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        tsv芯片 文章 最新資訊

        以碳納米管取代銅 TSV芯片效能更好

        •   來自瑞典歌德堡(Gothenburg)的查默斯理工大學(Chalmers University of Technology)的研究人員發(fā)現(xiàn),以碳納米管來填充采用硅穿孔技術(TSV)連結(jié)的 3D芯片堆棧,效果會比銅來得更好。   TSV是將芯片以3D堆棧方式形成一個系統(tǒng),而非將它們平行排列在電路板上,以提高芯片之間通訊的速度;但遺憾的是,目前用以填充硅晶孔洞的銅,卻會導致熱膨脹(thermal expansion)的問題,因為銅遇熱會比周圍的硅材料膨脹更多。   「碳納米管的許多特性都優(yōu)于銅,包括熱
        • 關鍵字: TSV芯片  CMOS   

        IBM開發(fā)TSV芯片連接技術

        • 計世網(wǎng)消息 IBM公司將用一種相對較新的方式將芯片連接在一起,據(jù)IBM公司表示,這將有助于提高系統(tǒng)性能并降低能耗量。  這一被稱為TSV(通過硅芯片過程)的技術利用數(shù)以千計的導線將不同的諸如處理器和內(nèi)存,或者兩個芯片中不同內(nèi)核的組件連接起來。而在當前,芯片主要是通過被稱為總線的“通道”傳輸數(shù)據(jù),總線有時會發(fā)生擁擠和堵塞等現(xiàn)象。而采用TSV技術,芯片每秒種能夠以一種更為節(jié)能的方式傳輸更多的數(shù)據(jù)。 IBM公司并不是第一家開始談論TSV的公司,第一家開始談論TSV的應該是英特爾公司,但IBM
        • 關鍵字: IBM  TSV芯片  連接技術  消費電子  消費電子  
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        tsv芯片介紹

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