摘要：傳統基準電路主要采用帶隙基準方案，利用二級管PN結具有負溫度系數的正向電壓和具有正溫度系數的VBE電壓得出具有零溫度系數的基準。針對BJT不能與標準的CMOS工藝兼容的缺陷，利用NMOS和PMOS管的兩個閾值電壓VT
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CMOS VTH 電壓基準
摘要：文章基于CMOS 0．18mu;m工藝，在Hspice下，對四利PMOS管基準電壓源進行了分析和仿真，文中給出了每種電路仿真時的電路參數和仿真結果。
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仿真 分析 電壓 基準 CMOS
艾克賽利(Accelicon)，器件級建模驗證以及PDK解決方案的技術領導者，宣布將出席于2011年10月3日到6日在美國亞利桑那州Tempe市舉辦的IEEE國際絕緣體上硅大會(2011 IEEE International SOI Conference)，并在會上介紹業內最新BSIM-IMG模型的應用情況。
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艾克賽利 CMOS
摘要：片上系統射頻功率放大器是射頻前端的重要單元。通過分析和對比各類功率放大器的特點，電路采用SMIC0．35-mu;mCMOS工藝設計2．4 GHz WLAN全集成線性功率放大器。論文中設計的功率放大器采用不同結構的兩級放大
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4GHz CMOS 35 集成
圖1中電路會根據一個脈沖，切換一個DPDT（雙刀雙擲）鎖存繼電器的狀態。它包括一個瞬動開關至步進電壓信號發生器，一個差分脈沖轉換器，一個繼電器驅動器，以及一個繼電器線圈。 瞬動開關提供驅動電路的步進電壓信
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研究 電路 CMOS 繼電器
我們發現日益改進的靜電學及晶體管傳輸有助于形成一種成熟的方法，這種方法能夠降低有源和待機功耗。要做到這一點，新型晶體管結構和材料拓展了性能?功耗設計空間，使之超躍了傳統的本體硅晶體管。最終，通過構成一個由多層系統-電路-器件電源管理生態系統構成的底層，晶體管的創新將會繼續在定義下一代提高功效的策略時發揮關鍵作用。
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CMOS 器件 功效 功率 提高 MOSFET 方案 非傳統
摘要：設計了一種基于0．25 mu;m CMOS工藝的低功耗片內全集成型LDO線性穩壓電路。電路采用由電阻電容反饋網絡在LDO輸出端引入零點，補償誤差放大器輸出極點的方法，避免了為補償LDO輸出極點，而需要大電容或復雜補償
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穩壓器 設計 線性 LDO 成型 CMOS 全集
摘要：采用TSMC 0．18 mu;m 1P6M工藝設計了一個12位50 MS／s流水線A／D轉換器(ADC)。為了減小失真和降低功耗，該ADC利用余量增益放大電路(MDAC)內建的采樣保持功能，去掉了傳統的前端采樣保持電路，采用時間常數匹配
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流水線 轉換器 CMOS MS 12位 一種
隨著半導體產業向22納米技術節點外觀的發展，一些制造商正在考慮從平面CMOS晶體管向三維（3D）FinFET器件結構的過渡。相對于平面晶體管，FinFET元件提供更好的渠道控制，因此，降低短通道效應。當平面晶體管的柵極在溝道之上，FinFET的柵極環繞溝道，從雙向提供靜電控制。
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SOI 體硅 FinFET
7月10日，北京思比科微電子董事長陳杰在東莞松山湖IC創新高峰論壇上透露，公司已于去年12月完成公司股份制改造，現已進入創業板輔導流程。
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思比科 CMOS
CMOS成像技術的領先創新廠商Aptina公司宣布其Aptina MobileHDR 技術最近在6Sight Mobile Imaging Summit上榮獲國際成像行業協會(International Imaging Industry Association, I3A)頒發VISION 2020成像技術創新銅獎。
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Aptina CMOS
高性能模擬與混合信號IC領導廠商Silicon Laboratories 今日宣布其廣播收音機IC出貨量已達十億顆，締造了廣播音頻市場的重要里程碑。Silicon Labs的數字CMOS廣播收音機芯片廣泛應用于手機、便攜式媒體播放器(PMP)、個人導航裝置(PND)、汽車信息娛樂系統、桌面和床頭收音機、便攜式收音機、音響和許多其他消費電子產品。
Silicon Labs公司于2005年推出業界首顆單芯片FM接收器。作為業界最小、最高性能和集成度的FM廣播收音機IC，Si4700 IC重構了消
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Silicon-Labs IC CMOS
目前，包括移動設備在內的很多多媒體設備上都使用了攝像頭，而且還在以很快的速度更新換代。目前使用的攝像頭分為兩種：CCD(Charge Couple Device電荷偶合器件)和 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor互補
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Sensor CMOS 調試 經驗
1 引言 集成電路是采用半導體制作工藝，在一塊較小的單晶硅片上制作上許多晶體管及電阻器、電容器等元器件，并按照多層布線或遂道布線的方法將元器件組合成完整的電子電路。 一個典型的數字鎖相環結構如圖1 所示
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設計 振蕩器 CMOS
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