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很基礎(chǔ)的MOS管知識(shí)
- 半導(dǎo)體三極管中參與導(dǎo)電的有兩種極性的載流子，所以也稱為雙極型三極管。本文將介紹另一種三極管，這種三極管只有一種載流子參與導(dǎo)電，所以也稱為單極型三極管，因?yàn)檫@種管子是利用電場(chǎng)效應(yīng)控制電流的，所以也叫場(chǎng)效應(yīng)三極管（FET），簡稱場(chǎng)效應(yīng)管。場(chǎng)效應(yīng)管可以分成兩大類，一類是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET），另一類是絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）。在如果你在某寶里搜索“場(chǎng)效應(yīng)管”你會(huì)發(fā)現(xiàn)，搜索出來的基本上是絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。即使搜索“結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管”，出來的也只有幾種，你是不是懷疑結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管已經(jīng)被人類拋棄了的感覺，沒錯(cuò)，JFE
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還分不清結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管與絕緣柵？看這一文就夠了，圖表展現(xiàn)
- JFET 與 MOSFET的區(qū)別JFET 和 MOSTFET 之間的主要區(qū)別在于，通過 JFET 的電流通過反向偏置 PN 結(jié)上的電場(chǎng)引導(dǎo)，而在 MOSFET 中，導(dǎo)電性是由于嵌入在半導(dǎo)體上的金屬氧化物絕緣體中的橫向電場(chǎng)。JFET 與 MOSFET的區(qū)別兩者之間的下一個(gè)關(guān)鍵區(qū)別是，JFET 允許的輸入阻抗比 MOSFET 小，因?yàn)楹笳咔度肓私^緣體，因此漏電流更少。JFET?通常被稱為“ON 器件”是一種耗盡型工具，具有低漏極電阻，而?MOSFET?通常被稱為“OFF 器件”，
- 關(guān)鍵字： 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管 jfet MOSFET 電路設(shè)計(jì)
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管極性判斷方法，幫你搞定jfet極性判斷
- 今天給大家講講結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管極性判斷方法。用萬用表來判斷JFET極性相對(duì)來說比較簡單，因?yàn)橹挥幸粋€(gè)PN結(jié)要測(cè)：要么在柵極和源極之間測(cè)量，要么在柵極和漏極之間測(cè)量。1、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管極性判斷方法--引腳識(shí)別JFET的柵極對(duì)應(yīng)晶體管的基極，源極對(duì)應(yīng)晶體管的發(fā)射極，漏極對(duì)應(yīng)晶體管的集電極。在這之前講過關(guān)于三極管測(cè)好壞的方法，極性的判斷。可以點(diǎn)擊標(biāo)題直接跳轉(zhuǎn)。三極管的測(cè)量方法和管腳辨別方法，一文總結(jié)，幾分鐘教你學(xué)會(huì)將萬用表設(shè)置為“R×1k”，用兩根表筆測(cè)量 每兩個(gè)引腳之間的正反向電阻。當(dāng)兩個(gè)引腳的正反向電阻均為幾千歐
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如何成為硬件高手
- 摘要：駕駛著進(jìn)取號(hào)電子飛船，從發(fā)射區(qū)進(jìn)入充滿黑洞的基區(qū)，一些同伴被黑洞束縛，一些擄去另一世界，你幸運(yùn)地躲過一劫飛到集電結(jié)，受到強(qiáng)大的吸力快速渡越出集電區(qū)，漫游在低阻導(dǎo)線上，松了一口氣。然而前路不如你所愿地一帆風(fēng)順，阻力重重的負(fù)載中到處碰壁…… 古人學(xué)問無遺力，少壯工夫老始成。若問硬件速成法，猶似浮沙立大廈。千萬別認(rèn)為看后就能成為高手，當(dāng)然筆者亦非高手，水滴石穿又豈是朝夕之功!謹(jǐn)以過往經(jīng)歷和拙見與在校學(xué)生朋友和剛工作的工程師分享共勉。 理論學(xué)習(xí) 沒有滿腹經(jīng)綸，何能出口成章。但覺得書海茫茫，不知從何
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結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)的基礎(chǔ)知識(shí)
- 結(jié)構(gòu)與符號(hào)： ? ? 在N區(qū)兩側(cè)擴(kuò)散兩個(gè)P+區(qū)，形成兩個(gè)PN結(jié)。兩個(gè)P+區(qū)相連，引出柵極g。N體的上下兩端分別引出漏極d和源極s。 導(dǎo)電原理： ? ? (1)VGS=0時(shí)，N型棒體導(dǎo)電溝道最寬(N型區(qū))。有了VDS后，溝道中的電流最大。 (2)VGS<0時(shí)，耗盡層加寬(主要向溝道一測(cè)加寬)，并向溝道中間延伸，溝道變窄。 當(dāng)VGS
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CMOS放大器和JFET放大器的輸入偏置電流
- 由于具有較低的偏置電流，人們經(jīng)常選用CMOS和JFET運(yùn)算放大器。然而你應(yīng)該意識(shí)到，這個(gè)事實(shí)還與很多其它的原因相關(guān)。 CMOS晶體管的柵極 (CMOS運(yùn)算放大器的輸入端)有極低的輸入電流。必須設(shè)計(jì)附加的電路來對(duì)脆弱的柵極進(jìn)行ESD和EOS保護(hù)。這些附加的電路是輸入偏置電流的主要來源。這些保護(hù)電路一般都通過在電源軌之間接入鉗位二極管來實(shí)現(xiàn)。圖1a中的OPA320就是一個(gè)例子。這些二極管會(huì)存在大約幾皮安的漏電流。當(dāng)輸入電壓大約達(dá)到電源軌中間值的時(shí)候，漏電流匹配的相當(dāng)好，僅僅會(huì)存在小于1皮安的殘余誤差電流
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場(chǎng)效應(yīng)管工作原理- -場(chǎng)效應(yīng)管工作原理也瘋狂
- 一、場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理- -概念 場(chǎng)效應(yīng)管(FET)是場(chǎng)效應(yīng)晶體管(field-effect transistor)的簡稱，由于它僅靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電，也稱為單極性場(chǎng)效應(yīng)管，是一種常見的利用輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種電壓控制性半導(dǎo)體器件，場(chǎng)效應(yīng)管不但具有雙極性晶體管體積小、重量輕、壽命長等優(yōu)點(diǎn)，而且輸入回路的內(nèi)阻高達(dá)107~1012Ω，噪聲低，熱穩(wěn)定性好，抗輻射能力強(qiáng)，且比后者耗電省，這些優(yōu)點(diǎn)使之從20世紀(jì)60年代誕生起就廣泛地應(yīng)用于各種電子電路之中。 二、
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導(dǎo)入Cascode結(jié)構(gòu) GaN FET打造高效率開關(guān)
- 為提高高壓電源系統(tǒng)能源效率，半導(dǎo)體業(yè)者無不積極研發(fā)經(jīng)濟(jì)型高性能功率場(chǎng)效應(yīng)電晶體（FET）；其中，采用Cascode結(jié)構(gòu)的...
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英飛凌推出新的CoolSiCTM 1200V SiC JFET系列
- 在“2012年歐洲電力電子、智能運(yùn)動(dòng)、電能品質(zhì)國際研討會(huì)與展覽會(huì)”上，英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出新的CoolSiCTM 1200V SiC JFET 系列，該產(chǎn)品系列增強(qiáng)了英飛凌在SiC(碳化硅)產(chǎn)品市場(chǎng)的領(lǐng)先地位。這個(gè)革命性的新產(chǎn)品系列，立足于英飛凌在SiC技術(shù)開發(fā)以及高質(zhì)量、大批量生產(chǎn)方面十多年的豐富經(jīng)驗(yàn)。
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 SiC JFET
Power Integrations將銷售SiC二極管和JFET
- 用于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司今日宣布同SemiSouth Laboratories簽署代表其在歐洲以外市場(chǎng)銷售創(chuàng)新的碳化硅(SiC)二極管和JFET系列產(chǎn)品的協(xié)議。
- 關(guān)鍵字： Power Integrations SiC二極管 JFET
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