cmos digital image sensor 文章
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全球領先芯片制造商目前都在做著向10納米制程過渡的準備。同時，7納米甚至5納米工藝制程也引起業界的強力關注。
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7納米 CMOS
聯華電子今(20)日宣布，用于AMD旗艦級繪圖卡Radeon™ R9 Fury X的聯華電子硅穿孔 (TSV) 技術，已經進入量產階段，此產品屬于AMD近期上市的Radeon™ R 300 繪圖卡系列。AMD Radeon™ R9 Fury X GPU採用了聯華電子TSV 製程以及晶粒堆疊技術，在硅中介層上融合
連結 AMD提供的HBM DRAM高頻寬記憶體及GPU，使其GPU能提供4096 位元的超強記憶體頻寬，及遠超出現今GDDR5業界標準達4倍的每瓦性能
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聯華電子 CMOS
日前，加州大學戴維斯分校和加州大學伯克利分校的研究人員開發了一種基于MEMS和CMOS技術的超聲波指紋傳感器，可以獲取指紋的三維圖像，這將大大提升指紋識別的安全性。指紋傳感器越來越被廣泛的應用在智能手機等設備方面。采用指紋進行解鎖與支付等功能，比傳統的密碼在安全性上面有了極大的提高。之前的指紋識別是通過傳感器提取的二維圖像，可以通過打印指紋圖案來繞過指紋認證。三維圖像的提取無疑將進一步提高指紋識別的準確率與安全性。
CMOS圖像傳感器在智能手機領域獨領風騷
自蘋果發布iPhone5s后指紋
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索尼 CMOS
日前，加州大學戴維斯分校和加州大學伯克利分校的研究人員開發了一種基于MEMS和CMOS技術的超聲波指紋傳感器，可以獲取指紋的三維圖像，這將大大提升指紋識別的安全性。指紋傳感器越來越被廣泛的應用在智能手機等設備方面。采用指紋進行解鎖與支付等功能，比傳統的密碼在安全性上面有了極大的提高。之前的指紋識別是通過傳感器提取的二維圖像，可以通過打印指紋圖案來繞過指紋認證。三維圖像的提取無疑將進一步提高指紋識別的準確率與安全性。
CMOS圖像傳感器在智能手機領域獨領風騷
自蘋果發布iPhone5s后指紋
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圖像指紋傳感器 CMOS
政策層面的利好，市場需求的驅動，為中國芯片創造了難得的黃金時代。如今的“中國芯”，正如處在風口上的“豬”，面臨著大好的發展機遇，但要想突破國際巨頭們的重圍，迎風起飛，也還需越過重重關卡。
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中國芯 CMOS
2015年對CMOS圖像傳感器(CIS：CMOS Image Sensor)行業來說，是變動比較大的一年。Yole Developpement(以下簡稱Yole)的報告《2015年CMOS圖像傳感器行業動向(Status of the CMOS image sensor industry 2015)》顯示，CIS市場今年將達到100億美元。另外，索尼為支撐自己的技術優勢和業績出色的蘋果產品戰略而實施的產能投資收到成效，獲得三分之一以上的市場份額，有在整個智能手機行業獨領風騷之勢。
而索尼的競爭對
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CMOS 圖像傳感器
當前固體微光器件以EBCCD及EMCCD器件為主，隨著CMOS工藝及電路設計技術的發展，微光CMOS圖像傳感器的性能在不斷提高，通過采用專項技術，微光CMOS圖像傳感器的性能已接近EMCCD的性能，揭開了CMOS圖像傳感器在微光領域應用的序幕。隨著對微光CMOS圖像傳感器研究的進一步深入，在不遠的未來，微光CMOS圖像傳感器的性能將達到夜視應用要求，在微光器件領域占據重要地位。
讀出電路是微光CMOS圖像傳感器的重要組成部分，它的基本功能是將探測器微弱的電流、電壓或電阻變化轉換成后續信號處理電路
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CMOS 圖像傳感器
CMOS影像感測器(CIS)市場近年因智慧型手機大幅成長，未來則可望在汽車、醫療和安控等嵌入式應用推助下持續向上攀升，預期2014～2020年復合年均成長率將高達10.6%。看好此一商機，中小型CIS晶片商正競相展開技術布局，期進一步擴大市場占有率。
CMOS影像感測器(CMOS Image Sensor, CIS)市場即將風云變色，眾家廠商為卡位新商機，可謂八仙過海、各顯神通。Yole Developpement指出，智慧型手機雖占現今CIS市場應用大宗，但汽車、醫療和安全監控等新興應用需求已
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CMOS 圖像傳感器
CMOS影像感測器(CIS)市場近年因智慧型手機大幅成長，未來則可望在汽車、醫療和安控等嵌入式應用推助下持續向上攀升，預期2014～2020年復合年均成長率將高達10.6%。看好此一商機，中小型CIS晶片商正競相展開技術布局，期進一步擴大市場占有率。
CMOS影像感測器(CMOS Image Sensor, CIS)市場即將風云變色，眾家廠商為卡位新商機，可謂八仙過海、各顯神通。Yole Developpement指出，智慧型手機雖占現今CIS市場應用大宗，但汽車、醫療和安全監控等新興應用需求已
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傳感器 CMOS
近日，中國內地集成電路晶圓代工企業—中芯國際集成電路制造有限公司，與全球領先的信息和通信解決方案供應商華為、微電子研究中心之一比利時微電子研究中心(imec)、國際無晶圓半導體廠商Qualcomm Incorporated的附屬公司Qualcomm Global Trading Pte. Ltd.在京簽約，宣布共同投資中芯國際集成電路新技術研發(上海)有限公司，開發下一代CMOS邏輯工藝。
中芯國際集成電路新技術研發(上海)有限公司由中芯國際控股，華為、imec、Qualcomm各占
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中芯國際 CMOS
整體半導體產業正在嘗試找到一種方法，不需要從矽基板轉換而利用砷化銦鎵(InGaAs)的更高電子遷移率，包括英特爾(Intel)與三星(Samsung);而IBM已經展示了如何利用標準CMOS制程技術來達成以上目標。
上個月IBM展示了一種將三五族(III-V)砷化銦鎵化合物放到絕緣上覆矽(SOI)晶圓的技術，現在該公司有另一個研究團隊則是聲稱發現了更好的方法，采用標準塊狀矽晶圓并制造出矽上砷化銦鎵證實其可行性。
IBMResearch先進功能材料部門經理、CMOS專家JeanFompeyr
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IBM CMOS
毫無疑問，索尼是2014年全球感光元件銷售的大贏家，市場占有率達到了40%，而他們剛剛推出A7R II更是首款搭載背照式CMOS的全畫幅相機。其圖像傳感器技術已大幅領先。但“大法”傳感器到底有何厲害?他們是怎樣發展出現在的技術?FRAMOS Technologies Inc.技術專家Darren Bessette使用一系列圖文講述了索尼六代圖像傳感器進化史。
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索尼 CMOS
混合信號，一種說法是未來的系統將是大型的混合信號系統，它所占的比例將會增加一倍，從目前的33%到2005年的66%;另一種說法是每一部份都是建立在超深次微米CMOS上的大型數位晶片，將來的ASICs會用到多達一千五百萬個邏輯們，而類比和混合信號電路將會被留在晶片之外。
RF和混合信號設計的藝術與科學
設計和生產混合信號IC不是件易事，尤其是包含RF功能時尤為如此。之所以存在如此大規模獨立的模擬和分立IC市場，是因為模擬與數字IC相結合不是一個簡單、明了的過程。模擬和RF設計一直被認為是&l
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ASICs CMOS
當前VLSI技術不斷向深亞微米及納米級發展，模擬開關是模擬電路中的一個十分重要的原件，由于其較低的導通電阻，極佳的開關特性以及微小封裝的特性，受到人們的廣泛關注。模擬開關導通電阻的大小直接影響開關的性能，低導通電阻不僅可以降低信號損耗而且可以提高開關速度。要減小開關導通電阻，可以通過采用大寬長比的器件和提高柵源電壓的方法，可是調節器件的物理尺寸不可避免地會帶來一些不必要的寄生效應，比如增大器件的寬度會增加器件面積進而增加柵電容，脈沖控制信號會通過電容耦合到模擬開關的輸入和輸出，在每個開關周期其充放電過
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CMOS 模擬開關
美國記憶體技術開發商Nantero最近宣布進行新一輪融資，并準備“浮出水面”──因為該公司認為其獨家的非揮發性隨機存取記憶體(non-volatile random access memory，NRAM;或稱Nano-RAM)，已經準備好取代企業應用或消費性應用市場上的儲存級記憶體。
Nantero已經向新、舊投資人募得3,150萬美元資金，可用以加速NRAM的研發;該公司執行長Greg Schmergel在接受EE Times 美國版編輯電話訪問時表示，NRAM是以碳奈
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NRAM，CMOS
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