結構與符號： ?
? 在N區兩側擴散兩個P+區，形成兩個PN結。兩個P+區相連，引出柵極g。N體的上下兩端分別引出漏極d和源極s。 導電原理： ?
? (1)VGS=0時，N型棒體導電溝道最寬(N型區)。有了VDS后，溝道中的電流最大。 (2)VGS<0時，耗盡層加寬(主要向溝道一測加寬)，并向溝道中間延伸，溝道變窄。 當VGS
關鍵字：
JFET
由于具有較低的偏置電流，人們經常選用CMOS和JFET運算放大器。然而你應該意識到，這個事實還與很多其它的原因相關。 CMOS晶體管的柵極 (CMOS運算放大器的輸入端)有極低的輸入電流。必須設計附加的電路來對脆弱的柵極進行ESD和EOS保護。這些附加的電路是輸入偏置電流的主要來源。這些保護電路一般都通過在電源軌之間接入鉗位二極管來實現。圖1a中的OPA320就是一個例子。這些二極管會存在大約幾皮安的漏電流。當輸入電壓大約達到電源軌中間值的時候，漏電流匹配的相當好，僅僅會存在小于1皮安的殘余誤差電流
關鍵字：
CMOS JFET
一、場效應管的工作原理- -概念
場效應管(FET)是場效應晶體管(field-effect transistor)的簡稱，由于它僅靠半導體中的多數載流子導電，也稱為單極性場效應管，是一種常見的利用輸入回路的電場效應來控制輸出回路電流的一種電壓控制性半導體器件，場效應管不但具有雙極性晶體管體積小、重量輕、壽命長等優點，而且輸入回路的內阻高達107~1012Ω，噪聲低，熱穩定性好，抗輻射能力強，且比后者耗電省，這些優點使之從20世紀60年代誕生起就廣泛地應用于各種電子電路之中。
二、
關鍵字：
場效應管 MOS JFET 場效應管工作原理
為提高高壓電源系統能源效率，半導體業者無不積極研發經濟型高性能功率場效應電晶體（FET）；其中，采用Cascode結構的...
關鍵字：
Cascode GaN 場效應管
當使用分立的JFET時，設計者可能需要將大量可變的器件參數與某個給定的晶體管型號相適應。一般會使用平方律方程，作為JFET漏極電流特性的一個近似模型：ID=beta;(VGS-VP)2，其中，ID是漏極電流，VGS是柵源電壓，be
關鍵字：
電路 簡單 特性 JFET 確定
很多工藝控制傳感器（如熱敏電阻器和應變橋）都需要精確的偏置電流。增加一只電流設置電阻器R1后，電壓基準電路IC ...
關鍵字：
JFET 恒定 精確電流源
在“2012年歐洲電力電子、智能運動、電能品質國際研討會與展覽會”上，英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出新的CoolSiCTM 1200V SiC JFET 系列，該產品系列增強了英飛凌在SiC(碳化硅)產品市場的領先地位。這個革命性的新產品系列，立足于英飛凌在SiC技術開發以及高質量、大批量生產方面十多年的豐富經驗。
關鍵字：
英飛凌 SiC JFET
用于高能效電源轉換的高壓集成電路業界的領導者Power Integrations公司今日宣布同SemiSouth Laboratories簽署代表其在歐洲以外市場銷售創新的碳化硅(SiC)二極管和JFET系列產品的協議。
關鍵字：
Power Integrations SiC二極管 JFET
電腦的麥克風電路The sound card for a PC generally has a microphone input, speaker output and sometimes line inputs and outputs. The mic input is designed for dynamic microphones only in impedance rang
關鍵字：
電路 耳機 功放 JFET-MOSFET 以及 麥克風 電腦
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出 OPA653 與 OPA659 JFET 輸入運算放大器，其可實現3 倍于同類競爭產品的 2675 V/us 壓擺率，從而可顯著提高脈沖響應。上述放大器將寬帶電壓反饋放大器與高阻抗 JFET 輸入級完美結合，可通過其高頻率帶寬和低總諧波失真充分滿足頻率域與 FET 分析的需求。
OPA653 與 OPA659 的主要特性與優勢
業界最佳的壓擺率與低失真可提高時間域和脈沖型應用的信號完整性：
o OPA653 是一款具有 2675
關鍵字：
TI 運算放大器 JFET
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