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　　0 引言　　NiO作為一種P型半導(dǎo)體材料，因其具有穩(wěn)定而較寬的帶隙在電池材料、催化劑、氣敏材料等方面有著廣泛的應(yīng)用。以NiO為基體材料制作的氣敏元件雖然具有響應(yīng)一恢復(fù)快，穩(wěn)定性比較好等優(yōu)點，但與N型半導(dǎo)體SnO，ZnO等氣敏材料相比，NiO的氣體靈敏度較低，這主要是因為NiO為空穴導(dǎo)電，吸附可燃氣體后空穴減少，電阻增大，而NiO材料本身的電阻又比較高。因此，不斷改善提高NiO的氣敏性能使其具有實用性是當前研究的重點所在。本文利用水熱法制備NiO對其進行不同質(zhì)量分數(shù)的WO3摻雜，研究了摻雜后NiO
關(guān)鍵字： NiO 氣敏 WO3 半導(dǎo)體材料 XRD

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