- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，推出新SPICE模型“ROHM Level 3（L3）”，該模型提升了收斂性和仿真速度。功率半導體的損耗對系統整體效率有重大影響，因此在設計階段的仿真驗證中，模型的精度至關重要。ROHM以往提供的SiC MOSFET用SPICE模型“ROHM Level 1（L1）”，通過提高每種特性的復現性，滿足了高精度仿真的需求。然而另一方面，該模型存在仿真收斂性問題和運算時間較長等問題，亟待改進。新模型“ROHM Level 3（L3）”通過采用簡化的模型
- 關鍵字：
ROHM SPICE模型 ROHM Level 3 SiC MOSFET模型
- 在設計功率轉換器時，可以使用仿真模型在多個設計維度之間進行權衡。使用有源器件的簡易開關模型可以進行快速仿真，帶來更多的工程洞見。然而，與制造商精細的器件模型相比，這種簡易的器件模型無法在設計中提供與之相匹敵的可信度。本文探討了功率轉換器設計人員該如何結合使用系統級模型和精細模型，探索設計空間，并帶來高可信度結果。本文使用MathWorks的系統級建模工具Simulink? 和 Simscape?，以及精細的英飛凌車規級MOSFET SPICE子電路），對該過程進行示范性展示。?引言在開發功率轉換
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英飛凌 高可信度 MOSFET模型 基于模型 功率轉換器設計
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