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        功率LDM0 S中的場極板設(shè)計
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 摘要：本文提出了LDMOS器件漂移區(qū)電場分布和電勢分布的二維解析模型，并在此基礎(chǔ)上得出了LDMOS漂移區(qū)電勢分布和電場分布的解析表達(dá)式。通過表達(dá)式的結(jié)果，研究了多晶硅場板的長度和位置對于器件表面電場和電勢的影響
          • 
                    	                        
        • 關(guān)鍵字：
                        設(shè)計  LDM0  功率                          
          • 
                   	
        
                    
        
                
        
                                                

                
        
	                
        
		                	
        
	
        
	共1條
	1/1															1								
	
        
		                
        
	               	
        
                
        
        	
        
            
        
        
        
	
        
	
        
  		
        
    		
        
      			
        
          			
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		      	歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對ldm0的理解，并與今后在此搜索ldm0的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條
		      			      	
        
    		
        
  		
        
  		  		  		  		  		        		  		
        
    		
        
      			
        
        			
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