業的特定需求。人工智能數據中心的PSU應滿足嚴格的Open Rack V3 (ORV3) 基本規范，要求30%到100
- 關鍵字：
安森美 MOSFET 數據中心
coolsic mosfet介紹
您好，目前還沒有人創建詞條coolsic mosfet!
歡迎您創建該詞條，闡述對coolsic mosfet的理解，并與今后在此搜索coolsic mosfet的朋友們分享。
創建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
