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        埃賽力達推出全新C30733BQC-01型InGaAs雪崩光電二極管

        • 新一代光子檢測器可為基于光纖的高端電信測試和分析設備應用提供高速、高增益和低噪音性能提供以市場為導向的創新化光電解決方案工業技術領導者——埃賽力達科技有限公司(Excelitas Technologies? Corp.)近期推出了C30733BQC-01 InGaAs雪崩光電二極管。這款新品將高增益和快速恢復時間以及低噪音性能獨特地結合在一起,成為高端電信測試設備應用、光通信和分布式光纖傳感系統以及對人眼安全的LiDAR/激光測距設備的理想解決方案,尤其適用于智能城市和智能工廠。埃賽力達C30733BQC
        • 關鍵字: 埃賽力達  InGaAs  雪崩光電二極管  APD增益  

        埃賽力達推出全新C30733BQC-01型InGaAs雪崩光電二極管,APD增益高達40倍

        • 提供以市場為導向的創新化光電解決方案工業技術領導者——埃賽力達科技有限公司(Excelitas Technologies? Corp.)近期推出了C30733BQC-01 InGaAs雪崩光電二極管。這款新品將高增益和快速恢復時間以及低噪音性能獨特地結合在一起,成為高端電信測試設備應用、光通信和分布式光纖傳感系統以及對人眼安全的LiDAR/激光測距設備的理想解決方案,尤其適用于智能城市和智能工廠。埃賽力達C30733BQC-01雪崩光電二極管采用獨特的芯片設計,性能先進,典型的操作增益高達40,在需要10
        • 關鍵字: 埃賽力達  InGaAs  雪崩光電二極管  APD增益  

        2×8低噪聲InGaAs/InP APD讀出電路設計

        • 對In0.53Ga0.47As/InP雪崩光電二極管(APD)探測器進行了特性分析。以大陣列研究為基礎,結合器件特性設計了一個2×8低噪聲讀出電路(ROIC),電路主要由電容反饋互阻放大器(CTIA)和相關雙采樣(CDS)電路單元構成,并對讀出電路的時序、積分電容等進行了設計。電路采用0.6 μm CMOS工藝流片,芯片面積為2 mm×2 mm,電荷存儲能力為5×107個,功耗小,噪聲低,設計達到預期要求。
        • 關鍵字: InGaAs  APD  InP  低噪聲    
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