- 三星電子宣1布率先在業內開發出12層3D-TSV(硅穿孔)技術。隨著集成電路規模的擴大,如何在盡可能小的面積內塞入更多晶體管成為挑戰,其中多芯片堆疊封裝被認為是希望之星。三星稱,他們得以將12片DRAM芯片通過60000個TSV孔連接,每一層的厚度僅有頭發絲的1/20。總的封裝厚度為720μm,與當前8層堆疊的HBM2存儲芯片相同,體現了極大的技術進步。這意味著,客戶不需要改動內部設計就可以獲得更大容量的芯片。同時,3D堆疊也有助于縮短數據傳輸的時間。三星透露,基于12層3D TSV技術的HBM存儲芯片將
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三星 HBM顯存 內存顆粒
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