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iDEAL的SuperQ技術正式量產(chǎn)，推出150V與200V MOSFET

• iDEAL Semiconductor的SuperQ?技術現(xiàn)已全面量產(chǎn)，首款產(chǎn)品為150V MOSFET。同時，一系列200V MOSFET產(chǎn)品也已進入送樣階段。SuperQ是過去25年來硅基MOSFET設計領域的首次重大突破，在硅功率器件中實現(xiàn)了前所未有的性能與效率提升。該架構突破了硅材料在導通與開關方面的物理瓶頸，將n型導電區(qū)域擴大至高達95%，并將開關損耗較競爭產(chǎn)品降低高達2.1倍。該結構不僅改善了器件的電阻與功率損耗，同時保留了硅材料的諸多優(yōu)勢，包括高強度、量產(chǎn)能力強以及在175°C結溫下的可靠性
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