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電荷泵 CMOS DC-DC 圖像傳感器 鎖相環芯片
設計了一種低插入損耗、高隔離度的全集成超寬帶CMOS射頻收發開關芯片。該電路采用深N阱體懸浮技術,在1.8V電壓供電下,該射頻開關收發兩路在0.1-1.2GHz內的測試結果具有0.7dB的插入損耗、優于-20dB的回波損耗以及-37dB以下的隔離度。
目前,全球無線通信系統正處于快速發展進程中,無線通信“行業專網”系統也正處于飛速發展的黃金時期。我國無線通信行業專網所用頻點和帶寬種類繁多,其頻率 主要集中在0.1-1.2GHz。各專網使用不同的頻點、射頻帶寬和信號帶寬,標
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CMOS 射頻無線收發芯片 RFID
東京—東芝公司今天宣布,該公司已開發出一款采用標準CMOS技術制造的原型參考時鐘振蕩器,該振蕩器達到了全球最高等級精確度。這款新設備用于代替傳統的晶體振蕩器,將為電子設備的微型化提供支持。
東芝將于6月13日在夏威夷檀香山舉辦的2014年超大規模集成電路技術及電路研討會(Symposia on VLSI Technology and Circuits)上展示這項振蕩器技術。
近年來,對于作為電子產品復雜功能來源的電子組件的微型化要求已經擴及振蕩器,激發了對超小型振蕩器的興趣。
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東芝 CMOS 振蕩器
英飛凌科技股份公司針對射頻前端擴大高效集成電路解決方案產品組合,推出一款天線調諧專用開關。新款天線調諧開關(Aperture tuning)對提升4G智能手機和平板電腦的終端用戶體驗助益匪淺。該新產品從根本上優化天線特性,在相關的LTE頻帶上可讓運行中的數據率達到最高水平。BGS1xGN10系列開關采用市面上最小封裝,這對新一代智能手機和其他便攜式設備等空間受限的應用而言至關重要。此外,該系列進一步降低電流消耗,延長此類設備的待機和工作時間?! 〔捎糜w凌射頻CMOS開關技術的天線調諧專用開關有利于開
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英飛凌 BGSA14GN10 CMOS
英飛凌科技股份公司近日宣布,其用于智能電話和平板電腦的射頻開關的出貨量已經突破10億大關。這凸顯了英飛凌作為發展速度最快的射頻開關領先供應商之一的地位。預計,今后數年,隨著新一代智能電話和平板電腦集成越來越多的LTE頻段,射頻開關需求將呈兩位數增長。 隨著4G/LTE手機可支持的工作頻段和運行模式越來越多,其射頻前端部件設計日益復雜、苛刻。除形形色色的頻段或模式選擇應用之外,天線開關也是射頻前端至關重要的主要組件。這些天線開關要么可以選擇連接至4G/LTE主用天線的發射(TX)/接收(RX)通道,要
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英飛凌 LTE CMOS
專注于為無線連接和蜂窩移動市場開發創新型下一代射頻(RF)解決方案的領先無晶圓半導體公司RFaxis, Inc.于2014年6月18日宣布,該公司用于無線局域網絡(WLAN)應用的RFX241高功率2.4GHz功率放大器(PA)已投入量產?! FX241最新加入RFaxis瞄準快速增長的無線接入點(AP)、路由器(Router)、機頂盒(STB)、家庭網關(HGW)、熱點(Hotspot)等無線基礎設施市場的純CMOS大功率CMOS PA產品系列。RFX241可與包括RTC6649E在內的目前市場上
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RFaxis RF CMOS
在地熱生產和石油生產過程中溫度通常會超過200℃,高于設備所用的傳統微芯片一般能耐受的最高溫度。德國弗勞恩霍夫微電子電路與系統研究所(IMS)的研究人員近日開發出一種新型的高溫工藝,可以制造出超緊湊型微芯片,這種微芯片在高達300℃的溫度下也能正常工作。
傳統的CMOS芯片有時能耐受250℃的高溫,但其性能與可靠性會迅速下降。還有一種方法是對熱敏感的微芯片實施持續冷卻,但是很難實現。此外,市場上也存在專門的高溫芯片,但是尺寸過大(最小尺寸也達1微米)。
IMS開發的微芯片尺寸僅有0
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微芯片 CMOS
因為MOS晶體管的襯底或者與源極相連,或者連接到VDD或VSS,所以經常被用作一個三端設備。由于未來CMOS技術的閾值電壓并不會遠低于現有標準,于是采用襯底驅動技術進行模擬電路設計就成為較好的解決方案[1].襯底驅動技術的原理是:在柵極和源極之間加上足夠大的固定電壓,以形成反型層,輸入信號加在襯底和源極之間,這樣閾值電壓就可以減小或從信號通路上得以避開。襯底驅動MOS晶體管的原理類似于結型場效應晶體管,也就是一個耗盡型器件,它可以工作在負、零、甚至略微正偏壓條件下[2].由于襯底電壓影響與反型層(即導電溝
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MOS CMOS
當平面工藝已經無法滿足對于性能提升的需求時,3D架構是業界首先能想到的提升方式。
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CMOS 納米
作為專注在WiFi、藍牙、GPS連接性射頻芯片技術供應商,卓勝微電子今日宣布,公司GPSLNA芯片產品MXDLN16S在三星累計出貨超過2000萬顆。
“卓勝微電子的GPSLNA產品能夠給三星大批量供貨體現了我們產品的卓越性能。”卓勝微電子總經理許志翰表示:“作為全球智能手機市場的領先者,三星對產品的創新和品質有著不懈追求,同時它對合作伙伴也有著非常高的品質和供貨能力的要求。這么大批量的穩定出貨證明了我們的能力?!?
卓勝微電子的GPS
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卓勝微電子 CMOS
2014年5月5日,作為專注在WiFi,藍牙,GPS連接性射頻芯片技術供應商,卓勝微電子宣布其GPSLNA芯片產品MXDLN16S在三星累計出貨超過2000萬顆。
“卓勝微電子的GPSLNA產品能夠給三星大批量供貨體現了我們產品的卓越性能。”卓勝微電子總經理許志翰表示:“作為全球智能手機市場的領先者,三星對產品的創新和品質有著不懈追求,同時它對合作伙伴也有著非常高的品質和供貨能力的要求。這么大批量的穩定出貨證明了我們的能力。”
卓勝微電子的G
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GPSLNA 卓勝 RF CMOS
市場研究機構CoughlinAssociates的最新報告預測,磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)──包含磁場感應(field-induced)以及自旋力矩轉移(spin-torquetransition,STT)等形式──將在未來因為取代DRAM與SRAM而繁榮發展。
CoughlinAssociates的報告指出,因為具備省電與非揮發特性,MRAM/STTMRAM市場營收規模可望由2013年的1.9億美元左右,到2019年成長至21億美元;期間的復合年平均成長率(CAGR)估計為50%。
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MRAM CMOS
Diodes公司?(Diodes?Incorporated)?推出先進的74AUP2G雙門超低功率?CMOS微型邏輯器件系列,為低壓和低功耗模式設計,可延長手機、電子書閱讀器及平板電腦等多種掌上消費性電子產品的電池壽命?! ∵@款邏輯器件的漏電流少于0.9?μA,達到低靜態功耗的效果。其功耗電容在3.6V供電下一般為6pF,可將動態功耗降到最低。74AUP2G系列提供從0.8V到3.6V的供電電壓范圍,使電路供電降到最低等級?! ∪鲁凸β?4AUP2
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Diodes 電池 CMOS
最近以來智能手表、體征監測等穿戴式電子設備受到業界的極大關注,但市場一直處于“雷聲大,雨點小”的狀態。究其原因,有以下幾個因素制約了穿戴式電子設備實現突破:小型化低功耗技術還滿足不了需求、“殺手級”應用服務缺失、外觀工藝粗糙、用戶使用習慣仍需培養?! 募夹g層面上看,先進封裝將是穿戴式電子取得成功的關鍵技術之一,特別是系統級封裝(SiP)以及3D封裝等。據深圳市半導體行業協會秘書長蔡錦江介紹,2001年以色列Given?Imaging公司推出的膠囊內鏡就采用SiP技術將光學鏡頭、應用處理器、
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穿戴式 SiP 3D CMOS
支持在低光條件下捕獲高靈敏度視頻 東京—東芝公司(TOKYO:6502)今天宣布,該公司將在4月底開始批量生產用于監控攝像頭和行車記錄器的1/4英寸VGA?CMOS圖像傳感器“TCM3211PB”?! ∵@款新傳感器采用5.6?μm大像素,提高了低光敏感度。即使在月光[1],也可以捕獲明亮的圖像?! ≡搨鞲衅鬟€整合了基于東芝算法的單幀HDR(高動態范圍)功能[2]?。它可以減少假色[3]?,并能夠真實再現高對比度圖像的黑暗和明亮區域?! ≡摦a品的60?
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東芝 CMOS 傳感器
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